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无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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500
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47
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2.5
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4
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0.043
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0.06
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TPG65R175MH 650V Super-Junction Power MOSFET
本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics Co., Ltd生产的650V超级结功率MOSFET（TPG65R175MH）。该器件采用超结技术，适用于消费和照明市场的低成本敏感应用。它具有非常低的导通电阻和电荷量，以及经过雪崩测试的可靠性。
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无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表
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产品型号
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品类
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Product State
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封装形式
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max
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BVdss（V） min
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BVdss（V） typ
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ID（A）
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Vth（V）min
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Vth（V）max
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应用建议
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TPW120R800A
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SJ-MOSFET
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M
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TO-247
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640
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800
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1200
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1320
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12
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2.5
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4
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辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源
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TPA120R800A，TPB120R800A，TPW120R800A1200V超级结功率MOSFET
本资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的1200V超级结功率MOSFET产品系列，包括TPA120R800A、TPB120R800A和TPW120R800A。这些器件采用深沟槽技术，提供极低的开关、传导损耗，适用于高电压应用，具有高效能、轻便和耐用的特点。
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TPV65R090M 650V Super-Junction Power MOSFET
本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics Co., Ltd生产的650V Super-Junction Power MOSFET（TPV65R090M）。该器件采用超结技术，适用于消费和照明市场的低成本敏感应用。它具有非常低的导通电阻和电荷量，以及100%雪崩测试，符合RoHS标准。
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TPD50R360D、TPU50R360D 500V超级结功率MOSFET
本资料介绍了无锡微电子有限公司生产的500V Super-junction Power MOSFET，型号为TPD50R360D和TPU50R360D。该器件采用深沟槽Super-junction技术，具有极低的开关、通信和导通损耗，适用于高频共振切换应用，提供更高的可靠性和效率。
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TPA90R350A、TPB90R350A、TPP90R350、TPW90R350 900V超结功率MOSFET\r
该资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的四种900V Super-junction Power MOSFET器件：TPA90R350A、TPB90R350A、TPP90R350A和TPW90R350A。这些器件采用深沟槽Super-junction技术，具有非常低的开关损耗、传导损耗和通态电阻，适用于高电压应用。
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TPA60R260MFD 600V Super-Junction Power MOSFET
本资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的TPA60R260MFD型600V超级结功率MOSFET。该器件采用先进的Super-junction技术，具有超快体二极管、极低开关损耗和传导损耗等特点，适用于多种高电压应用。
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本资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的四种800V超级结功率MOSFET产品：TPA80R250A、TPP80R250A、TPR80R250A和TPW80R250A。这些器件采用深沟槽技术，具有极低的开关损耗、传导损耗和通态电阻，适用于高电压应用。
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TPA65R2K2C、TPD65R2K2C、TPU65R2k2C 650V超级结功率MOSFET
该资料介绍了无锡紫光微电子有限公司生产的650V Super-junction Power MOSFET器件。这些MOSFET采用深沟槽Super-junction技术，具有极低的开关、通信和导通损耗，适用于高频共振切换应用，提供更高的可靠性和效率。
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本资料介绍了无锡紫光微电子公司的500V Super-junction Power MOSFET产品TPD50R1K5CT和TPU50R1K5CT。该产品采用Super-junction技术，具有低开关损耗、高可靠性的特点，适用于多种电源转换应用。
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本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics Company生产的500V Super-junction Power MOSFET——TPA50R1K6C。该器件采用Super-junction技术，具有低开关损耗、高鲁棒性的特点，适用于多种高压功率MOSFET应用。
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TPW60R028DFD 600V超级结功率MOSFET\r
本资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的TPW60R028DFD型号600V超级结功率MOSFET。该器件采用深沟槽技术，具有超低开关、传导和通态损耗，适用于高频应用，提供更高的可靠性和效率。
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TPA65R160C、TPB65R160C、TPP65R160c、TPR65R160c、TPV65R160 650V超级结功率MOSFET
本资料介绍了无锡微电子有限公司生产的650V超级结功率MOSFET系列产品，包括TPA65R160C、TPB65R160C、TPP65R160C、TPR65R160C和TPV65R160C。这些器件采用深沟槽超级结技术，具有非常低的开关损耗、传导损耗和通态电阻乘以电荷量（FOM），适用于各种高电压应用。
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TPA65R620CFD 650V超级结功率MOSFET
本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics Co., Ltd生产的650V Super-junction Power MOSFET——TPA65R620CFD。该器件采用深沟槽Super-junction技术，具有低开关损耗、传导损耗和优异的鲁棒性，适用于高频共振切换应用。
无锡紫光微 - SUPER-JUNCTION POWER MOSFET,超结功率MOSFET,TPA65R620CFD,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,充电器,UPS,SMPS,CHARGER,SWITCH MODE POWER SUPPLY
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