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在市场中找到“无锡紫光微 Super-junction Power MOSFET”的结果1128条

型号/品牌参数供应商价格库存代理服务

NCE65R360F

品牌：NCE

品类：N-Channel Super Junction Power MOSFET

技术资料

CAD模型

系列：NCE65R360F

描述：...series of devices use advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.

封装/外壳/尺寸：TO-220F

最小包装量：50

订货型号	NCE65R360F
品牌	NCE
型号系列	NCE65R360F
品类	N-Channel Super Junction Power MOSFET
描述/说明	...series of devices use advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.
封装/外壳/尺寸	TO-220F
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
VDS	650 V
VGS	±30 V
ID (DC)Continuous Drain Current at Tc=25°C	11A
ID (DC)Continuous Drain Current at Tc=100°C	7A
Pulsed drain current	33A
Maximum Power Dissipation(Tc=25℃) Derate above 25°C	32.7W(0.26W/°C)
EAS	280 mJ
IAR	5.5 A
EAR	0.5 mJ

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东莞市源心电子科技有限公司

¥ 1.7600

东莞仓： 2,685 (约3个工作日)

批次： 2017+

品类：Power Supply Supervison

技术资料

系列：IMP810TEUR

描述：Power Supply Supervison,Voltage:3.08V,贴片,封装:SOT-23-3

封装/外壳/尺寸：SOT-23-3

最小包装量：1

订货型号	IMP810TEUR-T
品牌	日银微电子
型号系列	IMP810TEUR
品类	Power Supply Supervison
描述/说明	Power Supply Supervison,Voltage:3.08V,贴片,封装:SOT-23-3
封装/外壳/尺寸	SOT-23-3
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间

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北京爱博精电科技有限公司

¥ 2.7500

北京仓： 2,468 (约7个工作日)

批次： 5年内

品类：MOSFET

系列：RSF015N06

描述：Nch 60V 1.5A Power MOSFET

封装/外壳/尺寸：TUMT3

最小包装量：100

订货型号	RSF015N06FRATL
品牌	ROHM
型号系列	RSF015N06
品类	MOSFET
描述/说明	Nch 60V 1.5A Power MOSFET
封装/外壳/尺寸	TUMT3
最小包装量	100
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Polarity	Nch
Drain-Source Voltage VDSS [V]	60V
Drain Current ID [A]	1.5A
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)	0.255Ω
Drive Voltage [V]	4V
Total gate charge Qg [nC]	2nC
Common Standard	AEC-Q101 (Automotive Grade)

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北醒（北京）光子科技有限公司

¥ 1.6800

北京仓： 3,082 (约3个工作日)

批次： 2020+

品类：Power MOSFET

系列：4N60-ML

描述：4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

封装/外壳/尺寸：TO-220

最小包装量：50

订货型号	4N60L-TA3-T
品牌	UTC
型号系列	4N60-ML
品类	Power MOSFET
描述/说明	4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
封装/外壳/尺寸	TO-220
最小包装量	50
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Drain-Source Voltage	600V
Gate-Source Voltage	±30V
Avalanche Current	4A

更多参数

东莞市源心电子科技有限公司

¥ 0.6400

东莞仓： 7,500 (约3个工作日)

批次： 5年内

品类：IC

系列：CSD25304W1015

描述：MOSFET,LF,CSD25304W1015,20V P-CHANNEL POWER MOSFET,6 PIN DSBGA,TI,MSD=1

最小包装量：2,500

订货型号	CSD25304W1015
品牌	TI
型号系列	CSD25304W1015
品类	IC
描述/说明	MOSFET,LF,CSD25304W1015,20V P-CHANNEL POWER MOSFET,6 PIN DSBGA,TI,MSD=1
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间

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开云手机入口平台（代售）

¥ 1.5000

深圳仓： 1,900 (约3个工作日)

