EPC（宜普）开发板EPC9048快速入门指南

发布时间： 2017-07-13 品牌： EPC

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EPC9048开发板采用半桥拓扑结构，带有板载栅极驱动器，采用EPC2034 egallium氮化物®场效应晶体管（FET）。这些开发板的目的是简化这些氮化镓场效应晶体管的评估过程，方法是将所有的关键部件都包含在一块可以轻松连接到任何现有转换器的单板上。开发板为2“x 1.5”，包含两个半桥结构的氮化镓场效应晶体管，采用德州仪器UCC27611门驱动器、电源和旁路电容器。电路板包含所有关键元件和布局，以实现最佳的交换性能。也有各种各样的探针点，以方便简单的波形测量和效率计算。完整的电路框图如图1所示。有关EPC2034氮化镓场效应晶体管的更多信息，请参阅EPC提供的数据表，网址：www.epc-co.com。数据表应与本快速入门指南一起阅读

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EPC（宜普）开发板EPC9002C快速入门指南

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EPC（宜普）开发板EPC9054快速入门指南

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EPC（宜普）开发板EPC9010快速入门指南

本资料为EPC9010开发板快速入门指南，介绍了如何使用EPC2016 *eGaN* FET进行高效功率转换。指南详细说明了开发板的设置、连接和测量方法，包括半桥电路的搭建、PWM控制信号连接、电源和地线的连接等。此外，还提供了热管理注意事项和典型波形图，以及开发板的物料清单。

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EPC eGaN®FET/晶体管选型表

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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS

Enhancement Mode Power Transistor

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EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）

本文介绍了eGaN® FET技术，一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比，eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势，包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等，并提供了选型指南和设计支持资源。

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EPC Half-Bridge Development Boards 选型表

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本文探讨了使用氮化镓（GaN）晶体管提高低电压直流-直流转换器性能的方法。文章首先介绍了GaN技术的最新进展，包括其低导通电阻、快速开关速度和较小的尺寸优势。接着，文章详细讨论了eGaN FET的设计基础，包括栅极驱动、热管理、成本比较和功率封装。此外，文章还提供了设计实例，包括布局优化、并联器件和热建模，以实现高效能和可靠的应用。

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EPC氮化镓晶体管选型表

EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。

产品型号	品类	最大耐压（V）	持续电流(A)	导通阻抗(mΩ)	导通电荷(nC)	峰值电流(A)	封装（mm)
EPC2040	Enhancement Mode Power Transistor	15V	3.4A	30mΩ	0.745nC	28A	BGA 0.85 mm*1.2mm

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EPC eGaN FETs and ICs 选型表

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EPC（宜普）ZVS D类放大器用于高度谐振无线电力传输的氮化镓场效应晶体管开关拓扑介绍

本文介绍了使用eGaN® FET技术的ZVS Class-D放大器在高度谐振无线能量传输中的应用。文章详细讨论了A4WP Class-3规范的要求，包括阻抗和线圈驱动要求。通过实验结果，展示了eGaN® FET在ZVS Class-D放大器中的高效性能，与MOSFET相比，eGaN® FET在效率、温度控制和板空间节省方面具有显著优势。

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2017年08月25日 - 培训文档-商品应用及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

EPC（宜普）低功率E类无线能量转换器中eGaN®FET的性能评估

本文探讨了eGaN® FET在低功率高频无线能量转换器中的应用。文章分析了eGaN® FET的优势，包括低CISS和COSS、低RDS(on)、低剖面尺寸等。通过实验验证了eGaN® FET在单端E类、阻抗匹配滤波器、差分模式等拓扑结构中的性能。实验结果显示，eGaN® FET在效率、输出功率等方面优于MOSFET，并支持新型拓扑结构，如ZVS Class D。

EPC - 电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC8009,EPC2012,公共安全设备,工业电子,消费电子,军工设备,汽车电子,通信设备

2017年08月28日 - 培训文档-商品应用及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管，能量效率最高可达90%

EPC 公司推出的GaN功率晶体管EPC2100,漏源电压VDS最大值为30V（连续），驱动电压范围-4V~6V，工作温度范围-40℃~150℃,最大工作频率超过10MHz,应用于高频DC-DC电源转换和负载点（POL）转换器等方面。

2018-03-16 - 新产品代理服务技术支持采购服务

EPC（宜普）采用E类放大器拓扑的低功率及高频无线电源转换器对eGaN®FET的性能进行评估（中文版）

本文探讨了氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）在低功率及高频无线电源转换器中的应用。文章分析了eGaN® FET的低导通电阻、低损耗和低尺寸优势，并通过实验验证了其在E类放大器和ZVS D类放大器中的应用效果。与MOSFET相比，eGaN® FET在效率、频率和尺寸方面具有明显优势，有望推动无线电源传送技术的发展。

EPC - 电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC8009,EPC2012,公共安全设备,工业电子,消费电子,军工设备,汽车电子,通信设备

2017年08月28日 - 培训文档-商品应用及供应商介绍代理服务技术支持采购服务