超级快充
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【IC】圣邦微氮化镓驱动用于激光雷达，开关频率高达60MHz，传播延迟2.5ns ｜视频
圣邦微新推GaN驱动SGM48520XG/TR用于激光雷达，开关频率高达60MHz，传播延时2.5ns。
广告 发布时间 : 2025-03-03
【应用】超级MOS可用于PD快充中，在EMI和效率上拥有出色的性能表现
随着人们生活节奏的加快，快充在充电领域中伴演着非常重要的角色。为了出门携带方便，充电器小型化是必然，提高充电器功率密度已成为重点研究课题。这样就需要提高功率器件的开关频率、使用新的半导体材料和生产工艺。比如超结MOS使用，使用GaN和SiC材料等。
南芯半导体助力OPPO 80W超级闪充车载充电器：具备多重保护功能，轻松实现双口快充
充电头网对OPPO 80W超级闪充车载充电器PCB进行观察，发现OPPO 80W SUPERVOOC车充采用两套独立电路，其中USB-A接口使用降压电路由SOUTHCHIP南芯半导体SC8002同步降压控制器控制降压MOS管，USB-C接口使用同步升降压电路由南芯SC8815同步升降压控制器控制MOS管，双口协议由南芯SC2021A协议芯片控制。
回天新材PAA系列负极胶，让汽车超快充放心使用，提升电池的循环寿命 ∣视频
你的爱车需要超级快充吗？来看看回天新材，如何让你快充，超快充放心使用！
捷捷微电JMSL06系列MOSFETs成功应用于华为“Max 80W”超级无线充电器
近期，华为推出了一款名为“Max 80 W”的超级快充立式无线充电器，最高可支持80W的功率，捷捷微电有6颗JMSL06系列60V耐压、低开启NMOS管应用于此超级快充立式无线充电器中。
必易微电子(KIWI)推出超级快充电源芯片，支持65W大功率PD快充
2020年，必易微电子(KIWI)首次推出了大功率超级快充电源芯片方案 KP2201+KP4050，该方案最大可支持65w输出，搭配Hynetek 协议芯片 HUSB350，适用于超低待机功耗、极速充电的 PD 快充和适配器方案，完美覆盖各种通讯协议的输出电压范围。
超级电容与锂离子电池的内部融合，形成“双轨”储能机制，全面提高电池性能
合盛超快充电池属于超高功率型锂离子电池的范畴。其中心思想就是结合物理储能与化学储能的特性，解决现有锂离子电池的卡脖子问题。 技术路线是通过超级电容与锂离子电池内部融合形成双轨储能机制，借助超级电容超高功率制造技术，解决现有锂离子电池的痛点问题。
【选型】矽力科技（APD-SEMI）PD快充芯片选型指南
矽力科技 - PD快充芯片,PD快充,同步降压转换器,快速关断整流器,快速关断整流器场效应晶体管,PWM控制器,USB充电协议端口控制IC,电流模式PWM控制器,电源模式PWM控制器,AP205B-CV,AP6495,AP5005,AP202SGA,AP205B-CP,AP201LGA,AP205A,AP403B,AP402B,AP405B,AP207,AP205-CV,AP5889,AP205-CP,充电器,适配器
拆解报告：HUAWEI华为88W全能充电器
华为88W全能充电器采用USB-A/C融合端口，支持88W超级快充，兼容多种快充协议，包括华为SuperCharge、PD、PPS和QC等。充电器内置1A1C融合端口，支持华为A-C数据线和USB-C数据线。拆解显示，充电器内部采用开关电源宽范围电压输出设计，次级协议芯片通过光耦反馈控制输出电压，支持华为私有快充和UFCS快充等协议。
赛尔特 - 压敏电阻外套热缩管,SFV10D681K,充电器,全能充电器
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）MOSFET/IGBT单管/Sic(碳化硅)二极管/GaN(氮化镓)FET选型表（产品说明）
超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 小功率低压P/N沟道场效应管 中功率低压P/N沟道场效应管 大功率高压N沟道场效应管 高压超结N沟道场效应管 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 大功率中压大电流N+P沟道场效应管 大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管 工业类IGBT Sic（碳化硅）肖特基二极管 GaN(氮化镓) FET管 锂电保护板用MOS管
虹美功率半导体 - 超级沟槽工艺中功率N沟道场效应管,快充,650V SIC（碳化硅）肖特基二极管,GAN(氮化镓) FET管,GAN(氮化镓) FET管(D-MODE),SIC（碳化硅）肖特基二极管,中功率低压N沟道场效应管,中功率低压P/N沟道场效应管,中功率低压P沟道场效应管,大功率中压大电流N+P沟道场效应管,大功率中压大电流N沟道场效应管,大功率中压大电流P/N沟道场效应管,大功率中压大电流P沟道场效应管,大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管,大功率高压N沟道场效应管,小功率低压N沟道场效应管,小功率低压P/N沟道场效应管,小功率低压P沟道场效应管,工业类IGBT,超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管,超级沟槽工艺中功率P沟道场效应管,超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管,超级沟槽工艺中压大电流N沟道场效应管,超级沟槽工艺中压大电流P沟道场效应管,锂电保护板用MOS管,高压超结N沟道场效应管,HM2N60F,HM2N60I,HM4822B,HM20P02D,HM8N02MR,HM3N40R,HM3205,HMS60N10DA,HMS150N04D,HM2N60K,HM3207,HM9435B,HM2N20PR,HM80N06KA,HM90N04D,HM17N10K,HMG40N65FT,三轮电动车,不间断电源,充电器,充电器适配器,充电桩,光伏逆变器,全氟化碳,功率因子校正,压缩机,变频器,变频家电,各类数码产品,同步整流应用,多节锂电保护板,太阳能逆变器,家电,家电控制板,小家电控制板,小音箱,工业变频器,平衡车,开关,开关电源,感应加热,手机电池,扭扭车,数据线,数码产品,智能充电器,服务器电源,氙灯,氮化镓快充,汽车电压调节器,电动工具,电动玩具,电动车,电动车充电器,电动车控制器,电动车控制板,电子烟,电机驱动,电源,电源板,电焊机,电磁炉,电脑主板,电饭煲,移动电源,节能灯照明,蓝牙耳机,车载充电器,适配器,逆变器,通信电源,锂电保护板,马达驱动产品,AC-DC变换,CCFL高压条,DC-DC电源模块,LED显示屏,LED照明,LED电源,LLC(谐振)电源,PTC加热,QR快充,UPS电源,车载充电器（OBC）,HID,MID,MP3,MP4,MP4,MP5,OBC,PFC,PMP,UPS
步步精科技推出双接口设计的TYPEA+C充电母座，支持高达7A电流输出，具备88W超级快充功能
步步精科技TYPEA+C充电母座是一款性能卓越的充电插座。它采用双接口设计，支持高达7A电流输出，具备88W的超级快充功能，大大提升了充电效率，使您能够更加快速地充电，相较于行业主流标准，TYPEA+C充电母座超前设计，是业界首创。
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可根据用户端子定制线束，制程能力：Min: 0.13mm2、Max: 120mm2；具有设计方案验证、定案、样品交付及量产快速响应能力。
最小起订量： 1000pcs 提交需求>
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>