批次： 2021+

品类：MOSFET

系列：WPM3407

描述：Single P-Channel, -30V, -4.4A,Power MOSFET

封装/外壳/尺寸：SOT 23-3

最小包装量：3,000

订货型号	WPM3407-3/TR
品牌	WILLSEMI
型号系列	WPM3407
品类	MOSFET
描述/说明	Single P-Channel, -30V, -4.4A,Power MOSFET
封装/外壳/尺寸	SOT 23-3
最小包装量	3,000
包装形式	卷带包装
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Drain-Source Voltage	-30V
Gate-Source Voltage	±20V
Pulsed Drain Current	-20A

更多参数

利尔达科技集团股份有限公司

¥ 0.2389

杭州仓： 1,843 (约3个工作日)

批次： 2021+

品类：MOSFET

系列：WNM2016

描述：N-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET

封装/外壳/尺寸：SOT-23

最小包装量：3,000

订货型号	WNM2016-3/TR
品牌	WILLSEMI
型号系列	WNM2016
品类	MOSFET
描述/说明	N-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET
封装/外壳/尺寸	SOT-23
最小包装量	3,000
包装形式	卷带包装
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Drain-Source Voltage	20V
Gate-Source Voltage	±8V
Pulsed Drain Current	10A

更多参数

利尔达科技集团股份有限公司

¥ 0.1440

杭州仓： 1,834 (约3个工作日)

批次： 2021+

品类：N-Channel Advanced Power MOSFET

技术资料

系列：VSP007N06MS-G

描述：65V/75A N-Channel Advanced Power MOSFET

封装/外壳/尺寸：PDFN5X6

最小包装量：3,000

订货型号	VSP007N06MS-G
品牌	威兆半导体
型号系列	VSP007N06MS-G
品类	N-Channel Advanced Power MOSFET
描述/说明	65V/75A N-Channel Advanced Power MOSFET
封装/外壳/尺寸	PDFN5X6
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
BVDSS	65V
VGS	±20V
VTH	1.3~2.5V
ID	75A
Ciss(Freq=1MHz)	1950pF
Coss(Freq=1MHz)	840pF
Crss(Freq=1MHz)	35pF

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世强先进（深圳）科技股份有限公司

库存处理

超低价格

¥ 3.4167

世强仓： 30 (约1个工作日)

品类：N-Channel Advanced Power MOSFET

技术资料

系列：VS3640AC

描述：30V/6A N-Channel Advanced Power MOSFET

封装/外壳/尺寸：SOT23

最小包装量：3,000

订货型号	VS3640AC
品牌	威兆半导体
型号系列	VS3640AC
品类	N-Channel Advanced Power MOSFET
描述/说明	30V/6A N-Channel Advanced Power MOSFET
封装/外壳/尺寸	SOT23
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
BVDSS	30V
VGS	±20V
VTH	1.0~2.5V
ID	6A
Ciss(Freq=1MHz)	455pF
Coss(Freq=1MHz)	75pF
Crss(Freq=1MHz)	55pF

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

库存处理

超低价格

¥ 0.2334

世强仓： 10 (约1个工作日)

品类：Gate Driver

系列：NSi6601M

描述：...gate driver designed to drive IGBTs, power MOSFETs and SiC MOSFETs in many applications.

封装/外壳/尺寸：SOP8

最小包装量：2,500

订货型号	NSI6601MC-DSPR
品牌	纳芯微电子
型号系列	NSi6601M
品类	Gate Driver
描述/说明	...gate driver designed to drive IGBTs, power MOSFETs and SiC MOSFETs in many applications.
封装/外壳/尺寸	SOP8
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Isolation Rating(kV)	3kV
UVLO Level	12V
MSL	3
AEC-Q100	NO
Input side supply voltage(V)	3.1V to 17V
Minimum CMTI(kV/us)	±150kV/us
Package Type	SOP8(150 mil)

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

库存处理

超低价格

1+: ¥ 5.4400 500+: ¥ 5.1000 2500+: ¥ 4.8000

世强仓： 30 (约1个工作日)

品类：Gate Driver

系列：NSD1624

描述：...deliver 4A source and sink current to drive power MOSFETsor IGBTs

封装/外壳/尺寸：SOP8(150mil)

