Using Enhancement Mode GaN-on-Silicon Power FETs (eGaN® FETs) APPLICATION NOTE
●Efficient Power Conversion Corporation（EPC）的超快增强型氮化镓（氮化镓）功率晶体管提供了远远超出硅基功率MOSFET领域的性能改进。标准功率转换器拓扑结构可以极大地受益于当前MOSFET设计无法实现的性能提升和性能飞跃；在保持转换器设计简单性的同时提高转换器效率。
●使用氮化镓FET与使用现代功率MOSFET非常相似。然而，由于性能明显更好，需要额外的设计和测试考虑，以确保某些设备得到有效和可靠的使用。
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使用增强型硅上氮化镓功率FET（氮化镓®FET）应用笔记 |
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氮化镓功率晶体管、氮化镓®场效应晶体管、增强型硅基氮化镓功率场效应晶体管、超高速增强型氮化镓功率晶体管、氮化镓晶体管、氮化镓场效应晶体管 |
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[ 转换器 ] |
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APPLICATION NOTE,应用笔记,应用笔记或设计指南 |
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详见资料 |
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LGA |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2023/7/12 |
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AN003 |
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1.4 MB |
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
|
0.23
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0.14
|
0.42
|
0
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86
|
67
|
20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
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