EPC9081

选型替换

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| 项目 | 数量 | 参考编号 | 零件描述 | 制造商/零件编号 | | --- | --- | --- | --- | --- | | 电容器 | 5 | C1, C2, C3, C10, C11 | 1 µF, 10%, 25 V, X5R | Murata, GRM188R61E105KA12D | | 电容器 | 1 | C6 | 100 pF, 5%, 50 V, NP0 | TDK, C1608C0G1H101J080AA | | 电容器 | 4 | C8, C9, C12, C13 | 0.22 µF, 16%, 25 V, X7R | TDK, C1005X7R1C224K050BC | | 电容器 | 4 | C16, C17, C18, C19 | 0.1 µF, 10%, 250 V, X7T | TDK, C2012X7T2E104K125AA | | 电容器 | 1 | C41 | 10 pF, 5%, 50 V, NP0 | Kemet, C0402C100J5GACTU | | 电容器 | 1 | C42 | 100 pF, 5%, 50 V, NP0 | Murata, GRM1555C1H101JA01D | | 电容器 | 10 | C60, C61, C62, C63, C64, C65, C66, C67, C68, | 0.22 µF, 10%, 250 V, X7T | TDK, C3216X7T2E224K160AA | | 二极管 | 2 | D1, D2 | 30 V, 30 mA | Diodes Inc., SDM03U40-7 | | 二极管 | 1 | D3 | 200 V, 1 A | Micro Commercial, | | 二极管 | 2 | D4, D5 | 40 V, 200 mA | Diodes Inc., BAS40LP-7 | | 二极管 | 2 | D6, D7 | 5.61 V, 500 mW | On Semiconductor, MM5Z5V6ST1G | | 感应器 | 3 | FD1, FD2, FD3 | SML Fiductial | N/A | | 连接器 | 1 | GP1 | .1" Male Vert. | Wurth, 61300111121 | | 连接器 | 2 | J1, SWP1 | .1" Male Vert. | Wurth, 61300211121 | | 连接器 | 1 | J2 | .1" Male Vert. | 4 pins of Tyco, 4-103185-0-04 | | 连接器 | 5 | J3, J4, J5, J6, J7, J8 | .1" Male Vert. | 4 pins of FCI, 68602-224HLF | | 连接器 | 2 | J21, J22 | MMCX SMD | Molex, 0734152063 | | 沟槽场效应晶体管 | 2 | Q1, Q2 | 200 V, 10 mΩ | EPC, EPC2047 | | 电阻器 | 1 | R1 | 10.0 K, 1%, 1/10 W | Panasonic, ERJ-3EKF1002V | | 电阻器 | 2 | R2, R3 | 0 Ω, 1/10 W | Panasonic, ERJ-3GEY0R00V | | 电阻器 | 1 | R4 | 100 Ω, 1%, 1/10 W | Stackpole, RMCF0603FT100R | | 电阻器 | 1 | R5 | 470 Ω, 1%, 1/10 W | Panasonic, ERJ-3EKF4700V | | 电阻器 | 4 | R6 | 0 Ω, 1/10 W | Panasonic, ERJ-2GE0R00X | | 电阻器 | 2 | R11, R12 | 1 Ω, 1%, 1/16 W | Stackpole, RMCF0402FT1R00 | | 电阻器 | 2 | R21, R22 | 0 Ω, 1/16 W | Stackpole, RMCF0402ZT0R00 | | 测试点 | 2 | TP1, TP2 | | Keystone Elect, 5015 | | 集成电路 | 1 | U1 | 逻辑 | Fairchild, NC7SZ00L6X | | 集成电路 | 1 | U2 | 光耦合器 | Silicon Labs, Si8610BC | | 集成电路 | 1 | U4 | 逻辑 | Fairchild, NC7SZ08L6X | | 集成电路 | 2 | U6, U7 | 门驱动器 | Texas Instruments, | | 可选组件 | 0 | P1, P2 | 可选电位计 | | | 可选组件 | 0 | R14, R15 | 可选电阻 | | | 可选组件 | 0 | U5 | 可选集成电路 | |

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2017年10月31日 - 物料清单代理服务技术支持采购服务

【应用】如何在高功率、高度共振式无线充电应用中选择于6.78MHz工作的放大器拓扑结构

配备无线充电功能的消费产品推动了无线充电的快速发展。无线充电的普及要求器件可以在6.78 MHz和13.56 MHz的更高ISM频段工作。EPC公司推出了第五代eGaN FET器件，包括EPC2046(200 V、RDS(on) 最大值为25 mΩ、55 A 脉冲输出电流))和EPC2047eGaN FET (10 mΩ、200 V)，并备有开发板EPC9081。

