EPC90153 Development Board Quick Start Guide
■说明
●EPC90153是带有板载栅极驱动器的半桥开发板,具有80 V额定值的EPC2619氮化镓场效应晶体管(FET)。该开发板的目的是简化EPC2619的评估过程,将所有关键组件都包含在一个板上,该板可以方便地集成到大多数现有的转换器拓扑中。
●EPC90153开发板尺寸为2“x 2”,包含两个半桥结构的EPC2619氮化镓FET和一个用于增加自举电源的EPC2038氮化镓FET。EPC90153采用uPI Semiconductor uP1966E栅极驱动器。该板包含所有关键组件,布局支持最佳切换性能。还有各种探测点,以便于简单的波形测量和效率计算。电路框图如图1所示。
EPC90153开发板快速入门指南 |
|
|
|
用户指南,快速入门指南,Quick Start Guide |
|
|
|
详见资料 |
|
|
|
|
|
|
|
中文 英文 中英文 日文 |
|
2022/10/26 |
|
|
|
Revision 1.0 |
|
|
|
2.7 MB |
|
世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
开云手机入口平台www.deyec.com | |
开云手机入口平台电子商城www.deyec.com/supply/ | |
开云手机入口平台www.deyec.com | |
开云手机入口平台www.deyec.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由EPC品牌授权开云手机入口平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,开云手机入口平台不承担任何版权责任。
相关推荐
EPC90155开发板快速入门指南
EPC90155是一款集成了EPC2057 eGaN® FET的半桥开发板,旨在简化EPC2057的评估过程。该板包含两个EPC2057 eGaN FET和EPC2038 GaN FET,以及uPI Semiconductor uP1966E门驱动器。支持单输入和双输入PWM信号输入,可配置死区时间和极性改变电路。提供Buck和Boost转换器配置,支持波形测量和效率计算。
EPC - 开发板,DEVELOPMENT BOARD,半桥式开发板,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,EPC90155,EPC2057,EPC2038
EPC9099开发板200 v半桥,带LMG1210栅极驱动器,使用EPC2215快速入门指南
本资料为EPC9099半桥开发板的快速入门指南,介绍了该开发板的功能、配置和使用方法。EPC9099开发板集成了200V EPC2215 GaN FET和Texas Instruments LMG1210门驱动器,支持降压和升压转换模式,并提供多种配置选项,如单/双PWM输入、死区时间设置和旁路模式。指南详细说明了如何设置和操作开发板,包括连接电源、PWM信号、电感器和输出电容,以及如何进行测量和散热。
EPC - 开发板,DEVELOPMENT BOARD,CC0402JRNPO9BN470,GP5000-0.02,734152063,EPC2215,C0805W223KCRAC7800,691216410002,M50-2020005,SDM03U40-7,C1005X5R1E225M050BC,ERJ-2GEJ4R7X,GPTGP7000ULM-0.020,C1210C154KCRAC7800,SBR1U400P1-7,C1005X5R1E474K050BB,TBD,LMG1210,RC0402FR-0710KL,C1608X7R1E105K080AB,RMCF0402ZT0R00, R,TG-A620,4-103185-0-02,MM5Z5V6ST1G,4-103185-0-04,CC0402KRX7R8BB104,67997-272HLF,EPC9099,ERJ-2GEJ2R2X,ERJ-2GE0R00X,TG-A1780,DFLS1200,GRPB032VWVN-RC,CC0402KRX7R9BB101,M50-2030005
EPC90124开发板
本资料为EPC90124开发板的快速入门指南,介绍了该开发板的功能、配置和使用方法。EPC90124是一款基于EPC2207 GaN FET的200V半桥开发板,包含门极驱动器,适用于多种转换拓扑。指南详细说明了如何设置和操作该开发板,包括单输入和双输入PWM模式,以及如何进行测量和评估性能。此外,还提供了电路图、性能总结表和物料清单。
EPC - 开发板,DEVELOPMENT BOARD,EPC90124
EPC半桥Demo选型表
EPC提供半桥Demo选型:VDS(最大值)(V):20V~350V,Id(RMS最大值)(A):1A~65A
产品型号
|
品类
|
Description
|
VDS max(V)
|
ID(max RMS)(A)
|
Featured Product
|
EPC9086
|
开发板
|
Half Bridge Plus Driver
|
30
|
15
|
EPC2111
|
选型表 - EPC 立即选型
EPC90156开发板快速入门指南
