面向激光雷达(Lidar)应用的eGaN® FET及集成电路 市场简介
■面向Lidar应用的氮化镓器件的优势
◆利用光速作为参考,Lidar使用远端感测物件的方法。简单来说,Lidar记录发射激光脉冲及感测到远端物件后被反射回的激光脉冲的时间,从这个资料计算出物件的距离及制成图像。如果以360度发射激光,系统可以确定环绕Lidar设备整个三维环境的物件。
◆当准确地知道光脉冲的发射时间及被反射回感应器的时间,会大大提高以Lidar系统制成的图像的准确性。由于eGaN FET及集成电路具备快速开关性能,因此可以更准确地测量出发射与接收光脉冲的时间,从而获得距离分辨率。
◆此外,由于只有很少光被反射回感应器,因此氮化镓元件可以对激光提供更高功率,使得激光束输出功率更高,从而使得Lidar系统可以在很远的距离的物件也可以清楚“看见”,或可以在受到污染的大气环境下看到物件。
◆发射连串激光脉冲以对四周环境快照、每次发射一个脉冲,可以制成整个三维Lidar图像。
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[ 激光雷达(Lidar) ][ 氮化镓器件 ][ 全自动驾驶汽车 ][ 无人飞行载具 ][ 无人驾驶飞机(UAV) ][ 机器人 ][ 扩增实境(AR) ][ 军事 ] |
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市场简介,商品及供应商介绍 |
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详见资料 |
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LGA;BGA |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022/10/11 |
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MB001 |
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
|
6
|
30
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0.745
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0.23
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0.14
|
0.42
|
0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
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服务

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实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

测试等级:空气放电30KV±5%;接触放电30KV±5%,适用标准:GB/T 17626.2、IEC61000-4-2、ISO10605、GB/T 19951;给用户产品出电路保护设计方案建议及整改。点击预约,支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
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