最小包装量：2,500

订货型号	NSD1624-DSPR
品牌	纳芯微电子
型号系列	NSD1624
品类	Gate Driver
描述/说明	...deliver 4A source and sink current to drive power MOSFETsor IGBTs
封装/外壳/尺寸	SOP8(150mil)
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Supply Voltage	10V~17V
operating temperature	-40°C to 125°C
High Side SW Pin Voltage	-700V~700V

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

库存处理

超低价格

1+: ¥ 4.5334 500+: ¥ 4.2500 2500+: ¥ 4.0000

世强仓： 9 (约1个工作日)

品类：绝缘栅场效应管;MOSFET

系列：FDMC8882

描述：N- chamnel power trench MOSFET 30V 16A 14.30mΩ

最小包装量：3,000

订货型号	FDMC8882
品牌	ONSEMI
型号系列	FDMC8882
品类	绝缘栅场效应管;MOSFET
描述/说明	N- chamnel power trench MOSFET 30V 16A 14.30mΩ
封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间

更多参数

广东大普通信技术股份有限公司

¥ 2.3000

东莞仓： 57,000 (约3个工作日)

批次： 3年内

品类：绝缘栅场效应管;MOSFET

系列：FDMS7694

描述：N 沟道,PowerTrench MOSFET,307,9.5mΩ

最小包装量：3,000

订货型号	FDMS7694
品牌	ONSEMI
型号系列	FDMS7694
品类	绝缘栅场效应管;MOSFET
描述/说明	N 沟道,PowerTrench MOSFET,307,9.5mΩ
封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间

更多参数

广东大普通信技术股份有限公司

¥ 1.9800

东莞仓： 24,000 (约3个工作日)

批次： 5年内

品类：MOSFET;Power MOSFET

技术资料

CAD模型

系列：NCE6080K

描述：NCE6080K,封装:TO-252,V(BR)DSS(V):60,ID(A):80,PD(W):110

封装/外壳/尺寸：TO-252

最小包装量：1

订货型号	NCE6080K
品牌	NCE
型号系列	NCE6080K
品类	MOSFET;Power MOSFET
描述/说明	NCE6080K,封装:TO-252,V(BR)DSS(V):60,ID(A):80,PD(W):110
封装/外壳/尺寸	TO-252
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
ESD	NO
V(BR)DSS (V)	60
ID (A)	80
PD (W)	110
VGS (V)	±20
VTH(V)Typ	2.8
RDS(on) (mΩ)@VGS=10V Typ	7
RDS(on) (mΩ)@VGS=10V Max	8.5;9
Configuration	Single

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苏州天准科技股份有限公司

¥ 1.0100

苏州仓： 55,183 (约4个工作日)

批次： 2021+

品类：N-Channel Super Trench MOSFET-I MOSFET

技术资料

CAD模型

系列：NCEP60T12A

描述：...Super Trench MOSFET-I MOSFET,工业级,BVDSS(V):60,ID(A):120

封装/外壳/尺寸：TO-220

最小包装量：1

订货型号	NCEP60T12A
品牌	NCE
型号系列	NCEP60T12A
品类	N-Channel Super Trench MOSFET-I MOSFET
描述/说明	...Super Trench MOSFET-I MOSFET,工业级,BVDSS(V):60,ID(A):120
封装/外壳/尺寸	TO-220
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
车规级/工业级	工业级
Technology	SGT-I
Polarity	N
BVDSS(V)	60
ID(A)	120
VTH(V)	1.7
RDS(ON)@10V Typ(mΩ)	3.5
RDS(ON)@10V Max(mΩ)	4
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)	4
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)	5
VGS(th)(V)	±20
CISS(pF)	4000
QG(nC)	67
PD(W)	180

更多参数

东莞市源心电子科技有限公司

¥ 1.3600

东莞仓： 2,723 (约3个工作日)

