EPC2204 – Enhancement Mode Power Transistor DATASHEET

EPC2207–增强型功率晶体管

本资料为EPC2207增强型功率晶体管的数据手册。该器件采用氮化镓（Gallium Nitride）技术，具有低导通电阻、高开关频率和优异的热性能等特点。适用于无线充电、DC-DC转换器、BLDC电机驱动、太阳能微型逆变器、机器人、Class-D音频和多级AC-DC电源等领域。

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EPC2057–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书

本资料详细介绍了EPC2057增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（GaN）技术的功率器件。该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），高开关频率和低开关损耗，适用于高效能转换应用。

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EPC2051–增强型功率晶体管，V-DS，100 V RDS（ON），25 mΩ，I-D，1.7 A

本资料为EPC2051增强型功率晶体管的电子数据表。介绍了该器件的关键参数、特性及应用领域，包括其低导通电阻（RDS(on)）、高效率、无反向恢复特性以及适用于多种电源转换应用。

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EPC2036–增强型功率晶体管数据表

本资料为EPC2036增强型功率晶体管的数据表。该器件采用氮化镓技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），适用于高速直流-直流转换、无线电力传输、高频硬开关和软开关电路、激光雷达/脉冲电源应用以及类D音频等领域。

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EPC2052–增强型功率晶体管数据表

本资料介绍了EPC2052增强型功率晶体管（Power Transistor）的技术规格和应用。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于高频率开关和高效率电源转换。

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EPC2044–增强型功率晶体管数据表

本资料介绍了EPC2044增强型功率晶体管，这是一种基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻RDS(on)、高开关频率和低驱动功率，适用于高效能转换应用。

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EPC 29215_55–增强型功率晶体管氮化镓®FET规格书

本资料详细介绍了EPC29215-55型号的eGaN® FET功率晶体管。该晶体管采用氮化镓技术，具有低导通电阻、高开关频率和低开关损耗等特点，适用于高效能转换应用。

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EPC2088–增强型功率晶体管

本资料介绍了EPC2088增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（GaN）技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于高效率电源转换应用。

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EPC2204–增强型功率晶体管数据表

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EPC2034C–增强型功率晶体管数据表

本资料为EPC2034C增强型功率晶体管的数据表，介绍了该产品的技术规格、特性、应用领域和封装信息。资料涵盖了最大额定值、静态特性、动态特性、热特性和封装尺寸等内容。

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EPC2059–增强型功率晶体管

本资料为EPC2059增强型功率晶体管的规格书。该器件采用氮化镓（Gallium Nitride）技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关频率和优异的热性能。适用于高效能转换应用。

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EPC2067–增强型功率晶体管规格书

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EPC2619–增强型功率晶体管数据表

本资料介绍了EPC2619增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（GaN）技术的器件。该产品具有低导通电阻、高开关频率和优异的热性能，适用于高效能转换应用。

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EPC2218–增强型功率晶体管数据表

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