GaN Reliability and Lifetime Projections: Phase 16

时间： 2024-10-24

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■氮化镓（氮化镓）器件在许多不同应用中的快速采用需要不断积累可靠性统计数据，并对氮化镓器件（包括集成电路（IC））故障的基本物理进行研究。还需要从现实世界的经验中寻找信息，这些信息要么证实了实验室得出的数据，要么对任务的稳健性提出了新的问题。本第16阶段可靠性报告记录了使用测试失效方法的持续工作，并增加了提高热机械可靠性的指导方针。

中文标题（翻译）:	氮化镓可靠性和寿命预测：第16阶段
厂牌:	EPC
型号:	EPC21601、EPC21701、EPC2302、EPC23102、EPC2218A 查看更多 Part#
品类:	氮化镓器件、低压氮化镓功率器件、氮化镓晶体管、DC-DC转换器、氮化镓场效应晶体管、离散场效应晶体管、氮化镓激光雷达集成电路、单片硅基氮化镓激光器驱动器集成电路、ETOF激光驱动器IC 查看更多
应用:	[ 直流-直流 ][ 激光雷达 ][ 太阳的 ][ 电动机驱动 ][ 光探测 ][ 测距 ] 查看更多
资料类型:	可靠性报告,RELIABILITY REPORT,测试报告查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	QFN;CSP;PQFN 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2024/2/21
过期日期:
版本号:
文档编码:
文件大小:	9.5 MB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	开云手机入口平台www.deyec.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	开云手机入口平台电子商城www.deyec.com/supply/
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EPC氮化镓®FET鉴定报告EPC21603

本报告总结了EPC21603产品认证结果，该产品符合所有认证要求并已投入生产。报告涵盖了EPC21603的组件级认证测试，包括预处理、温度湿度偏置、温度循环、湿度敏感度等级1和静电放电灵敏度测试。测试结果显示，EPC21603在所有测试中均表现良好，满足产品规格要求。

EPC - ETOF™激光驱动器集成电路,氮化镓®场效应晶体管,ETOF™ LASER DRIVER INTEGRATED CIRCUIT,EGAN® FET,ETOF™激光驱动器IC,ETOF™ LASER DRIVER IC,EPC21603,EPC21701,EPC21601

2023/4/21 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

氮化镓可靠性和寿命预测：第14阶段可靠性报告

本报告探讨了氮化镓（GaN）器件的可靠性与寿命预测。内容包括测试策略、失效机制分析、基于物理模型的寿命方程推导，以及对实际应用案例的分析。研究指出，与硅基MOSFET相比，GaN器件更坚固耐用，但其内在失效模型在极端或长期电应力条件下不适用。报告还讨论了电压、电流、温度和湿度等不同应力条件下的失效机制，并提供了相应的可靠性数据和建议。

EPC - GAN TRANSISTORS,降压转换器,BUCK CONVERTER,氮化镓晶体管,EPC2212,EPC2203,EPC2034C,EPC2001C,MC7885-UFS,EPC2207,ECCOBOND-UF1173,XS8410-406,EP3UF,EPC2052,EPC2051,EPC2053,U8437-2,MC7885-UF

2022/1/25 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

EPC - EGAN FET,EGAN TRANSISTORS,GAN DEVICES,GAN TRANSISTOR,氮化镓晶体管,氮化镓器件,氮化镓场效应晶体管,EPC2212,EPC2036,EPC2203,EPC2034C,EPC2001C,EPC2014C,EPC2207,EPC2016C,EPC2206,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC2045,EPC21701,EPC21601

2023/4/12 - 测试报告代理服务技术支持采购服务查看更多版本

EPC eGaN®FET/晶体管选型表

EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V

Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS

Enhancement Mode Power Transistor

选型表 - EPC 立即选型

GaN Transistor for Several Power Applications

GaN transistors are significantly faster and smaller than silicon MOSFETs. The performance of GaN shows that efficiency and performance have improved significantly, leading to several new applications that were not possible with silicon technology. eGaN® FETs, from EPC, are supplied in a low inductance, low resistance, small and low-cost LGA or BGA packages. In addition, they offer designers the best in class compared to MOSFETs in both hard switching and soft-switching applications.

2020-05-17 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

EPC Space Achieves GaN JANS MIL-PRF-19500 Certification

EPC Space, a leader in radiation-hardened (Rad Hard) GaN-on-silicon transistors and ICs, is pleased to announce that both its Andover, Massachusetts facility and its wafer fabrication facility in Taiwan have been certified under the JANS MIL-PRF-19500 standard.This certification marks a significant milestone, highlighting EPC Space‘s commitment to excellence and its role as a leader in providing top-tier semiconductor solutions for critical space applications.

