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EPC代理店

低压氮化镓、集成驱动氮化镓IC、车规氮化镓、QFN封装氮化镓、针对不同应用场景的参考Demo板

型号/品牌参数供应商价格库存服务

EPC2112

品牌：EPC

品类：Integrated Gate Driver eGaN® IC

技术资料

CAD模型

系列：EPC2112

描述：...V,10 A Integrated Gate Driver eGaN IC;EPC2112 devices are supplied only in passivated die form with solder balls

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：500

订货型号	EPC2112
品牌	EPC
型号系列	EPC2112
品类	Integrated Gate Driver eGaN® IC
描述/说明	...V,10 A Integrated Gate Driver eGaN IC;EPC2112 devices are supplied only in passivated die form with solder balls
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	200
Pulsed Iᴅ (A)	40
Vɪɴ (V)	6
Operating Temperature(˚C)	-40 ~ 150
Vᴄᴄ (V)	6

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世强仓： 0

FT-C0603QBAC1-A02HH-0.60T-B001

品牌：Bestopto

品类：灯珠

技术资料

CAD模型

系列：FT-C0603QBAC1-A02HH-0.60T-B001

描述：...Blue source color devices are made with GaN on Sapphire Light Emitting Diode.

封装/外壳/尺寸：1.6mmX0.8mm

最小包装量：4,000

订货型号	FT-C0603QBAC1-A02HH-0.60T-B001
品牌	Bestopto
型号系列	FT-C0603QBAC1-A02HH-0.60T-B001
品类	灯珠
描述/说明	...Blue source color devices are made with GaN on Sapphire Light Emitting Diode.
封装/外壳/尺寸	1.6mmX0.8mm
最小包装量	4,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Dice	BLUE (GaN)
Lens Type	WATER CLEAR
Peak Wavelength（nm）	464~470
Forward Voltage(V)	2.7~3.1
ViewingAngle(deg)	120

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1+: ¥ 0.0754 4000+: ¥ 0.0654 12000+: ¥ 0.0613 20000+: ¥ 0.0577

世强仓： 1,000 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2305

描述：...EPC2305 is a 150V eGaN® power transistor in a low inductance 3mm x 5mm QFN package with exposed top for excellent thermal management.

封装/外壳/尺寸：3mm x 5mm QFN

最小包装量：3,000

订货型号	EPC2305
品牌	EPC
型号系列	EPC2305
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	...EPC2305 is a 150V eGaN® power transistor in a low inductance 3mm x 5mm QFN package with exposed top for excellent thermal management.
封装/外壳/尺寸	3mm x 5mm QFN
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDS	150 V
RDS(on)	2.2 mΩ typ
ID	102A
Operating Temperature	–40℃ to 150℃

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1+: ¥ 38.5163 3000+: ¥ 37.3832 12000+: ¥ 36.3154

世强仓： 3,000 (当天发货)

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

技术资料

CAD模型

系列：EPC2108

描述：...GaN Power Transistor Half Bridge With Integrated Synchronous Bootstrap,Dual with Sync Boot

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2108
品牌	EPC
型号系列	EPC2108
品类	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
描述/说明	...GaN Power Transistor Half Bridge With Integrated Synchronous Bootstrap,Dual with Sync Boot
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	60
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs(on) (mΩ) @5Vɢs	240
Qɢ (typ) (nC)	0.24
Iᴅ (A)	1.7
Pulsed Iᴅ (A)	5.5

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1+: ¥ 7.1805 2500+: ¥ 6.9689 10000+: ¥ 6.7699

世强仓： 2,417 (当天发货)

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

技术资料

CAD模型

系列：EPC2107

描述：...GaN Power Transistor Half Bridge With Integrated Synchronous Bootstrap,Dual with Sync Boot

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2107
品牌	EPC
型号系列	EPC2107
品类	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
描述/说明	...GaN Power Transistor Half Bridge With Integrated Synchronous Bootstrap,Dual with Sync Boot
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs(on) (mΩ) @5Vɢs	390
Qɢ (typ) (nC)	0.19
Iᴅ (A)	1.7
Pulsed Iᴅ (A)	3.8

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¥ 6.2849

世强仓： 2,356 (当天发货)

品类：Laser Driver IC

系列：EPC21603

描述：...integration is achieved using EPC’s proprietary GaN IC technology.

