CS25
相关结果约1813条光颉科技电阻选型表
提供光颉科技车用电阻,薄膜电阻,晶圆电阻,低阻,合金低阻电阻,厚膜电阻,厚膜排阻,引脚电阻,功率电阻,功能性电阻产品选型,符合AEC-Q200标准,在各种封装尺寸中制造公差范围0%~10%,TCR低至2PPM/℃,最高TCR高达600PPM/℃
产品型号
|
品类
|
Type
|
Seires
|
Size
|
Resistance Tolerance(%)
|
TCR(PPM/℃)
|
Resistance(mΩ、Ω、KΩ、MΩ)
|
CS25FTGR005028
|
Current Sensing Chip Resistor
|
CS25
|
CS Series
|
1225
|
±1%
|
±300PPM/℃
|
5mΩ
|
CS25N50A N沟道增强型功率MOSFET
本资料介绍了CS25N50A型N通道增强模式功率MOSFET的特性。该器件具有快速开关、低导通电阻和低栅极电荷等特点,适用于适配器和充电器电源电路。
凌讯微电子 - CS25N50A,N通道增强模式功率MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,CS25N50A8,CS25N50A6,充电器,电源开关电路,配接器,ADAPTOR,CHARGER,POWER SWITCH CIRCUIT
发布时间 : 2025-03-03
BRCS250C03MFQ数据表
该资料为BRCS250C03MFQ场效应管的详细数据手册,介绍了该产品的特性、应用领域、电气参数、封装尺寸、焊接温度曲线等关键信息。
蓝箭电子 - BRCS250C03MFQ,互补增强模式场效应管,互补增强型MOSFET,COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MOSFET,便携式设备,汽车,电池供电系统,电源管理,笔记型计算机,AUTOMOTIVE,BATTERY POWERED SYSTEMS,NOTEBOOK COMPUTER,PORTABLE EQUIPMENT,POWER MANAGEMENT
CS25N50ANR硅N沟道功率MOSFET数据手册
本资料介绍了Silicon N-Channel Power MOSFET CS25N50 ANR的特性。该器件采用自对准平面技术制造,具有低导通损耗、高开关性能和增强雪崩能量。适用于各种电源开关电路,有助于系统小型化和提高效率。主要特性包括快速切换速度、低导通电阻、低栅极电荷和低反向转移电容。
华润微电子 - CS25N50ANR,硅N沟道功率MOSFET,SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET,充电器,配接器,ADAPTOR,CHARGER
芯际探索MOS管选型表
芯际探索提供Planar MOSFETs,SGT MOSFETs,SIC MOSFETs,SJ MOSFETs,Trench MOSFETs的以下参数选型,VDS(Max)(V):-100V~1000V;ID(Max)(A):-55A~401A等。
产品型号
|
品类
|
Mode
|
VDS(Max)(V)
|
ID(Max)(A)
|
RDS(on)(Max)(mΩ/Ω)
|
Qg(Typ)(nC)
|
CS25N50-K
|
Planar MOSFETs
|
N-Channel
|
500V
|
25A
|
210mΩ
|
72nC
|
MHP 16 CS25表面安装外壳
本资料介绍了MHP 16 CS25型号的表面安装外壳,属于C-TYPE系列。该产品具有金属盖,带有4个钉子,适用于M25电缆入口,尺寸为"77.27"。产品采用RAL 7040灰色,符合DNV-GL、BV认证标准,并满足ECBT2和ECBT8 UL cUL要求。其防护等级达到IP65,工作温度范围为-40°C至+125°C。
ILME - MHP 16 CS25,表面安装外壳,SURFACE MOUNTING HOUSING,C-TYPE,C-TYPE SERIES,MHP CS
CS25N65
该资料介绍了CS25N65硅N沟道增强型MOSFET的特性、电气参数和应用。CS25N65采用先进技术降低导通损耗,提升开关性能和雪崩能量,适用于SMPS、高速切换和通用应用。
国科赛思 - CS25N65,硅N沟道增强型MOSFET,SILICON N-CHANNEL ENHANCED MOSFETS,CS25N65-W,CS25N65-F,开关模式电源,高速转换,高频开关电源,HIGH FREQUENCY SWITCHING MODE POWER SUPPLY,HIGH SPEED SWITCHING,SMPS
RF1319-000(GTCS25-900M-R02)REACH(SVHC)声明
本文件为Littelfuse公司关于REACH法规(EC No 1907/2006)的声明,声明其产品系列RF1319-000(GTCS25-900M-R02)不含有在REACH法规第57条中规定的、根据第59(1)条识别的SVHC(高度关注物质)成分,且含量超过0.1%的重量百分比。截至2019年7月16日,SVHC候选清单上有201种物质。此声明不影响任何现有合同或购买协议。声明由Littelfuse全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos于2019年8月16日签署。
LITTELFUSE - GTCS25-900M-R02,RF1319-000
6CS25000F20UBC 49S晶体承认书
本资料介绍了深圳市晶科鑫实业有限公司生产的49S晶体振荡器单元,型号为6CS25000F20UBC。该产品适用于自动安装和回流焊接,具有高精度和高频特性,适用于蓝牙无线通信设备、DSN、PDA和手机等。
晶科鑫 - 6CS25000F20UBC,石英晶体单元,49S晶体,49S CRYSTAL,QUARTZ CRYSTAL UNIT,SERIES 6CS,掌上电脑,移动电话,蓝牙无线通信装置,BLUETOOTH WIRELESS COMMUNICATION SETS,DSN,MOBILE PHONE,PDA
1206WCS250A032V贴片保险丝
本资料介绍了Wayon Electronics Co., Ltd.生产的SMD熔断器(1206WCS250A032V型号)。该产品符合RoHS标准,适用于表面贴装技术,具有高强度结构、良好的耐腐蚀性,工作温度范围为-55°C至+125°C。资料提供了产品的尺寸规格、推荐焊接尺寸、电流额定值、电压额定值、冷态电阻、中断能力等详细信息。
WAYON - 1206WCS250A032V,SMD保险丝,SMD FUSE
* RAYCHEM 连接线 55PC0811-16-9CS2502,600V 镀锡铜线,16AWG,-65 – 150°C
RAYCHEM品牌55PC0811-16-9CS2502是一款高性能的连接线,适用于各种电气和电子应用。该连接线采用600V的工作电压,镀锡铜导体,16AWG线径,具有优异的电气性能和机械强度。线缆绝缘材料为辐照交联改性ETFE聚合物,能够在-65至150°C的温度范围内稳定工作。该产品适用于要求高可靠性和耐久性的电气和电子设备,如工业控制、汽车电子、医疗设备等。
TE CONNECTIVITY - 55PC0811-16-9CS2502,连接线,298991-000,医疗设备等,工业控制,汽车电子
电子商城
现货市场