EPC23102 – ePower™ Stage IC eGaN® FET DATASHEET
●电子电源™ Stage IC产品系列集成了输入逻辑接口、电平移位、自举充电和栅极驱动缓冲电路以及氮化镓输出FET。使用EPC的专有氮化镓IC技术实现集成。最终结果是一种功率级IC,它将逻辑电平输入转换为尺寸更小、更易于制造、设计更简单、操作更高效的高电压和高电流功率输出。
●封装尺寸:3.5 x 5 mm
●应用
■降压、升压、降压-升压转换器
■半桥、全桥LLC转换器
■电机驱动逆变器
■D级音频放大器
●特征
■集成高端和低端氮化镓®FET,带内部栅极驱动器和电平转换器
■5V外部偏置电源
■3.3 V或5 V CMOS输入逻辑电平
■独立的高压侧和低压侧控制输入
■当输入同时为高电平时,逻辑锁定命令两个FET关闭
■外部电阻器,用于调整SW开关时间和轨上和地下的过电压峰值
■适用于硬开关和软开关条件的鲁棒电平转换器
■快速开关瞬态的误触发抗扰度
■高压侧自举电源的同步充电
■禁用输入启用VDRV电源的低静态电流模式
■低侧VDD电源的通电复位
■高压侧VBOOT电源欠压锁定
■失去VDRV电源的HS FET和LS FET的有源栅极下拉
■热增强型QFN封装,顶部外露,从接头到顶部散热片的热阻低
EPC23102–ePower™Stage IC eGallium Nitrium®FET规格书 |
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[ 降压-升压转换器 ][ 全桥LLC变换器 ][ 升压变换器 ][ 巴克变换器 ][ 半桥LLC转换器 ][ D类音频放大器 ][ 电机驱动逆变器 ] |
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数据手册,DATASHEET |
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详见资料 |
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QFN |
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中文 英文 中英文 日文 |
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December, 2022 |
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2.3 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
|
ID(A)
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Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
|
0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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