批次： 5年内

品类：N-Channel Super Trench MOSFET-I MOSFET

技术资料

CAD模型

系列：NCEP0135AK

描述：...Super Trench MOSFET-I MOSFET,工业级,BVDSS(V):100,ID(A):35

封装/外壳/尺寸：TO-252

最小包装量：1

订货型号	NCEP0135AK
品牌	NCE
型号系列	NCEP0135AK
品类	N-Channel Super Trench MOSFET-I MOSFET
描述/说明	...Super Trench MOSFET-I MOSFET,工业级,BVDSS(V):100,ID(A):35
封装/外壳/尺寸	TO-252
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
车规级/工业级	工业级
Technology	SGT-I
Polarity	N
BVDSS(V)	100
ID(A)	35
VTH(V)	2
RDS(ON)@10V Typ(mΩ)	18
RDS(ON)@10V Max(mΩ)	23
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)	22
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)	27
VGS(th)(V)	±20
CISS(pF)	1450
QG(nC)	25
PD(W)	70

更多参数

九号商用（北京）科技有限公司

¥ 1.1700

北京仓： 2,000 (约2个工作日)

批次： 5年内

品类：MOSFET

系列：2SK3298B

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,000

订货型号	2SK3298B-S17-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3298B
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 1.4020

世强仓： 196,984 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SJ598

描述：P-ch power MOSFET

最小包装量：2,500

订货型号	2SJ598-ZK-E1-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SJ598
品类	MOSFET
描述/说明	P-ch power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
高度	2.65 mm
长度	6.5 mm
宽度	6.1 mm

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.2200

世强仓： 155,504 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SJ598

描述：P-ch power MOSFET

最小包装量：5,040

订货型号	2SJ598-S15-AZ
品牌	RENESAS
型号系列	2SJ598
品类	MOSFET
描述/说明	P-ch power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	5,040
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.2140

世强仓： 98,429 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK3455B

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,000

订货型号	2SK3455B-S17-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3455B
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.4480

世强仓： 70,020 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK4145

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：1,000

订货型号	2SK4145-S19-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK4145
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	1,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.4180

世强仓： 58,195 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK3114B

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,000

订货型号	2SK3114B-S17-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3114B
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.2600

世强仓： 31,360 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK3305B

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：1,000

订货型号	2SK3305B-S19-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3305B
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	1,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.8340

世强仓： 27,370 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK3299B

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,000

订货型号	2SK3299B-S19-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3299B
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.4920

世强仓： 20,200 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK3325B

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,000

订货型号	2SK3325B-S19-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3325B
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.9160

世强仓： 15,203 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK4202

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,000

订货型号	2SK4202-S19-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK4202
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.3860

世强仓： 15,000 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK3483

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,500

订货型号	2SK3483-ZK-E1-AZ
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3483
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.3080

世强仓： 11,726 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK3114

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：200

订货型号	2SK3114-AZ
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3114
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	200
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.6200

世强仓： 8,020 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK3484(1)

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：6,750

订货型号	2SK3484(1)-S27-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3484(1)
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	6,750
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.2900

世强仓： 7,183 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK3434B

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：5,000

订货型号	2SK3434B-S19-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3434B
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	5,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.6740

世强仓： 5,000 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK4079A(1)

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：3,000

订货型号	2SK4079A(1)-T1B-AT
品牌	RENESAS
型号系列	2SK4079A(1)
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.1200

世强仓： 3,000 (约1个工作日)

品类：晶体管

系列：NP50N04YUK-E1-AY;NP50N04YUK

描述：MOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET

封装/外壳/尺寸：8-PowerLDFN

最小包装量：2,500

订货型号	NP50N04YUK-E1-AY
品牌	RENESAS
型号系列	NP50N04YUK-E1-AY;NP50N04YUK
品类	晶体管
描述/说明	MOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
封装/外壳/尺寸	8-PowerLDFN
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3200 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W（Ta），97W（Tc）
工作温度	175°C
安装类型	表面贴装型

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¥ 4.5072

世强仓： 2,500 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK4075B

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,500

订货型号	2SK4075B-ZK-E1-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK4075B
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,500
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

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¥ 0.2680

世强仓： 2,344 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK3481

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,000

订货型号	2SK3481-AZ
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3481
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

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品类：驱动器

系列：ISL89410

描述：High Speed, Dual Channel Power MOSFET Drivers

最小包装量：1,940

订货型号	ISL89410IBZ
品牌	RENESAS
型号系列	ISL89410
品类	驱动器
描述/说明	High Speed, Dual Channel Power MOSFET Drivers
封装/外壳/尺寸
最小包装量	1,940
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Power voltage	from 4.5V to 18V
Supply (V+ to GND)	19.0V
Input Pins	-0.3V to +0.3V above V+
Combined Peak Output Current	4A

