EPC2901C_55 – Enhancement Mode Power Transistor eGaN® FET DATASHEET

2024-06-14
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●氮化镓极高的电子迁移率和低温系数允许极低的RDS(导通),而其横向器件结构和多数载流子二极管提供了极低的QG和零QRR。最终的结果是,该器件可以处理非常高的开关频率和低导通时间有益的任务,以及导通损耗占主导地位的任务。

●优点
■超高效率
■超低开关和传导损耗
■零QRR
■超小占地面积

EPC2901C_55–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书

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