EPC2040 spectre models

EPC2040设计模型

EPC  -  EPC2040

基板供应商替代产品/工艺变更通知（PCN）（PCN240501）

EPC宣布Wafer Works成为Si基板第二家批准供应商，拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works的基板生产设备。受影响的销售部分编号见附录I。

EPC  -  EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2014C,EPC2016C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC8010,EPC2069,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2202,EPC2029,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2221,EPC2022,EPC7014,EPC8004,EPC2716C

【视频】EPC GaN驱动脉宽短至2ns，尺寸有硅MOS的10%，完美匹配激光二极管ToF方案

本文主要介绍了激光雷达技术，包括其组成、种类、应用案例以及激光雷达专用eToF GaN IC的设计与控制。文章详细阐述了激光雷达的驱动设计与控制，包括杂散电感的影响、使用氮化镓的优势等。此外，还比较了DTOF与iToF的优缺点，并分析了脉冲形状的重要性。最后，文章介绍了EPC公司提供的GaN FET和IC解决方案，以及其在激光雷达系统中的应用。

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EPC耐压100V、瞬时电流高达75A的车规级GaN FET及实现<2ns的超短脉冲GaN IC

本文主要介绍了激光雷达技术，包括其组成、种类、应用案例、工作原理以及相关技术细节。重点讨论了激光雷达的驱动设计与控制，特别是使用氮化镓（GaN）FET的优势，以及GaN IC在激光雷达中的应用。文章还分析了激光雷达系统对脉冲功率的要求，以及如何通过优化PCB布局设计来降低寄生电感。

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基板供应商替代产品/工艺变更通知（PCN）（PCN240531）

EPC宣布Wafer Works成为第二家合格的Si基板供应商，拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works的基板生产设备。受影响的销售产品编号见附录I。

EPC  -  EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2014C,EPC2016C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC8010,EPC2069,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2202,EPC2029,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2221,EPC2022,EPC7014,EPC8004,EPC2716C

EPC（宜普）增强型氮化镓(GaN) FET/IC 快速参考指南

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统的硅基功率转换技术相比，eGaN®技术具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低导通电阻、快速器件、低电容和低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和设计支持，以及其在无线电源、射频放大器、电机驱动、医疗、模拟开关和LED照明等领域的应用。

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用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术通过提供快速开关、高效率和紧凑尺寸，支持长距离和短距离激光雷达系统，实现更高分辨率、更远距离和更安全的应用。文档详细介绍了eGaN技术在激光雷达设计中的优势，包括高电流脉冲、窄脉冲宽度演示板和eToF™激光驱动器ICs。此外，还提供了推荐器件和配置信息，以支持不同类型的激光雷达系统。

EPC  -  HIGH CURRENT, NARROW PULSE WIDTH DEMO BOARDS,开发板,大电流、窄脉冲宽度演示板,氮化镓®场效应晶体管,氮化镓集成电路,EGAN® FETS,EGAN®集成电路,大电流脉冲激光二极管驱动演示板,HIGH CURRENT PULSED LASER DIODE DRIVER DEMO BOARD,ETOF™ LASER DRIVER ICS,氮化镓场效应晶体管,ETOF™激光驱动器IC,DEMO板,GAN TRANSISTORS,DEMO BOARD,EGAN® ICS,EGAN FET,DEVELOPMENT BOARD,EGAN ICS,氮化镓晶体管,GAN INTEGRATED CIRCUITS,EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC9049,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2055,EPC90156,EPC2218A,EPC9087,EPC90153,EPC2302,EPC2306,EPC8002,EPC2065,EPC21702,EPC9179,EPC21701,EPC2221,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9092,EPC9050,EPC90146,EPC9172,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2034C,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2071,EPC9144,EPC90132,EPC9022,EPC9180,EPC90137,EPC9181,EPC2204A,EPC9005C,EPC2204,EPC2040,EPC9156,EPC21603,EPC2361,EPC21601,EPC2088,EPC90123,EPC9154,EPC9150,机器人学,AUTONOMOUS VEHICLES,飞行时间（TOF）/激光雷达系统,DRONES,自动驾驶汽车,ROBOTICS,无人机,TIME OF FLIGHT(TOF)/LIDAR SYSTEMS,飞行时间/激光雷达,TIME-OF-FLIGHT/LIDAR

eGaN® FETs and ICs for Time-of-Flight/Lidar 应用简介

本文介绍了eGaN®技术及其在飞行时间/激光雷达系统中的应用。eGaN® FETs和ICs能够提供高电流脉冲，适用于长距离和短距离激光雷达系统，如自动驾驶车辆和碰撞避免。文章还列举了eGaN®技术的优势，包括快速开关、高效率、小尺寸和低成本。此外，还提供了相关演示板和器件型号的详细信息。

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EPC2040–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据手册

本资料为EPC2040增强型功率晶体管的数据表。该器件采用氮化镓技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），适用于高速直流-直流转换、激光雷达脉冲电源应用和高效率电力转换等领域。

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材料成分申报EPC2040

本资料为EPC2040元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2017年9月22日发布。声明中详细列出了该元器件的各个构造元素及其对应的物质、CAS编号、重量百分比和总质量百分比。声明指出，所提供的数据为近似值，基于工程计算，可能因技术要求和开发而随时更改。EPC可能不通知即更新此文件。声明可能不包括成品中电气设备内掺杂剂和金属材料的微量信息。

EPC  -  EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2040

EPC2007C产品/工艺变更通知

EPC宣布MSEC工厂获得胶带和卷盘组装资格，将开始生产附录I中列出的销售产品。此次变更不影响产品形式、尺寸或功能，且MSEC工厂已通过质量可靠性测试。客户在过渡期间可能从任何批准的EPC组装工厂接收货物。

EPC  -  EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC8009,EPC2037,EPC2106,EPC2014C,EPC2039,EPC2108,EPC2016C,EPC2107,EPC2007C,EPC8002,EPC2040,EPC8004,EPC8010