EPC90132
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EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。
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广告 发布时间 : 2025-03-03
用于DC-DC转换的镓氮®FET和IC应用简介
本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在DC-DC转换中的应用，重点强调了其高效能、高功率密度和小型化的特点。资料中详细展示了不同型号的产品及其在48V至12V转换中的应用，包括高效能计算和电信应用，以及汽车电子领域。此外，还提供了相关产品的详细规格和开发板信息，以帮助工程师进行设计和评估。
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增强型氮化镓技术
本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。
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EPC Launches 40V EPC2055 eGaN FET Ideal for High Power Density Solutions for USB-C Battery Chargers and Ultra-thin Point-of-Load Converters
December 2020 — Efficient Power Conversion (EPC) Corporation advances the performance capability of low voltage, off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2055 (3mΩ, 40V) eGaN FET. This device is ideal for applications with demanding requirements for performance in space-constrained form factors including USB-C batter chargers and ultra-thin point-of-load (POL) converters.
用于医疗技术的镓氮化物®FET和IC应用简介
eGaN® FETs和ICs在医疗技术领域的应用主要包括：提高成像设备的扫描速度和分辨率，实现无线充电植入式设备，以及用于医疗机器人的高精度电机控制。这些技术通过提高效率、减小尺寸和增强开关速度，为医疗设备提供更快的性能和更高的能效。
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【产品】EPC新推3mΩ/40V的eGaN FET，适合USB-C电池充电器、超薄型负载点转换器
2020年12月，增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商宜普电源转换公司（EPC），推出了3mΩ/40V的EPC2055增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），以提高现有低压氮化镓晶体管的产品性能。
用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介
本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术通过提供快速开关、高效率和紧凑尺寸，支持长距离和短距离激光雷达系统，实现更高分辨率、更远距离和更安全的应用。文档详细介绍了eGaN技术在激光雷达设计中的优势，包括高电流脉冲、窄脉冲宽度演示板和eToF™激光驱动器ICs。此外，还提供了推荐器件和配置信息，以支持不同类型的激光雷达系统。
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面向DC/DC转换的eGaN® FET及集成电路应用简介
该资料介绍了宜普电源转换公司（EPC）的eGaN® FET和集成电路在DC/DC转换器中的应用。资料重点介绍了EPC的多种eGaN®技术产品，包括EPC9159、EPC2619、EPC2067等，这些产品适用于高效率、高功率密度的48 V/12 V转换器，适用于汽车电子、数据中心和电信应用。资料还提供了相关产品的性能参数、应用实例和开发板信息。
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用于负载转换器网络点的氮化镓®FET和IC应用简介
本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL)转换器中的应用。eGaN FETs因其高效率、低导通和开关损耗、零反向恢复损耗以及低电感等特性，在POL转换器中具有显著优势。这些器件能够实现高效率和高电流输出，支持单级转换，降低能耗，并快速响应瞬态变化。文档还提供了eGaN FETs和ICs的详细规格和推荐配置，以帮助设计人员选择合适的器件。
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