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面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET）
氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)在D类音频放大器应用中表现出色，通过降低总谐波失真(THD)、阻尼系数(DF)及交互调变失真(IMD)，显著提升音质。eGaN® 技术提供更低IMD及THD、更高效率和更小占板面积，EPC9106演示板展示了其在宽阔输出功率范围内的优越性能。
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面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET) 应用简介
氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在D类音频放大器中的应用优势包括降低总谐波失真（THD）、交互调变失真（IMD）和阻尼系数，提高效率，减小占板面积，并消除散热器需求。资料提供了eGaN FET在音频放大器设计中的推荐器件和应用产品，如EPC9106演示板和eGaNAMP平台。
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
|
6
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30
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0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
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67
|
20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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【技术】氮化镓音频放大器：音频功率放大的最新技术
氮化镓技术在音频放大领域具备哪些优势？哪些音频技术公司已经采用了这种技术？未来这种技术的前景如何？本文给出了详细阐述。
【方案】低成本智能扫地机器人测距模块优选元器件方案
智能路线规划机器人采用测距模块收集环境信息，包括激光、超声、红外等。激光测距方案采用激光收发对管和跨导放大器/驱动器的组合实现信号的收发处理，成本较高。本方案通过采用圣邦微公司的低成本高速运算放大器、Silicon Labs公司的高性能MCU及EPC公司的高性能eGaN MOS管，在保证产品测试精度和可靠性的前提下，削减产品设计成本，提升产品市场竞争力。
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【经验】氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术，实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关
激光雷达（LiDAR）是一种远距感测技术，从感测器发射光脉冲，并记录反射光线的时间，从而映射物件的位置及距离，本文介绍了氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术，实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关，应用诸如自动驾驶汽车及驾驶辅助系统（ADAS）。
EPC2036–增强型功率晶体管数据表
本资料为EPC2036增强型功率晶体管的数据表。该器件采用氮化镓技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），适用于高速直流-直流转换、无线电力传输、高频硬开关和软开关电路、激光雷达/脉冲电源应用以及类D音频等领域。
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【应用】EPC推出适用于D类音频放大器的GaN FET解决方案，具有小尺寸的特点，可提高效率
与硅MOSFET相比，氮化镓器件的尺寸更小且电容更小。与最先进的硅MOSFET相比，氮化镓晶体管具备卓越的品质因数(FoM)，在更高的频率下可实现更小、更高效、运行温度更低和成本更低的DC/DC转换器解决方案。
EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版（AB003）
本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR)，从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。
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【产品】EPC推出eGaN功率晶体管，突破了硅器件之前无可匹敌的成本/速度壁垒
宜普电源转换公司宣布推出EPC2035（60 V）及EPC2036 （100 V）eGaN功率晶体管，专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件。 EPC2035 及EPC2036器件的电容小很多。我们也比较了氮化镓及MOSFET器件的面积-- EPC2035/EPC2036的面积大约是等效MOSFET的四十分之一。
【应用】激光雷达AGV机器人激光测距驱动方案推荐GaN功率晶体管EPC2106+LD RLD90QZW5，测距可达20m
激光雷达AGV机器人激光测距相比传统的磁轨导航测距方式，可以更高智能、更远距离的实现路径规划、避障，具有定位精度高、路径柔性高和智能化程度高的优点，激光发射链路，市面上常用的激光驱动方案采用GaN + LD（激光二极管）设计实现，激光驱动方案选型推荐：EPC公司的GaN功率晶体管EPC2106 + ROHM LD RLD90QZW5。
电子商城
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥6.7699
现货： 2,417
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价格：￥6.2849
现货： 2,356
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