最小包装量：2,500

订货型号	EPC21603ENGRT
品牌	EPC
型号系列	EPC21603
品类	Laser Driver IC
描述/说明	...integration is achieved using EPC’s proprietary GaN IC technology.
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	40
Vɢs (max) (V)	5
Qᴏss (typ) (nC)	1.5
Iᴅ (A)	3.4
Pulsed Iᴅ (A)	15

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¥ 11.3523

世强仓： 2,240 (当天发货)

品类：Mode GaN Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2221

描述：...Dual Common-Source Enhancement-Mode GaN Power Transistor

封装/外壳/尺寸：1.35 mm x 1.35 mm

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2221
品牌	EPC
型号系列	EPC2221
品类	Mode GaN Power Transistor
描述/说明	...Dual Common-Source Enhancement-Mode GaN Power Transistor
封装/外壳/尺寸	1.35 mm x 1.35 mm
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	58
Qɢ (typ) (nC)	0.85
Qɢs (typ) (nC)	0.27
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.19
Qᴏss (typ) (nC)	4.7
Iᴅ (A)	5
Pulsed Iᴅ (A)	20

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1+: ¥ 10.2226 2500+: ¥ 9.9216 10000+: ¥ 9.6381

世强仓： 1,600 (当天发货)

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

技术资料

CAD模型

系列：EPC2111

描述：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2111
品牌	EPC
型号系列	EPC2111
品类	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
描述/说明	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	30
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs(on) (mΩ) @5Vɢs	19
Qɢ (typ) (nC)	1.7
Iᴅ (A)	16
Pulsed Iᴅ (A)	50

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1+: ¥ 11.1493 2500+: ¥ 10.8214 10000+: ¥ 10.5122

世强仓： 1,590 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2059

描述：EPC2059eGaN® FETs are supplied only in passivated die form with solder bars. Die Size: 2.8 mm x 1.4 mm

封装/外壳/尺寸：2.8 mm x 1.4 mm

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2059
品牌	EPC
型号系列	EPC2059
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	EPC2059eGaN® FETs are supplied only in passivated die form with solder bars. Die Size: 2.8 mm x 1.4 mm
封装/外壳/尺寸	2.8 mm x 1.4 mm
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	170
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs(on) (mΩ) @5Vɢs	9
Qɢ (typ) (nC)	5.7
Qɢs (typ) (nC)	1.3
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.9
Qᴏss (typ) (nC)	35
Iᴅ (A)	24
Pulsed Iᴅ (A)	102

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1+: ¥ 18.8120 2500+: ¥ 18.2593 10000+: ¥ 17.7375

世强仓： 1,491 (当天发货)

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

技术资料

CAD模型

系列：EPC2101

描述：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：500

订货型号	EPC2101
品牌	EPC
型号系列	EPC2101
品类	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
描述/说明	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	60
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs(on) (mΩ) @5Vɢs	11.5
Qɢ (typ) (nC)	3.3
Iᴅ (A)	10
Pulsed Iᴅ (A)	80

更多参数

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1+: ¥ 53.5311 500+: ¥ 51.9565 2000+: ¥ 50.4722

世强仓： 485 (当天发货)

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

技术资料

CAD模型

系列：EPC2105

描述：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

封装/外壳/尺寸：BGA 6.05 x 2.3

最小包装量：500

订货型号	EPC2105
品牌	EPC
型号系列	EPC2105
品类	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
描述/说明	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
封装/外壳/尺寸	BGA 6.05 x 2.3
最小包装量	500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	80
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs(on) (mΩ) @5Vɢs	14.5
Qɢ (typ) (nC)	2.7
Iᴅ (A)	10
Pulsed Iᴅ (A)	70

更多参数

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1+: ¥ 51.8403 500+: ¥ 50.3159 2000+: ¥ 48.8784

世强仓： 465 (当天发货)

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

技术资料

CAD模型

系列：EPC2102

描述：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：500

订货型号	EPC2102
品牌	EPC
型号系列	EPC2102
品类	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
描述/说明	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	60
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs(on) (mΩ) @5Vɢs	4.9
Qɢ (typ) (nC)	8
Iᴅ (A)	30
Pulsed Iᴅ (A)	220