2018-10-10 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

成长中的氮化镓FET功率转换生态系统

本文介绍了基于eGaN®技术的功率转换系统，该系统相较于基于硅的替代品，具有更高的效率、更高的功率密度和更低的总体系统成本。文章详细阐述了eGaN FET生态系统，包括门驱动器、控制器和被动组件，并提供了相关产品的示例。此外，文章还讨论了eGaN FET转换器对被动组件的要求，以及如何选择合适的陶瓷电容器。最后，文章强调了随着eGaN FET在应用设计中的普及，其支持组件的生态系统也在不断增长。

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2023/4/26 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务查看更多版本

成长中的氮化镓FET功率转换生态系统

本文介绍了基于eGaN®技术的功率转换系统，该系统相较于基于硅的替代品，具有更高的效率、更高的功率密度和更低的总体系统成本。文章详细阐述了eGaN FET生态系统，包括门驱动器、控制器和被动组件，并提供了相关产品的示例。此外，文章还讨论了eGaN FET在提高功率密度和效率方面的优势，以及如何选择合适的被动组件来优化性能。

EPC - EPC9081,单输出氮化镓栅极驱动器模块,多功能电源模块,氮化镓®场效应晶体管,高速多功能功率氮化镓®高电子迁移率晶体管驱动器,EGAN® FET,HIGH-SPEED MULTIFUNCTION POWER EGAN® HEMT DRIVER,MULTIFUNCTION POWER MODULE,SINGLE OUTPUT EGAN GATE DRIVER MODULE,EPC2036,EPC2101,EPC2001C,FBS-GAM02-P-R50,EPC2106,EPC2016C,EPC9078,EPC9144,EPC2152,EPC2111,EPC2045,EPC90120,EPC8010,EPC9165,FBS-GAM01P-C-PSE,FB,数字控制器,闸门驱动器,DIGITAL CONTROLLERS,GATE DRIVER

2022/12/16 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

成长中的氮化镓FET功率转换生态系统

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2022/5/24 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

成长中的氮化镓FET功率转换生态系统

本文介绍了基于eGaN®技术的功率转换系统，该系统相比基于硅的替代品具有更高的效率、更高的功率密度和更低的总体系统成本。文章详细阐述了eGaN FET生态系统，包括门驱动器、控制器和被动组件，并提供了相关产品的示例。此外，文章还讨论了eGaN FET在提高功率密度和效率方面的优势，以及如何选择合适的被动组件和控制器。

EPC - EPC9081,基于氮化镓场效应管的功率转换系统,氮化镓场效应晶体管生态系统,EGAN FET ECOSYSTEM,EGAN FET-BASED POWER CONVERSION SYSTEMS,TEA1998TS,UP1964,TEA1993TS,TMS320F28069MPZT,TEA1995T,EPC9204,IXD_604,UP1966D,ADUM4121ARIZ,LMG1025-Q1,EPC9144,NCP81111,X7R,LM5113-Q1,EPC9143,DS

2020 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

【产品】无线电源最佳选择，开关转换速度在亚纳秒范围内的氮化镓晶体管

增强型eGaN FET的开关转换速度在亚纳秒范围内，可以在高频、高压下工作。

2017-07-06 - 新产品代理服务技术支持采购服务

不断发展的eGaN FET生态系统：栅极驱动器、控制器和无源组件

与基于Si的替代产品相比，基于eGaN FET的电源转换系统可提供更高的效率，更高的功率密度以及更低的总体系统成本。这些优点刺激了电力电子器件领域的发展，例如栅极驱动器，控制器和专门增强eGaN FET性能的无源组件。本文中EPC对此进行了详细说明。

2020-07-08 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

面向无线充电应用的eGaN® FET 及集成电路

本文介绍了eGaN® FET及集成电路在无线充电应用中的优势，包括低功耗、高效率、低EMI等特点。文章重点介绍了AirFuel™无线充电标准和eGaN FET在无线充电系统中的应用，以及不同功率等级的eGaN FET及集成电路产品。此外，还提供了eGaN FET及集成电路的详细参数和评估套件信息。

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2023/3/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

针对eGaN®FET功率转换的生态系统的持续发展和完善

本文介绍了针对eGaN®FET功率转换的生态系统的发展和完善。文章重点阐述了eGaN FET的优势，包括高效率、低成本和更高的功率密度。此外，文章详细介绍了eGaN FET生态系统的三个主要部分：栅极驱动器、控制器和无源元件。文中还提供了相关产品的范例和制造商信息，旨在帮助设计师更好地利用eGaN FET技术。

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2019/05/05 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

【产品】EPC9081开发板可方便的应用于GaN功率晶体管的EPC2047等器件的评估

EPC公司推出EPC9081开发板，旨在简化工程师对EPC2047 GaN场效应晶体管的评估，加快产品上市。该开发板关键器件和PCB Layout经过精心挑选和设计，以优化 EPC2047开关行为；板载不同的探针点，可方便开发人员对重要参量进行测试、评估；同时具有死区时间微调电阻插脚，通过接入可调电阻实现对死区时间的调节。

2019-10-22 - 新产品代理服务技术支持采购服务