Thermal Management of eGaN® FETs

2022-03-14
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●动机
■增强型氮化镓(egallium氮化物®)场效应晶体管具有高功率密度、超快开关和低导通电阻的功能,所有这些都是紧凑型的。然而,由于极端的热流密度,可实现的功率水平受到热过热的限制。如果管理不当,产生的热量可能会导致过度自热和温度升高,从而影响可靠性和性能。因此,热管理策略对于大功率器件至关重要,通过egallium氮化物®FET的芯片级封装,可以在板侧和背面(即外壳)利用许多设计优势来改善散热。

■本应用说明提供了简单的热管理指南,以增强氮化镓FET的热导率并优化热性能。此外,本文还介绍了一个案例研究,介绍了使用两个有源氮化镓场效应晶体管冷却显影板的简单有效的热管理解决方案。

氮化镓®FET的热管理

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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

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