eGaN集成电路
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EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion
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【产品】国产200V高侧/低侧栅极驱动器TCG1200，采用独创的自举电容自动充电技术
TCG1200是无锡紫光微旗下的高侧和低侧栅极驱动器，专为驱动增强型氮化镓（eGaN®）场效应晶体管而设计的。 这是一个单片集成电路，它满足eGaN®FET驱动器特殊要求：电源钳位，低的上拉和下拉阻抗，以及高峰值电流。
广告 发布时间 : 2025-03-24
EPC23101-ePower™Stage IC氮化镓®FET规格书
该资料介绍了EPC23101 ePowerTM Stage集成电路，这是一种集成了高侧eGaN® FET、内部栅极驱动器和电平转换器的高效功率转换解决方案。该芯片适用于多种转换器拓扑，如降压、升压和升降压转换器，以及半桥、全桥LLC转换器和电机驱动逆变器。它具有低导通电阻、高开关频率和低静态电流等特点，适用于高效率、小型化和易于制造的电源设计。
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面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路应用简介
本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能，实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等，并提供了相关器件型号和配置的详细信息。
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How2GaN | 如何设计具有最佳布局的eGaN® FET功率级
eGaN FET的开关速度比硅基MOSFET更快，因此需要更仔细地考虑印刷电路板（PCB）布局设计以最小化寄生电感。寄生电感会导致过冲电压更高，同时减慢开关速度。本篇笔记将会探讨使用eGaN FET设计最佳功率级布局的关键步骤，来避免上述不良影响并最大化转换器性能。
【产品】重新定义电源功率转换的ePower™Stage IC EPC2152
EPC推出的EPC2152是一款集成了使用EPC专有氮化镓IC技术的ePower™Stage IC。输入逻辑接口，电平转换，自举充电和栅极驱动缓冲电路以及配置为半桥的eGaN输出FET集成在单片芯片中，这样就形成了一个芯片级LGA外形尺寸器件，对于基于80 V，12.5 A氮化镓的功率级集成电路，其尺寸仅为3.9 mm x 2.6 mm x 0.8 mm。
面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介
本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及其集成电路的应用范围，包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势，如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时，提供了eGaN®SR系列产品的参数对比，并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外，还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。
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EPC提供氮化镓(eGaN®)功率器件的晶圆，易于集成功率系统
为了使得客户易于集成功率系统，宜普电源转换公司（EPC）为客户提供领导业界的氮化镓功率器件的晶圆。采用芯片级封装的器件更高效，因为该封装可以使得氮化镓（eGaN）功率晶体管具备更低的阻抗、电感、尺寸、热阻及成本，从而可以实现前所未有的电路性能及成本效益。
【产品】EPC新推3mΩ/40V的eGaN FET，适合USB-C电池充电器、超薄型负载点转换器
2020年12月，增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商宜普电源转换公司（EPC），推出了3mΩ/40V的EPC2055增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），以提高现有低压氮化镓晶体管的产品性能。
用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介
本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术通过提供快速开关、高效率和紧凑尺寸，支持长距离和短距离激光雷达系统，实现更高分辨率、更远距离和更安全的应用。文档详细介绍了eGaN技术在激光雷达设计中的优势，包括高电流脉冲、窄脉冲宽度演示板和eToF™激光驱动器ICs。此外，还提供了推荐器件和配置信息，以支持不同类型的激光雷达系统。
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面向DC/DC转换的eGaN® FET及集成电路应用简介
该资料介绍了宜普电源转换公司（EPC）的eGaN® FET和集成电路在DC/DC转换器中的应用。资料重点介绍了EPC的多种eGaN®技术产品，包括EPC9159、EPC2619、EPC2067等，这些产品适用于高效率、高功率密度的48 V/12 V转换器，适用于汽车电子、数据中心和电信应用。资料还提供了相关产品的性能参数、应用实例和开发板信息。
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【产品】EPC新推35A ePower™功率级集成电路EPC23102，实现更高功率密度并简化设计
EPC推出ePower™功率级集成电路EPC23102，集成了整个半桥功率级，可在1MHz工作时实现高达35A的输出电流，为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案，包括DC/DC转换、电机驱动和D类音频放大器等应用。
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支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试；9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试，天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
测试等级：空气放电30KV±5%；接触放电30KV±5%，适用标准：GB/T 17626.2、IEC61000-4-2、ISO10605、GB/T 19951；给用户产品出电路保护设计方案建议及整改。点击预约，支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>