更多参数

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一支起订

授权代理

1+: ¥ 51.8403 500+: ¥ 50.3159 2000+: ¥ 48.8784

世强仓： 401 (当天发货)

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

技术资料

CAD模型

系列：EPC2103

描述：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：500

订货型号	EPC2103
品牌	EPC
型号系列	EPC2103
品类	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
描述/说明	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	80
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs(on) (mΩ) @5Vɢs	5.5
Qɢ (typ) (nC)	6.5
Iᴅ (A)	30
Pulsed Iᴅ (A)	195

更多参数

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1+: ¥ 53.5311 500+: ¥ 51.9565 2000+: ¥ 50.4722

世强仓： 337 (当天发货)

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

技术资料

CAD模型

系列：EPC2100

描述：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：500

订货型号	EPC2100
品牌	EPC
型号系列	EPC2100
品类	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
描述/说明	Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	30
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs(on) (mΩ) @5Vɢs	8.2
Qɢ (typ) (nC)	3.6
Iᴅ (A)	10
Pulsed Iᴅ (A)	100

更多参数

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1+: ¥ 53.5311 500+: ¥ 51.9565 2000+: ¥ 50.4722

世强仓： 316 (当天发货)

品类：小型中功率继电器

系列：GAN

描述：小型中功率继电器,10A触点切换能力,线圈与触点间介质耐压5KV,常开型:爬电距离8mm,可提供2.0mm触点间隙规格的产品,有镀金触点型,塑封型和预焊剂型可供选择,配有多种插座可供选择,环保产品(RoHs),外形尺寸:(29×12.5×25.1)mm

封装/外壳/尺寸：(29×12.5×25.1)mm

最小包装量：1,500

订货型号	GAN-2A-12DHG2
品牌	高登继电器
型号系列	GAN
品类	小型中功率继电器
描述/说明	小型中功率继电器,10A触点切换能力,线圈与触点间介质耐压5KV,常开型:爬电距离8mm,可提供2.0mm触点间隙规格的产品,有镀金触点型,塑封型和预焊剂型可供选择,配有多种插座可供选择,环保产品(RoHs),外形尺寸:(29×12.5×25.1)mm
封装/外壳/尺寸	(29×12.5×25.1)mm
最小包装量	1,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
最大负载电压（VAC）	250VAC
最大负载电流（A)	10A
线圈电压(VDC)	12VDC
线圈功率（直流）（W）	1.4W
触点形式	2A两组常开
密封形式	塑封防尘型

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授权代理

1+: ¥ 6.2572 100+: ¥ 5.8400 500+: ¥ 5.4750

世强仓： 10 (当天发货)

品类：Power Packaged Transistor;GaN HEMT on SiC

技术资料

CAD模型

系列：CHK015A-QIA

描述：...Power Packaged Transistor,GaN HEMT on SiC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。

封装/外壳/尺寸：QFN

最小包装量：25

订货型号	CHK015A-QIA
品牌	UMS
型号系列	CHK015A-QIA
品类	Power Packaged Transistor;GaN HEMT on SiC
描述/说明	...Power Packaged Transistor,GaN HEMT on SiC,非完整下单ON,需要加包装尾缀。
封装/外壳/尺寸	QFN
最小包装量	25
包装形式
生命周期	不推荐用于新设计(NRND/NFND)
停产时间
Frequency (GHz)	Up to 6
Saturated Power (W)	15
Glin (dB)	13 @ 6GHz
PAE (%)	50 @ 3GHz
Bias (A)	0.1
Bias (V)	50

更多参数

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授权代理

¥ 415.9603

世强仓： 17 (当天发货)

品类：GaN Predriver

系列：TPM2025Q

描述：...Automotive Dual-Channel Ultra-Highspeed GaN Predriver

封装/外壳/尺寸：QFN2X2-10

最小包装量：3,000

订货型号	TPM2025Q-FC1R-S
品牌	思瑞浦
型号系列	TPM2025Q
品类	GaN Predriver
描述/说明	...Automotive Dual-Channel Ultra-Highspeed GaN Predriver
封装/外壳/尺寸	QFN2X2-10
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VCC Quiescent Current [Typ]	105μA
VCC Operating Current [Typ]	40mA
Supply Under Voltage Lock Out rising threshold [Typ]	4.18V
Supply Under Voltage Lock Out falling hysteresis [Typ]	85mV