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¥ 8.1948

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品类：MOSFET

系列：2SK3326B

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,000

订货型号	2SK3326B-S17-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3326B
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

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¥ 0.7380

世强仓： 1,885 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK4201

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,000

订货型号	2SK4201-S19-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK4201
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

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¥ 2.0740

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RBAZ45N10ESNS-3UAZZ#YJ1

品牌：RENESAS

品类：AUTOMOTIVE MOS

技术资料

系列：RBAZ45N10ESNS-3UAZZ

描述：Power:Power MOSFETs for Automotive

最小包装量：1

订货型号	RBAZ45N10ESNS-3UAZZ#YJ1
品牌	RENESAS
型号系列	RBAZ45N10ESNS-3UAZZ
品类	AUTOMOTIVE MOS
描述/说明	Power:Power MOSFETs for Automotive
封装/外壳/尺寸
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间

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¥ 36.8084

世强仓： 850 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：NP179N055TUK-E1-AY;NP179N055TUK

描述：55 V – 180 A – N-channel Power MOS FET

封装/外壳/尺寸：TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

最小包装量：800

订货型号	NP179N055TUK-E1-AY
品牌	RENESAS
型号系列	NP179N055TUK-E1-AY;NP179N055TUK
品类	MOSFET
描述/说明	55 V – 180 A – N-channel Power MOS FET
封装/外壳/尺寸	TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
最小包装量	800
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.75 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	13950 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），288W（Tc）
工作温度	175°C
安装类型	表面贴装型

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¥ 27.6532

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品类：晶体管

系列：NP110N04PUK-E1-AY;NP110N04PUK

描述：Analog:IDT Nch Single Power MOSFET Automotive

封装/外壳/尺寸：TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

最小包装量：800

订货型号	NP110N04PUK-E1-AY
品牌	RENESAS
型号系列	NP110N04PUK-E1-AY;NP110N04PUK
品类	晶体管
描述/说明	Analog:IDT Nch Single Power MOSFET Automotive
封装/外壳/尺寸	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
最小包装量	800
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.4 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	297 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	15750 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），348W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型

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¥ 11.9820

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品类：MOSFET

系列：NP100N04PUK-E1-AY;NP100N04PUK

描述：...Single Power MOSFET 40V 100A 2.3mohm MP-25ZP/TO-263 Automotive

封装/外壳/尺寸：TO-263-4,D²Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA

最小包装量：800

订货型号	NP100N04PUK-E1-AY
品牌	RENESAS
型号系列	NP100N04PUK-E1-AY;NP100N04PUK
品类	MOSFET
描述/说明	...Single Power MOSFET 40V 100A 2.3mohm MP-25ZP/TO-263 Automotive
封装/外壳/尺寸	TO-263-4,D²Pak(3 引线 + 接片),TO-263AA
最小包装量	800
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7050 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），176W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型

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¥ 9.2651

世强仓： 800 (约1个工作日)

品类：晶体管

系列：NP109N055PUK-E1-AY;NP109N055PUK

描述：Power:Power MOSFETs for Automotive

封装/外壳/尺寸：TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

最小包装量：800

订货型号	NP109N055PUK-E1-AY
品牌	RENESAS
型号系列	NP109N055PUK-E1-AY;NP109N055PUK
品类	晶体管
描述/说明	Power:Power MOSFETs for Automotive
封装/外壳/尺寸	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
最小包装量	800
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.2 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	189 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	11250 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），250W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型

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¥ 15.2440

世强仓： 800 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：NP100N055PUK-E1-AY;NP100N055PUK

描述：...Single Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm MP-25ZP/TO-263 Automotive

封装/外壳/尺寸：TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

最小包装量：800

订货型号	NP100N055PUK-E1-AY
品牌	RENESAS
型号系列	NP100N055PUK-E1-AY;NP100N055PUK
品类	MOSFET
描述/说明	...Single Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm MP-25ZP/TO-263 Automotive
封装/外壳/尺寸	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
最小包装量	800
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.25 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7350 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），176W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型

