EPC9148
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EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion
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GaN Transistor for Several Power Applications
GaN transistors are significantly faster and smaller than silicon MOSFETs. The performance of GaN shows that efficiency and performance have improved significantly, leading to several new applications that were not possible with silicon technology. eGaN® FETs, from EPC, are supplied in a low inductance, low resistance, small and low-cost LGA or BGA packages. In addition, they offer designers the best in class compared to MOSFETs in both hard switching and soft-switching applications.
广告 发布时间 : 2025-03-03
用于DC-DC转换的镓氮®FET和IC应用简介
本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在DC-DC转换中的应用，重点强调了其高效能、高功率密度和小型化的特点。资料中详细展示了不同型号的产品及其在48V至12V转换中的应用，包括高效能计算和电信应用，以及汽车电子领域。此外，还提供了相关产品的详细规格和开发板信息，以帮助工程师进行设计和评估。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。
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增强型氮化镓技术
本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。
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EPC评估套件选型表
EPC提供评估板的选型：Default Configuration：IToF、Resonant Pulse DToF;VBUS (max)(V):12~160V;VINPUT(max)(V):5 V;Tpin(min)(ns):1 ns/2 ns
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产品型号
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品类
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Description
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VIN(V)
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VOUT(V)
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IOUT (A)
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Featured Product
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EPC9148
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评估板
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Ultra-thin, Multi-level, Synchronous, Buck
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44 - 60 V
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19 V
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12.5 A
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EPC2053
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选型表 - EPC 立即选型
面向DC/DC转换的eGaN® FET及集成电路应用简介
该资料介绍了宜普电源转换公司（EPC）的eGaN® FET和集成电路在DC/DC转换器中的应用。资料重点介绍了EPC的多种eGaN®技术产品，包括EPC9159、EPC2619、EPC2067等，这些产品适用于高效率、高功率密度的48 V/12 V转换器，适用于汽车电子、数据中心和电信应用。资料还提供了相关产品的性能参数、应用实例和开发板信息。
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【应用】基于氮化镓器件构建数据中心的DC/DC转换器，有效提高效率、缩小尺寸并降低总体拥有成本
提高功率转换的效率是减少数据中心的能耗的主要方法，人工智能、5G和大数据的发展实现更智能化，但需要更高功率才可以为服务器、存储和网络机架供电。高效的氮化镓器件能够支持新的48 V机架设计、减少了云数据中心的能源费用、减少冷却要求和提高整体电力使用效率
【应用】eGaN FET结合数字控制和高性能磁力技术，设计超薄、高效的多电平DC-DC转换器
具有数字控制和高性能磁性功能的基于GaN FET的多级降压拓扑结构可用于设计超薄且高效的DC-DC转换器。使用eGaN FET构建的48 V至20 V，250 W三级降压转换器，峰值效率为97.8％，总厚度仅为5 mm。
面向DC/DC轉換的eGaN® FET及積體電路應用簡介
该资料介绍了基于eGaN®技术的DC/DC转换器解决方案，包括高效率、高功率密度和紧凑型设计。资料详细介绍了多种eGaN FET和IC产品，适用于汽车电子、数据中心和电信应用。此外，还提供了相关开发板和元件型号的详细信息，以支持高效能的电源转换设计。
EPC - EPC9148,並聯半橋元件,升壓型同步轉換器,升壓型類比控制器,半橋開發板,同步升壓型數位控制器,同步降壓型數位控制器,小型同步降壓型類比控制器,氮化镓集成电路,薄型單相降壓型轉換器,超薄型多級轉換器,開發板,降壓型同步轉換器,雙向轉換器,EGAN® 積體電路,LLC，高效率、高功率密度评估板,¹/₁₆磚型模組,小型¹/₁₆ 磚型同步升壓型數位控制器,小型¹/₁₆ 磚型同步降壓型數位控制器,小型¹/₁₆ 磚型同步降壓型類比控制器,小型、高功率密度雙向 LLC轉換器,氮化镓®场效应晶体管,超薄、多電平、同步降壓型轉換器,雙向¹/₁₆磚型模組,雙向、1.5 KW 、48 V/12 V模組,雙輸出、類比控制器、同步降壓型轉換器,高效、薄型降壓轉換器, HIGH EFFICIENCY AND HIGH POWER DENSITY EVALUATION BOARD,EGAN IC,EGAN® FET,LLC,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC2055,EPC90153,EPC2101,EPC2106,EPC2105,EPC9137,EPC90151,EPC2065,EPC90152,E,伺服器,汽車電子應用,電訊應用,高性能計算,48 V/12 V 功率轉換器,48 V–12 V电源转换器,DC/DC轉換,DC/DC轉換器,48 V – 12 V POWER CONVERTERS
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