Enhancement Mode GaN (eGaN® FETs) for Coil Detuning

将氮化镓场效应晶体管与专为硅MOSFET设计的控制器和栅极驱动器结合使用

本文探讨了使用通用门驱动器与氮化镓（GaN）FET配合使用时需要注意的关键因素。文章详细介绍了GaN FET与硅MOSFET之间的主要差异，包括门电压水平、开关速度、反向导通电压降和物理结构等。此外，文章还提供了将MOSFET驱动器转换为适用于GaN FET的建议步骤，包括使用外部自举二极管、自举钳位、门返回电阻和反向导通钳位等。最后，文章强调了在设计使用集成门驱动器的控制器IC时，需要考虑的布局和设计折衷方案。

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高频功率转换装置的封装考虑

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国立台湾大学如何正确使用氮化镓

本资料主要介绍了eGaN FET（增强型氮化镓场效应晶体管）的特点、优势及其在开关电源设计中的应用。内容涵盖了eGaN FET的关键特性，如低导通电阻、快速开关速度、低栅极电荷等，以及如何正确使用eGaN FET进行电路设计，包括布局、驱动器选择和设计实例。资料还讨论了eGaN FET在提高高频开关电源效率方面的潜力，并展望了未来在控制器和磁性元件方面的改进需求。

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EPC2053 EPC氮化镓场效应晶体管鉴定报告

本报告概述了EPC eGaN® FETs产品EPC2053的合格测试结果。报告涵盖了EPC2053、EPC2045、EPC2051和EPC2052的合格测试，这些产品具有相同的电压等级和器件加工。测试包括高温栅极偏置、温度循环、高温高湿反向偏置、湿度敏感度等级和静电放电特性等。所有测试均符合JEDEC标准，EPC2053通过了所有测试，已批准投入生产。

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EPC氮化镓®FET鉴定报告EPC2234

本报告概述了EPC2234 eGaN FET产品的认证结果，该产品符合所有必要的认证要求，并已获准生产。报告详细介绍了EPC2234的预处理、可靠性测试、参数验证和破坏性物理分析，包括高温反向偏置、高温栅极偏置、偏置高度加速测试、温度循环、间歇操作寿命、湿度敏感度等级、静电放电敏感度等测试项目，以及测试结果和评估。

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EPC egallium氮化物®FETs汽车鉴定报告EPC2202–EPC2203

本报告概述了EPC2202和EPC2203 eGaN FETs的汽车级认证结果，包括温度循环、高温高湿反向偏置、湿度敏感度等级1、破坏性物理分析、静电放电敏感度、参数验证、间歇运行寿命等测试。所有测试均符合AEC-Q101标准，产品已通过认证并投入生产。

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EPC氮化镓®FET汽车认证报告EPC2252

本报告总结了EPC公司EPC2252、EPC2204A和EPC2218A产品的认证结果。这些产品通过了所有必要的认证要求，并已获准生产。报告详细介绍了产品在温度循环、湿度敏感度、参数验证、静电放电敏感度、高温反向偏置、高温栅极偏置、偏置高度加速测试、温度循环、湿度和电学参数测试等方面的表现。所有测试均符合AEC-Q101 Rev D1标准，确保产品在汽车等应用中的可靠性和性能。

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