EPC2069 – Enhancement Mode Power Transistor DATASHEET
●氮化镓的极高电子迁移率和低温度系数允许非常低的RDS（on），而其横向器件结构和多数载流子二极管提供了非常低的QG和零QRR。最终的结果是，该器件可以处理非常高的开关频率和低导通时间有益的任务，以及导通损耗占主导地位的任务。
●Benefits
■High Power Density
■High Efficiency
■No Reverse Recovery
■Ultra Low QG
■Small Footprint
■High Frequency Capabilit
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EPC2069–增强型功率晶体管规格书 |
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[ 直流-直流 ][ 同步整流 ][ 高频DC-DC变换器 ][ 交直流 ][ 无刷直流电动机驱动 ] |
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数据手册,DATASHEET |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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October, 2024 |
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1.5 MB |
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
|
6
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30
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0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
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