更多参数

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世强自营

一支起订

授权代理

1+: ¥ 16.8000 100+: ¥ 15.6000 1000+: ¥ 14.4000

世强仓： 65 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2252

描述：Enhancement Mode Power Transistor

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2252
品牌	EPC
型号系列	EPC2252
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (V)	80V
Vɢs (max) (V)	6
Iᴅ (A)	8.2
Operating Temperature (℃)	-40 to 150
Qɢ (typ) (nC)	3.5
Qɢs (typ) (nC)	1.0
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.5
Qᴏss (typ) (nC)	15

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

原厂认证

世强自营

一支起订

授权代理

1+: ¥ 7.1077 2500+: ¥ 6.8477 10000+: ¥ 6.6520

世强仓： 16,525 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2016C

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：LGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2016C
品牌	EPC
型号系列	EPC2016C
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	LGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	16
Qɢ (typ) (nC)	3.4
Qɢs (typ) (nC)	1.1
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.55
Qᴏss (typ) (nC)	16
Iᴅ (A)	18
Pulsed Iᴅ (A)	75

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

原厂认证

世强自营

一支起订

授权代理

1+: ¥ 9.6138 2500+: ¥ 9.3312 10000+: ¥ 9.0645

世强仓： 7,689 (当天发货)

品类：Enhancement-Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2052

描述：Enhancement-Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2052
品牌	EPC
型号系列	EPC2052
品类	Enhancement-Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement-Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	13.5
Qɢ (typ) (nC)	3.5
Qɢs (typ) (nC)	1.5
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.5
Qᴏss (typ) (nC)	13
Iᴅ (A)	8.2
Pulsed Iᴅ (A)	74

更多参数

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原厂认证

世强自营

一支起订

授权代理

1+: ¥ 6.2063 2500+: ¥ 6.0240 10000+: ¥ 5.8518

世强仓： 6,406 (当天发货)

品类：Power Transistor

系列：EPC2212

描述：Automotive 100 V (D-S) Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：LGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2212
品牌	EPC
型号系列	EPC2212
品类	Power Transistor
描述/说明	Automotive 100 V (D-S) Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	LGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	13.5
Qɢ (typ) (nC)	3.2
Qɢs (typ) (nC)	0.9
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.6
Qᴏss (typ) (nC)	18
Iᴅ (A)	18
Pulsed Iᴅ (A)	75

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

原厂认证

世强自营

一支起订

授权代理

1+: ¥ 11.6826 2500+: ¥ 11.3389 10000+: ¥ 11.0153

世强仓： 4,743 (当天发货)

品类：Laser Driver

系列：EPC21601

描述：40 V, 10 A ePower™ Stage Laser Driver

最小包装量：2,500

订货型号	EPC21601
品牌	EPC
型号系列	EPC21601
品类	Laser Driver
描述/说明	40 V, 10 A ePower™ Stage Laser Driver
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs(max) (V)	40
Vɢs(max) (V)	5
Qɢ(typ) (nC)	0.69
Qᴏss(typ) (nC)	1.2
ID (A)	3.4
Pulsed ID(A)	10

更多参数

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世强仓： 4,474 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2038

描述：Enhancement Mode Power Transistor with Integrated Reverse Gate Clamp Diode

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2038
品牌	EPC
型号系列	EPC2038
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor with Integrated Reverse Gate Clamp Diode
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	3300
Qɢ (typ) (nC)	0.044
Qɢs (typ) (nC)	0.02
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.004
Qᴏss (typ) (nC)	0.134
Iᴅ (A)	0.5
Pulsed Iᴅ (A)	0.5

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世强仓： 4,415 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2007C

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：LGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2007C
品牌	EPC
型号系列	EPC2007C
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	LGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	30
Qɢ (typ) (nC)	1.6
Qɢs (typ) (nC)	0.6
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.3
Qᴏss (typ) (nC)	8.3
Iᴅ (A)	6
Pulsed Iᴅ (A)	40

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世强仓： 3,997 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2040

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2040
品牌	EPC
型号系列	EPC2040
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	15
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	30
Qɢ (typ) (nC)	0.745
Qɢs (typ) (nC)	0.23
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.14
Qᴏss (typ) (nC)	0.42
Iᴅ (A)	3.4
Pulsed Iᴅ (A)	28

