系列：RT65080SDH

描述：内部集成两颗650V耐压85mR的GaN FET,内置半桥驱动电路,耐压650V,最大导通电流30A,最高开关频率200KHz(Under CCM Operation),半桥拓扑结构,半桥死区时间可编程,具有使能功能, RT65080SDH半桥模组双向400V-200V升降压电路评估板

最小包装量：1

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系列：RT10002SDH-DD

描述：内部集成两颗100V耐压2.4mR的GaN FET,内置半桥驱动电路,耐压100V,最大导通电流60A,最高开关频率1MHz,半桥拓扑结构,半桥死区时间可编程,具有使能功能。RT10002SDH-DD半桥模组双向升48V-12V降压电路评估板

最小包装量：1

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系列：RT10002SDH

描述：内部集成两颗100V耐压2.4mR的GaN FET,内置半桥驱动电路,耐压80V,最大导通电流30A,最高开关频率1MHz,半桥拓扑结构。RT10002SDH半桥模组双向升48V-12V降压电路评估板

最小包装量：1

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系列：RT65 Series

描述：内部集成两颗650V耐压85mR的GaN FET,内置半桥驱动电路,耐压650V,最大导通电流30A,最高开关频率1MHz,半桥拓扑结构,半桥死区时间可编程,具有使能功能。

封装/外壳/尺寸：QFN12.7mm*10mm*1.95mm

最小包装量：1

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系列：RT10 Series

描述：内部集成两颗100V耐压2.4mR的GaN FET,内置半桥驱动电路,耐压100V,最大导通电流60A,最高开关频率1MHz,半桥拓扑结构,半桥死区时间可编程,具有使能功能。

封装/外壳/尺寸：QFN10mm*9mm*1.95mm

最小包装量：1

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系列：RT10 Series

描述：内部集成两颗100V耐压5.6mR的GaN FET,内置半桥驱动电路,耐压100V,最大导通电流16A,最高开关频率1MHz,半桥拓扑结构,半桥死区时间可编程,具有使能功能。

封装/外壳/尺寸：QFN10mm*9mm*1.95mm

最小包装量：1

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系列：RT10 Series

描述：内部集成两颗100V耐压2.4mR的GaN FET,内置半桥驱动电路,耐压80V,最大导通电流30A,最高开关频率1MHz,半桥拓扑结构。

封装/外壳/尺寸：QFN9mm*6.9mm*1.95mm

最小包装量：1

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系列：RT100 Series

描述：内部集成两颗100V耐压5.6mR的GaN FET,内置半桥驱动电路,耐压80V,最大导通电流14A,最高开关频率1MHz,半桥拓扑结构。

封装/外壳/尺寸：QFN7.5mm*6.7mm*1.95mm

最小包装量：1

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