本指南介绍了EPC90156半桥开发板的快速入门,该板集成了100V等级的EPC2361 eGaN场效应晶体管(FET)和门驱动器。它支持单输入或双输入PWM信号,并具有死区时间生成电路以防止直通条件。指南涵盖了如何设置和配置开发板作为降压或升压转换器,包括连接电源、电感器和电容器的说明。此外,还提供了测量波形、效率和热性能的建议,以及有关散热片安装和热界面材料的详细信息。
EPC - 开发板,氮化镓®场效应晶体管,DEVELOPMENT BOARD,EGAN® FIELD EFFECT TRANSISTOR,EGAN® FET,半桥式开发板,氮化镓场效应晶体管,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,EPC90156,EPC2361
EPC90139 40 V半桥,带栅极驱动,使用EPC2069开发板快速入门指南
EPC90139是一款基于40V EPC2069 GaN FET的半桥开发板,旨在简化EPC2069的评估过程。该板包含所有关键组件,支持优化的开关性能,并具有各种探针点,便于波形测量和效率计算。资料详细介绍了如何将开发板配置为降压或升压转换器,包括单输入和双输入模式,以及如何设置死区时间和旁路配置。此外,还提供了测量考虑和热管理方面的信息。
EPC - 开发板,GAN FET,氮化镓场效应管,DEVELOPMENT BOARD,氮化镓场效应电晶体,半桥式开发板,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,GAN FIELD EFFECT TRANSISTOR,EPC2069,EPC90139
EPC90128开发板快速入门指南
EPC90128是一款基于100V EPC2044 eGaN®FET的半桥开发板,旨在简化EPC2044的评估过程。该板包含所有关键组件,支持单输入和双输入PWM信号,并具有死区时间生成电路。资料详细介绍了如何将开发板配置为降压或升压转换器,包括设置跳线、连接电源和负载、测量波形以及考虑热管理等方面。
EPC - 开发板,氮化镓®场效应晶体管,EGAN®FET,DEVELOPMENT BOARD,EGAN FET,半桥式开发板,氮化镓场效应晶体管,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,BOARD,板,EPC2038,EPC90128,EPC2044
EPC90143开发板快速入门指南
本资料为EPC90143半桥开发板的快速入门指南,介绍了该开发板的功能、性能和配置方法。EPC90143开发板集成了150V EPC2305 GaN FET和NCP51820栅极驱动器,支持单输入和双输入模式,可轻松评估EPC2305的性能。指南详细说明了如何设置和操作开发板,包括PWM信号输入、死区时间设置、旁路配置和测量考虑因素。此外,还提供了热性能、效率损失和热耗散曲线等信息。
EPC - 开发板,EGAN FETS,场效应晶体管,FET,DEVELOPMENT BOARD,GAN FETS,氮化镓场效应电晶体,半桥式开发板,氮化镓场效应晶体管,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,GAN FIELD EFFECT TRANSISTOR,EPC90143,EPC2305
EPC90122开发板80 V半桥,带栅极驱动,使用EPC2206快速入门指南
本资料为EPC90122开发板的快速入门指南,介绍了该开发板的功能、性能参数、配置步骤和注意事项。该开发板是一款基于EPC2206 eGaN FET的80V半桥驱动板,适用于降压和升压转换器配置。指南中详细说明了如何连接电源、开关节点、栅极驱动和PWM控制信号,并提供了测量波形和效率计算的方法。此外,还讨论了热管理、测量注意事项和可选组件。
EPC - 开发板,DEVELOPMENT BOARD,EPC90122,EPC2038,EPC2206
开发板EPC9086快速入门指南半桥带门驱动,采用EPC2111
本资料为EPC9086开发板的快速入门指南,介绍了该开发板的使用方法。EPC9086开发板包含EPC2111 eGaNIC和Peregrine Semiconductor PE29102门驱动器,旨在简化EPC2111 eGaNIC的评估过程。指南详细说明了连接、测量设置和操作步骤,并提供性能总结和典型波形图。此外,还讨论了热管理注意事项和开发板物料清单。
EPC - 开发板,DEVELOPMENT BOARD,SDM2U30CSP-7,ERJ-2RKF5902X,RMCF0402FT35K7,BAS40LP-7,ERJ-1GN0R00C,5015,RC0402JR-070RL,C1005X5R1E225M050BC,EPC2111,EPC9086,68602-224HLF,ERJ-3GEY0R00V,RMCF0603FT10K0,MCP1703T-5002E/MC,C1005X5R1E105K050BC,PE29102,GRM188R61E105KA12D,C1005X5R1E104K050BC,4-103185-0,CD0603-Z5V1,NC7SZ08L6X
EPC9067开发板快速入门指南:EPC8009 65 V半桥,带同步FET自举栅极驱动
