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90KW新能源大巴电机驱动逆变单元选用Infineon 1200V/600A EconoDUAL半桥IGBT模块，因成本过高，想选择一款低成本Pin-Pin兼容 的方案，请问是否有合适型号推荐？
推荐Vincotech E3 IGBT模块A0-VS122PA600M7-L759F70，可Pin-Pin兼容Infineon EconoDUAL半桥IGBT功率模块，规 格为1200V/600A，同时可降低5~10%设计成本，可满足设计需求。
请问下有替代英飞凌的型号FF450R12KT4吗？
推荐世强代理的Vincotech有相同规格的IGBT模块，是新推出的E3模块，型号为A0-vx122pa450m7，规格为450A/1200V半桥模块，封装为EconoDUAL3。
在电梯变频器上，有什么器件可以替换英飞凌的KT3，75A的IGBT模块？
世强代理的Vincotech产品线可能会在18年下半年提供KT3封装的50A、75A的IGBT模块，目前暂时没有可替换产品。
伺服产品有使用英飞凌1200V 35A Easy封装IGBT模块FS35R12W1T4_B11，是否有合适产品推荐替换？
推荐Vincotech1200V 35A flowE1封装IGBT模块10-EZ126PA035M7-L859F78T，采用三菱M7晶圆，成本更低供货更有保障，资料链接：/doc/614995.html。
三菱 和 英飞凌的IGBT模块，对比有啥优缺点
首先不兼容，英飞凌贵点，三菱性能也不错。可以尝试用世强代理的VINCOTECK ，有和英飞凌完全替换的，性价比高！
IGBT驱动器短路保护功能的测试方式
IGBT驱动器在应用中主要解决的问题就是如何在过流过流、短路和过压的情况下对igbt实行比较完善的保护。短路故障发生发瞬间就会产生极大的电流，很快就会损坏IGBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由驱动电路或驱动器立刻加以保护，本文SEMI-FUTURE森未科技就详细说说IGBT驱动器短路保护功能的测试方式。
IGBT驱动器项目，用在电力特高压直流输电的柔直阀上，所以电压等级要求4500V，只接受PI品牌驱动电路，烦请帮忙协助选型。
推荐PI的高压IGBT驱动模块SCALE-2 1SC0450E,具有50A的输出电流，6W输出功率，高压达4.5KV和6KV的单通道门极驱动。
BLD2113 高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器
BLD2113是一款高压、高速的MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧输出通道。该驱动器适用于高达600V的应用，逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉导通。
上海贝岭 - 功率MOSFET和IGBT驱动器,BLD2113,高功率和中功率电机驱动器,功率MOSFET或IGBT驱动器,照明镇流器
MOSFET/IGBT驱动器理论与应用
本文详细介绍了MOSFET和IGBT驱动器的理论及应用。内容涵盖MOSFET和IGBT技术、驱动器类型、隔离技术、IXYS系列MOSFET/IGBT驱动器技术细节和特点。文章重点阐述了驱动器的开启和关闭现象、功率损耗、不同驱动器类型及其应用，以及IXYS驱动器的技术优势和应用实例。
IXYS - MOSFET DRIVERS,IGBT驱动器,MOSFET驱动器,IGBT DRIVERS,IXBD4410,IXBD4411,IXDD408,IXDD404,IXDD415,IXDD414,IXDD
在设计光伏逆变器功率电路时，IGBT驱动电路采用的光耦HCPL-3120，其输出侧推挽电路压降为2.5V，导致IGBT驱动电压偏低，请帮忙推荐合适的驱动产品，可以帮助提高IGBT驱动电压？
在光伏逆变器中，IGBT的驱动电压建议为+15V，驱动电压偏低会导致IGBT的导通损耗偏大。推荐采用Silicon Labs的隔离驱动Si8621，其输出侧为轨到轨输出，推 挽电路压降很低，仅为0.3V左右。相比目前的电路应用，IGBT驱动电压可以提高1V以上，有助于IGBT深度饱和导通。
组串式光伏逆变器项目中，前级BOOST部分需要用到隔离驱动器用于驱动升压IGBT，要求输出驱动电流达到3A左右，共模瞬态抗扰度（CMTI）不低于35KV/us，隔离耐压等级不低于3000Vrms；请问是否有合适的方案推荐？
你好，可以评估一下数明半导体的SLM341CK-DG，此方案驱动电流高达3A，隔离耐压等级高达5000Vrms，CMTI值高达150KV/us；详细评估资料如下：/doc/2238341.html。
我司设计一款智能洗碗机，电机功率0.37KW，逆变器已经选用了600V/15A的IGBT模块作为电机驱动器功率器件，原IGBT驱动设计A品牌HCPL-314,请推荐满足P2P兼容并满足需求的国产的IGBT DRIVER.
推荐国产群芯微QX314,数据手册：/doc/2974024.html ●QX314是0.6安培输出电流的IGBT门极驱动光耦，该光耦提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小型IGBT。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。 ●QX314包含一个AlGaAs LED，该LED通过光耦合到带有功率输出级的集成电路。 ■特征： ●VCM=1500V时25 kV/μs最小共模抑制（CMR） ●宽工作电压范围：10V至30V ●工业温度范围：–40°C至+100°C ●快速切换速度 ●温度范围内的最大传播延迟为700ns
【产品】浮动通道功率MOSFET和IGBT驱动器，速率高达600V/100ns
LITTELFUSE的子公司IXYS公司推出的IX2127是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有浮动通道，用于自举操作的电压可高达+600V，开启传播延迟时间和断开传播延迟时间的典型值分别仅为100ns和73ns。
20kW光伏逆变器项目的逆变部分需要IGBT隔离驱动，能够P2P替代FOD8342，峰值输出电流可达3A，封装要求SOP-6，麻烦推荐一个合适的型号。
您好，推荐数明半导体的隔离栅极驱动，型号为SLM341CK-DG，峰值输出电流为3A，隔离耐压为5000Vrms，爬电距离不小于8mm，封装为SOP-6W，工作温度范围为-40~150℃。具体可参考数据手册：/doc/3719409.html
IGBT驱动QCPL-341H，有没有同封装的国产品牌推荐？
推荐数明SLMI350，2.5A兼容光耦隔离式单通道栅极驱动器，采用DIP8GW封装，可匹配QCPL-341H，参考规格书：/doc/2339022.html
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可来图定制均温板VC尺寸50*50mm~600*600 mm，厚度1mm~10mm，最薄0.3mm。当量导热系数可达10000W/M·K，散热量可达10KW, 功率密度可达50W/cm²。项目单次采购额需满足1万元以上，或年需求5万元以上。
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可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
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