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品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2308

描述：Enhancement Mode Power Transistor;VDS:150V;RDS(on):6mΩ max

最小包装量：3,000

订货型号	EPC2308
品牌	EPC
型号系列	EPC2308
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor;VDS:150V;RDS(on):6mΩ max
封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDS	150 V
RDS(on)	6 mΩ max
ID	48 A
脉冲 ID	157 A
Operating Temperature	-40℃ to 150℃

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品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2306

描述：Enhancement Mode Power Transistor;VDS :100V;RDS(on):3.8mΩ max

最小包装量：3,000

订货型号	EPC2306
品牌	EPC
型号系列	EPC2306
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor;VDS :100V;RDS(on):3.8mΩ max
封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDS	100 V
RDS(on)	3.8 mΩ max
ID	48A
Operating Temperature	-40℃ to 150℃

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1+: ¥ 23.6168 3000+: ¥ 22.9220 12000+: ¥ 22.2672

世强仓： 3,000 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2304

描述：Enhancement Mode Power Transistor;VDS:200V;RDS(on):3.1mΩ (typ)

最小包装量：3,000

订货型号	EPC2304
品牌	EPC
型号系列	EPC2304
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor;VDS:200V;RDS(on):3.1mΩ (typ)
封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDS	200 V
RDS(on)	3.1 mΩ typ
Operating Temperature	-40℃ to 150℃

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1+: ¥ 40.5432 3000+: ¥ 39.3508 12000+: ¥ 38.2269

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品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2307

描述：Enhancement Mode Power Transistor;VDS:200V;RDS(on):10mΩ max

最小包装量：3,000

订货型号	EPC2307
品牌	EPC
型号系列	EPC2307
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor;VDS:200V;RDS(on):10mΩ max
封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDS	200 V
RDS(on)	10 mΩ max
ID	48 A
脉冲 ID	130 A
Operating Temperature	-40℃ to 150℃

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1+: ¥ 29.3942 3000+: ¥ 28.5295 12000+: ¥ 27.7142

世强仓： 2,900 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2014C

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：LGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2014C
品牌	EPC
型号系列	EPC2014C
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	LGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	40
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	16
Qɢ (typ) (nC)	2
Qɢs (typ) (nC)	0.7
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.3
Qᴏss (typ) (nC)	4
Iᴅ (A)	10
Pulsed Iᴅ (A)	60

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1+: ¥ 5.4353 2500+: ¥ 5.1159 10000+: ¥ 4.9696

世强仓： 2,854 (当天发货)

品类：Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2204A

描述：Automotive 80 V (D-S) Enhancement Mode Power Transistor

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2204A
品牌	EPC
型号系列	EPC2204A
品类	Mode Power Transistor
描述/说明	Automotive 80 V (D-S) Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDS	80 V
ID	29 A
Operating Temperature	-40℃ to 150℃
RDS(on)	6 mΩ max

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1+: ¥ 11.4534 2500+: ¥ 11.1165 10000+: ¥ 10.7989

世强仓： 2,470 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2015C

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：LGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2015C
品牌	EPC
型号系列	EPC2015C
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	LGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	40
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	4
Qɢ (typ) (nC)	8.7
Qɢs (typ) (nC)	2.7
Qɢᴅ (typ) (nC)	1.2
Qᴏss (typ) (nC)	19
Iᴅ (A)	53
Pulsed Iᴅ (A)	235

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1+: ¥ 18.1807 2500+: ¥ 17.6464 10000+: ¥ 17.1421

世强仓： 2,424 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2044

描述：Enhancement Mode Power Transistor

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2044
品牌	EPC
型号系列	EPC2044
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Iᴅ (A)	9.4
Operating Temperature (℃)	-40 to 150
Qɢ (typ) (nC)	4.3
Qɢs (typ) (nC)	1.3
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.5
Qᴏss (typ) (nC)	15

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1+: ¥ 7.7600 2500+: ¥ 7.5325 10000+: ¥ 7.3168

世强仓： 2,350 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2037

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2037
品牌	EPC
型号系列	EPC2037
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	550
Qɢ (typ) (nC)	0.115
Qɢs (typ) (nC)	0.032
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.025
Qᴏss (typ) (nC)	0.6
Iᴅ (A)	1.7
Pulsed Iᴅ (A)	2.4