EPC9067开发板是一款65V最大电压、2.7A最大输出电流的半桥式开发板,集成了EPC8009增强型(eGaN®)场效应晶体管(FET)和EPC2038 eGaN FET同步FET自举电路。该板旨在简化EPC8009 eGaN FET的评估过程,包括所有关键组件,便于连接到任何现有转换器。板上有各种探头点,便于波形测量和效率计算。资料提供了快速启动指南,包括设置和测量步骤,以及注意事项。
EPC - 开发板,EGAN FETS,场效应晶体管,FET,DEVELOPMENT BOARD,氮化镓场效应晶体管,ENHANCEMENT MODE (EGAN®) FIELD EFFECT TRANSISTOR,增强型(氮化镓®)场效应晶体管,EPC8009,EPC2038,EPC9067
开发板EPC90139快速入门指南
本资料为EPC90139半桥开发板的快速入门指南,介绍了该开发板的功能、性能参数、使用方法和注意事项。EPC90139是一款集成了40V EPC2069 GaN FET和EPC2038 GaN FET的半桥开发板,可简化EPC2069的评估过程。资料详细说明了如何设置和配置开发板作为降压或升压转换器,包括PWM信号输入设置、死区时间设置和旁路设置。此外,还提供了测量考虑、热管理建议和物料清单。
EPC - 氮化镓场效应电晶体,带闸门驱动的半桥,半桥式开发板,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,GAN FIELD EFFECT TRANSISTOR,HALF-BRIDGE WITH GATE DRIVE,EPC2038,74LVC1G99GT,115,734152063,08051C105K4Z2A,691216410002,HMK107C7224KAHTE,M542030005,C1005X5R1A475K050BC,M50-2020005,SDM03U40-7,CC0402JRNP09BN470,ERJ-2GEJ4R7X,TBD,RC0603FR-07120RL,EPC90139,RC0402FR-0710KL,9774010243R,C1608X7R1E105K080AB,RMCF0402JT20R0,EPC2069,BAT54KFILM,RMCF0402ZT0R00,4-103185-0-02,4-103185-0-04,5015,EPC90139B5268,RC0402FR-071RL,CC0402KRX7R8BB104,67997-272HLF,ERJ-2GEJ2R2X,UP1966A,ERJ-3GEY0R00V,ERJ-2GEJ273X,GRPB032VWVN-RC,CC0402KRX7R9BB101,SS2PH10-M3,MCP1703T-5002E/MC,SN74LVC1G66DBV,C1005X7R1E223K050BB,CD0603-Z5V1
开发板EPC90147快速入门指南:100 V半桥,带栅极驱动,使用EPC23102
本资料为EPC90147开发板的快速入门指南,介绍了该开发板的功能、配置和使用方法。EPC90147是一款100V最大电压的半桥开发板,集成了EPC23102 ePower™ FET,用于简化EPC23102的评估过程。指南详细说明了如何设置和操作该开发板,包括单输入和双输入模式、死区时间设置、旁路配置以及如何将其配置为降压或升压转换器。此外,还提供了测量考虑、热管理和实验验证的相关信息。
EPC - 开发板,DEVELOPMENT BOARD,EPC90147
EPC9066开发板快速入门指南:带同步FET自举栅极驱动的EPC8004 40 V半桥
EPC9066开发板是一款基于EPC8004 eGaN FET的40V半桥开发板,具备2.7A最大输出电流。该板集成了EPC2038 eGaN FET同步栅极驱动电路,可简化EPC8004 eGaN FET的评估过程。板载所有关键组件,支持ZVS类D或Buck转换器配置。提供详细性能参数、连接方法和操作步骤,适用于实验室环境下的产品评估。
EPC - 开发板,场效应晶体管,FET,DEVELOPMENT BOARD,EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,ENHANCEMENT MODE (EGAN®) FIELD EFFECT TRANSISTOR,增强型(氮化镓®)场效应晶体管,EPC9066,EPC8004
开发板EPC90132快速入门指南:带栅极驱动的40 v半桥,使用EPC2055
本资料为EPC90132开发板的快速入门指南,介绍了该开发板的功能、配置和使用方法。EPC90132是一款基于40V EPC2055 GaN FET的半桥开发板,适用于评估EPC2055的性能。指南详细说明了如何设置和操作该开发板作为降压或升压转换器,包括PWM信号输入设置、死区时间设置和旁路设置。此外,还提供了测量考虑因素和热管理建议。
EPC - 开发板,DEVELOPMENT BOARD,氮化镓场效应管,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,半桥式开发板,GAN FET,EPC2038,EPC90132,EPC2055,BUCK CONVERTER,升压转换器,降压式变换器,BOOST CONVERTER
电子商城
登录 | 立即注册
提交评论