2025-01-22 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【IC】EPC推出新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC，实现更高功率密度激光雷达系统

宜普电源转换公司（EPC）推出新型氮化镓集成电路EPC21701，这是一款80V激光驱动器IC，可提供15A脉冲电流，适用于飞行时间激光雷达应用（ToF激光雷达应用），包括真空吸尘器、机器人、3D安全摄像头和3D传感器。

2023-01-18 - 新产品代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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2023/7/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务查看更多版本

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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April 2023 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

该资料介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比硅基器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。资料详细阐述了eGaN®器件的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，如汽车、无线电源、医疗设备等。

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2023/1/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换解决方案。与传统硅器件相比，eGaN®晶体管和集成电路具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了其在提高能效和系统密度方面的优势，并列举了其在多个应用领域的潜力。

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2022/7/2 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、无线充电、电机驱动和医疗等领域的应用。

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June, 2022 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（Gallium Nitride）的半导体技术。该技术具有比传统硅基器件更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章重点强调了eGaN FET和集成电路在提高功率转换效率方面的优势，并列举了其在不同应用领域的潜力。

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2021/12/17 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

该资料主要介绍了eGaN®技术及其在功率转换领域的应用。eGaN®技术基于氮化镓（GaN）材料，相比传统硅材料具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。资料详细阐述了eGaN®器件的优势，包括低导通电阻、快速开关、低电容、低驱动功率和集成化设计。此外，还提供了eGaN®器件在汽车、无线电源、电机驱动、医疗和LED照明等领域的应用案例，以及相关的开发板和演示电路信息。

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2021/12/16 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。eGaN®晶体管和集成电路相比硅基器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了GaN器件在降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需功率方面的优势。此外，还提到了GaN技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，包括汽车、无线电源、医疗和LED照明等。

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2021/11/25 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件的可靠性、成本效益和设计支持，以及其在汽车、无线充电、医疗和LED照明等领域的应用。

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2021 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、DC-DC转换器、LiDAR、无线充电、RF放大器、电机驱动和医疗等领域的应用。

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2021 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

低压氮化镓晶体管-应用和可靠性

本文主要介绍了eGaN®FET技术的最新进展，包括技术更新、可靠性更新、应用更新和总结。文章重点讨论了eGaN FET在降低导通电阻、减少电容、电感、热阻和尺寸方面的优势，以及其在无线充电、LiDAR、包络跟踪、网络和服务器电源供应、卫星系统、高分辨率音频、节能照明、高分辨率MRI成像、交流适配器和机器人等领域的应用。此外，文章还对比了MOSFET和eGaN FET的成本，并展望了eGaN技术的未来发展方向。

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2019/07/10 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

从48V到负载电压：用氮化镓晶体管改善低压DC-DC转换器性能

本文探讨了使用氮化镓（GaN）晶体管提高低电压直流-直流转换器性能的方法。文章首先介绍了GaN技术的最新进展，包括其低导通电阻、快速开关速度和较小的尺寸优势。接着，文章详细讨论了eGaN FET的设计基础，包括栅极驱动、热管理和布局设计。此外，文章还比较了MOSFET和eGaN FET的成本，并展示了如何通过优化布局和热管理来提高效率。最后，文章展望了GaN技术的未来发展方向。

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March, 2016 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务查看更多版本

USB功率传输的进步：氮化镓技术的效率和高功率密度

本文探讨了USB技术，特别是USB Power Delivery (USB PD) 3.1规范的演变，以及GaN技术在提高功率传输效率和密度中的作用。文章强调了现代电子设备日益增长的功率需求带来的挑战，并说明了GaN技术如何解决这些挑战。文章以EPC9195为例，展示了高功率密度USB PD充电器的设计，强调了GaN晶体管和模拟控制器在实现高效率和紧凑性方面的优势。实验结果证明了该设计的性能和效率，使其成为需要USB PD 3.1兼容性的下一代电子设备的理想解决方案。

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May 2024 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

极端氮化镓–当氮化镓®FET暴露于远高于数据手册限制的电压和电流水平时会发生什么

本文探讨了宽禁带氮化镓（GaN）器件在超出数据表极限电压和电流条件下的表现。文章介绍了高效功率转换公司（EPC）对第五代100V额定EPC2045 eGaN FET进行的测试，分析了其在硬开关条件下承受高达150V漏源偏置的情况。此外，还讨论了超过数据表最大脉冲电流限制的短路电流测试结果。

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2021/05/16 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

EPC2152 GaN Integrated Power Stage – Redefining Power Conversion

This complete power stage, the EPC2152 ePower™ Stage, can be driven at multi-megahertz frequencies and controlled by a simple ground-referenced CMOS IC, and with just a few added passive components, could become a complete DC-DC regulator. Integrated devices in a single chip are easier to design, easier to layout, easier to assemble, save space on the PCB, and increase efficiency.

2020-07-15 - 新产品代理服务技术支持采购服务

Design Higher Power Density USB-C PD Applications with New 50V GaN FET in Tiny 1.8mm² Footprint from EPC

EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN) power FETs and ICs, launches the 50 V, 8.5 mΩ EPC2057aN FET is specifically designed to meet the evolving needs of high-power USB-C devices including those used in consumer electronics, in-car charging, and eMobility.

2024-06-13 - 产品代理服务技术支持采购服务

高频24v-to-1v DC-DC转换器使用EPC的氮化镓（galliumnitrin）功率晶体管

本文介绍了使用EPC的氮化镓（GaN）功率晶体管设计的转换器与传统硅基功率MOSFET相比的优势。EPC的GaN晶体管是新一代功率开关，在速度、开关和静态损耗（Rdson）方面提供了无与伦比的性能，同时具有优异的热特性。文章详细讨论了GaN晶体管在24V至1V直流直流转换器中的应用，包括其高开关速度、低静态和开关损耗、小型化设计以及易于集成的特点。通过实际案例和图表，展示了GaN晶体管在提高系统效率和性能方面的优势。

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2017/06/16 - 技术文档代理服务技术支持采购服务