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¥ 4.4127

世强仓： 2,340 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2219

描述：Enhancement Mode Power Transistor

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2219
品牌	EPC
型号系列	EPC2219
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (V)	65
Vɢs (max) (V)	5.75
Iᴅ (A)	0.5
Operating Temperature (℃)	-40 to 150
Qɢ (typ) (nC)	49
Qɢs (typ) (nC)	23
Qɢᴅ (typ) (nC)	3.7
Qᴏss (typ) (nC)	114

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1+: ¥ 4.7480 2500+: ¥ 4.6083 10000+: ¥ 4.4771

世强仓： 2,300 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2110

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2110
品牌	EPC
型号系列	EPC2110
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	120
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	110
Qɢ (typ) (nC)	0.8
Qɢs (typ) (nC)	0.25
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.18
Qᴏss (typ) (nC)	4
Iᴅ (A)	3.4
Pulsed Iᴅ (A)	20

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1+: ¥ 8.8838 2500+: ¥ 8.6229 10000+: ¥ 8.3763

世强仓： 2,286 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2010C

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：LGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2010C
品牌	EPC
型号系列	EPC2010C
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	LGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	200
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	25
Qɢ (typ) (nC)	3.7
Qɢs (typ) (nC)	1.3
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.7
Qᴏss (typ) (nC)	40
Iᴅ (A)	22
Pulsed Iᴅ (A)	90

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1+: ¥ 28.7193 2500+: ¥ 27.8748 10000+: ¥ 27.0779

世强仓： 2,268 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2019

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：LGA

最小包装量：1,000

订货型号	EPC2019
品牌	EPC
型号系列	EPC2019
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	LGA
最小包装量	1,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	200
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	42
Qɢ (typ) (nC)	2.4
Qɢs (typ) (nC)	0.8
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.6
Qᴏss (typ) (nC)	20
Iᴅ (A)	8.5
Pulsed Iᴅ (A)	45

更多参数

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1+: ¥ 16.4857 1000+: ¥ 16.0007 4000+: ¥ 15.5433

世强仓： 1,973 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2045

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2045
品牌	EPC
型号系列	EPC2045
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	7
Qɢ (typ) (nC)	6
Qɢs (typ) (nC)	1.9
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.8
Qᴏss (typ) (nC)	25
Iᴅ (A)	16
Pulsed Iᴅ (A)	130

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1+: ¥ 21.7923 2500+: ¥ 21.1517 10000+: ¥ 20.5472

世强仓： 1,969 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2070

描述：Enhancement Mode Power Transistor

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2070
品牌	EPC
型号系列	EPC2070
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Iᴅ (A)	1.7
Operating Temperature (℃)	-40 to 150
Qɢ (typ) (nC)	1.9
Qɢs (typ) (nC)	0.6
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.2
Qᴏss (typ) (nC)	6

更多参数

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1+: ¥ 5.4972 2500+: ¥ 5.3358 10000+: ¥ 5.1837

世强仓： 1,812 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2619

描述：100V、4.2mΩ Enhancement Mode Power Transistor

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2619
品牌	EPC
型号系列	EPC2619
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	100V、4.2mΩ Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDS	100V
RDS(on)	4.2 mΩ max
ID	29 A
Pulsed ID	164 A

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1+: ¥ 15.3059 2500+: ¥ 14.8551 10000+: ¥ 14.4312

世强仓： 1,717 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2022

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：LGA

最小包装量：500

订货型号	EPC2022
品牌	EPC
型号系列	EPC2022
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	LGA
最小包装量	500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	3.2
Qɢ (typ) (nC)	13.2
Qɢs (typ) (nC)	3.4
Qɢᴅ (typ) (nC)	2.4
Qᴏss (typ) (nC)	71
Iᴅ (A)	90
Pulsed Iᴅ (A)	390

更多参数

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限量优惠售完即止

限量折扣

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一支起订

授权代理

¥ 33.9775

世强仓： 1,182 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2067

描述：Enhancement Mode Power Transistor

最小包装量：1,000

订货型号	EPC2067
品牌	EPC
型号系列	EPC2067
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸
最小包装量	1,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (V)	40
Vɢs (max) (V)	6
Iᴅ (A)	69
Operating Temperature (℃)	–40 to 150
Qɢ (typ) (nC)	17.1
Qɢs (typ) (nC)	5.3
Qɢᴅ (typ) (nC)	2
Qᴏss (typ) (nC)	37

