CGL65R260B 650V增强型氮化镓功率晶体管

该资料介绍了Cohenius公司生产的CGL65R260B型号650V增强型氮化镓功率晶体管。这种器件具有高电压击穿和高开关频率的特性，通过极低的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg），实现了低导通损耗和切换损耗，提高了效率。

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CGK65R400B 650V增强型氮化镓功率晶体管

该资料介绍了Cohenius公司生产的CGK65R400B型号650V增强型氮化镓（GaN）功率晶体管。这种晶体管具有高电压击穿和高开关频率的特性，通过极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg实现低导通损耗和切换损耗，提高了效率。它适用于高压AC/DC转换、高压DC/DC转换和高性能电源等领域。

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聚能创芯（Cohenius）GaN功率器件/外延材料选型指南

公司简介    GaN功率器件    GaN快充应用模块   

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E-MODE GaN HEMT 驱动电路参考设计

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采用氮化镓的120W PD参考设计

本资料提供了一款120W GaN PD快充的参考设计，包括输入电压、输出功率、效率、EMC性能等关键参数。设计支持多种充电协议，如PD2.0、PD3.0等，并提供了详细的PCB布局、元件清单和性能曲线。

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【视频】30W~120W氮化镓PD快充，聚能创芯提供优质GaN功率器件和技术解决方案

青岛聚能创芯微电子有限公司提供高性能氮化镓（GaN）器件和解决方案，涵盖PD快充、无线充电、智能家电等领域。公司掌握GaN器件设计、制造和封装技术，拥有6英寸GaN器件制造产线和先进封装技术。产品包括HVA650/HVA700等GaN外延晶圆和CGL65R070B等GaN功率器件，致力于为5G通讯、智能终端等提供新型功率器件产品和技术解决方案。

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CGL65R190B 650V增强型氮化镓功率晶体管

本资料介绍了Cohenius公司生产的CGL65R190B型号650V增强型氮化镓功率晶体管。该器件具有高电压击穿和高开关频率的特性，通过极低的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg），实现了低导通损耗和切换损耗，提高了效率。

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CGK65R190B 650V增强型氮化镓功率晶体管

该资料介绍了Cohenius公司生产的CGK65R190B型号650V增强型氮化镓功率晶体管。这种器件具有高电压击穿和高开关频率的特性，导通和开关损耗极低，适用于标准级应用。

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