更多参数

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超低价格

¥ 11.2720

世强仓： 800 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：NP179N04TUK-E1-AY;NP179N04TUK

描述：Power:Power MOSFETs for Automotive

封装/外壳/尺寸：TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

最小包装量：800

订货型号	NP179N04TUK-E1-AY
品牌	RENESAS
型号系列	NP179N04TUK-E1-AY;NP179N04TUK
品类	MOSFET
描述/说明	Power:Power MOSFETs for Automotive
封装/外壳/尺寸	TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
最小包装量	800
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.25 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	13350 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），288W（Tc）
工作温度	175°C
安装类型	表面贴装型

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限量优惠售完即止

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超低价格

¥ 27.8790

世强仓： 800 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：NP180N055TUK-E1-AY;NP180N055TUK

描述：...Single Power MOSFET 55V 180A 1.4mohm MP-25ZT/7pin TO-263 Automotive

封装/外壳/尺寸：TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

最小包装量：800

订货型号	NP180N055TUK-E1-AY
品牌	RENESAS
型号系列	NP180N055TUK-E1-AY;NP180N055TUK
品类	MOSFET
描述/说明	...Single Power MOSFET 55V 180A 1.4mohm MP-25ZT/7pin TO-263 Automotive
封装/外壳/尺寸	TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
最小包装量	800
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.4 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	294 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	16050 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），348W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型

更多参数

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限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 10.4880

世强仓： 800 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK3116B

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,000

订货型号	2SK3116B-S19-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3116B
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.7900

世强仓： 747 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：2SK3115B

描述：N-channel Power MOSFET

最小包装量：2,000

订货型号	2SK3115B-S17-AY
品牌	RENESAS
型号系列	2SK3115B
品类	MOSFET
描述/说明	N-channel Power MOSFET
封装/外壳/尺寸
最小包装量	2,000
包装形式
生命周期	已停产(EOL)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

限量优惠售完即止

库存处理

超低价格

¥ 0.7200

世强仓： 731 (约1个工作日)

品类：驱动器

系列：EL7212

描述：High Speed, Dual Channel Power MOSFET Drivers

最小包装量：1,000

订货型号	EL7212CNZ
品牌	RENESAS
型号系列	EL7212
品类	驱动器
描述/说明	High Speed, Dual Channel Power MOSFET Drivers
封装/外壳/尺寸
最小包装量	1,000
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
Supply (V+ to Gnd)	16.5V
Input Pins	-0.3V to +0.3V above V+
Combined Peak Output Current	4A
Storage Temperature Range	-65°C to +150°C
Ambient Operating Temperature	-40°C to +85°C

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超低价格

¥ 24.2498

世强仓： 670 (约1个工作日)

品类：MOSFET

系列：NP180N04TUK-E1-AY;NP180N04TUK

描述：...Single Power MOSFET 40V 180A 1.05mohm MP-25ZT/7pin TO-263 Automotive

封装/外壳/尺寸：TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)

最小包装量：800

订货型号	NP180N04TUK-E1-AY
品牌	RENESAS
型号系列	NP180N04TUK-E1-AY;NP180N04TUK
品类	MOSFET
描述/说明	...Single Power MOSFET 40V 180A 1.05mohm MP-25ZT/7pin TO-263 Automotive
封装/外壳/尺寸	TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
最小包装量	800
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.05 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	297 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	15750 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），348W（Tc）
工作温度	175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型

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超低价格

¥ 22.5107

世强仓： 446 (约1个工作日)

品类：POWER TRAIN

系列：R2A25110KSP;SSOP

描述：Power:Power MOSFETs for Automotive

最小包装量：1

订货型号	R2A25110KSP#U52
品牌	RENESAS
型号系列	R2A25110KSP;SSOP
品类	POWER TRAIN
描述/说明	Power:Power MOSFETs for Automotive
封装/外壳/尺寸
最小包装量	1
包装形式
生命周期	有效(ACTIVE)
停产时间

更多参数

世强先进（深圳）科技股份有限公司

库存处理

超低价格

¥ 31.2260

世强仓： 311 (约1个工作日)

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