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一支起订

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1+: ¥ 21.8934 1000+: ¥ 21.2496 4000+: ¥ 20.6425

世强仓： 975 (当天发货)

品类：Power Transistor

系列：EPC2207

描述：200 V, 22 mΩ @ 5VGS, 2.8 mm x 0.925 mm

封装/外壳/尺寸：LGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2207
品牌	EPC
型号系列	EPC2207
品类	Power Transistor
描述/说明	200 V, 22 mΩ @ 5VGS, 2.8 mm x 0.925 mm
封装/外壳/尺寸	LGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	200
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	22
Qɢ (typ) (nC)	4.5
Qɢs (typ) (nC)	1.3
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.7
Qᴏss (typ) (nC)	23
Iᴅ (A)	14
Pulsed Iᴅ (A)	54

更多参数

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一支起订

授权代理

1+: ¥ 14.1168 2500+: ¥ 13.7012 10000+: ¥ 13.3098

世强仓： 917 (当天发货)

品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2214

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2214
品牌	EPC
型号系列	EPC2214
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	80
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	20
Qɢ (typ) (nC)	1.8
Qɢs (typ) (nC)	0.5
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.3
Qᴏss (typ) (nC)	8
Iᴅ (A)	10
Pulsed Iᴅ (A)	47

更多参数

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品类：Enhancement-Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2050

描述：Enhancement-Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：1

订货型号	EPC2050
品牌	EPC
型号系列	EPC2050
品类	Enhancement-Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement-Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	350
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	80
Qɢ (typ) (nC)	2.8
Qɢs (typ) (nC)	1.3
Qɢᴅ (typ) (nC)	0.3
Qᴏss (typ) (nC)	35
Iᴅ (A)	6.3
Pulsed Iᴅ (A)	26

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品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2206

描述：Automotive 80 V (D-S) Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：LGA

最小包装量：500

订货型号	EPC2206
品牌	EPC
型号系列	EPC2206
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Automotive 80 V (D-S) Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	LGA
最小包装量	500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	80
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	2.2
Qɢ (typ) (nC)	15
Qɢs (typ) (nC)	4.1
Qɢᴅ (typ) (nC)	3
Qᴏss (typ) (nC)	72
Iᴅ (A)	90
Pulsed Iᴅ (A)	390

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品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2065

描述：Enhancement Mode Power Transistor

最小包装量：1,000

订货型号	EPC2065
品牌	EPC
型号系列	EPC2065
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸
最小包装量	1,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (V)	80
Vɢs (max) (V)	6
Iᴅ (A)	60
Operating Temperature (℃)	–40 to 150
Qɢ (typ) (nC)	9.4
Qɢs (typ) (nC)	2.6
Qɢᴅ (typ) (nC)	1.7
Qᴏss (typ) (nC)	33

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品类：Enhancement Mode Power Transistor

技术资料

CAD模型

系列：EPC2021

描述：Enhancement Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：LGA

最小包装量：1,000

订货型号	EPC2021
品牌	EPC
型号系列	EPC2021
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	LGA
最小包装量	1,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	80
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	2.2
Qɢ (typ) (nC)	15
Qɢs (typ) (nC)	4.1
Qɢᴅ (typ) (nC)	3
Qᴏss (typ) (nC)	72
Iᴅ (A)	90
Pulsed Iᴅ (A)	390

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品类：Enhancement Mode Power Transistor

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CAD模型

系列：EPC2053

描述：Enhancement-Mode Power Transistor

封装/外壳/尺寸：BGA

最小包装量：2,500

订货型号	EPC2053
品牌	EPC
型号系列	EPC2053
品类	Enhancement Mode Power Transistor
描述/说明	Enhancement-Mode Power Transistor
封装/外壳/尺寸	BGA
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Vᴅs (max) (V)	100
Vɢs (max) (V)	6
Max Rᴅs (on) (mΩ) @5Vɢs	3.8
Qɢ (typ) (nC)	11.4
Qɢs (typ) (nC)	4.1
Qɢᴅ (typ) (nC)	1.5
Qᴏss (typ) (nC)	45
Iᴅ (A)	48
Pulsed Iᴅ (A)	246

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