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- reading is possible but not writing.
Segment A is the mirror area of Segment 2. If data are written on Segment 2, they can be also read from Segment A.
Related Products: ml610(Q)40x, ML610(Q)42x, ML610(Q)47x, ML610(Q)48x, ml610q10x, ml610q11x, ML610Q17x, ML610Q30x, ML610Q35x, ML610Q38x, ml610q41x, ml610q43x, ML610Q46x, ML620Q13x, ML620Q15x, ML620Q416/ML620Q418, ml620q503h/ml620q504h/ml620q506H, ml62q12xx, ML62Q13xx, ML62Q14xx, ML62Q15xx/ML62Q18xx, ML62Q16xx, ML62Q17xx - 创建于2024-08-21
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How can I write programs or data to a flash memory included in microcontroller?
There are following five ways to write to a flash memory. Some models may not support the following methods. Contact your sales representative for details. (1) Write at our factory In this case, customers are required to register ROM codes in our system. (2) Perform chip writing by gang writer (3) Perform onboard writing Onboard writing is available for the following devices. -EASE1000V2 -Third-party flash writer (4) Perform writing using IAP and ISP functions in a user program (5) Request writing from Writing House* * We will introduce Writing House. Please check with your sales representative.
Is it possible to write data to board mounted Flash ROM?
Yes, it is. As it supports the on-board writing, the speech data can be updated on the customer's board mounted condition.
Can I check the erasing/writing operation status (executing, completed, etc.) of the data flash area?
For the products without BGO function, the status cannot be checked because CPU stops during the erasing/writing operation. Determine the completion as CPU restarts the operation. For the products with BGO function, the bit for determination is provided. For details on the bit for determination, refer to the User's Manual of the product in use. Related Products: ML610(Q)40x, ML610(Q)42x, ML610(Q)47x, ML610(Q)48x, ML610Q10x, ML610Q11x, ML610Q17x, ML610Q30x, ML610Q35x, ML610Q38x, ML610Q41x, ML610Q43x, ML610Q46x, ML620Q13x, ML620Q15x, ML620Q416/ML620Q418, ML620Q503H/ML620Q504H/ML620Q506H, ML62Q12xx, ML62Q13xx, ML62Q14xx, ML62Q15xx/ML62Q18xx, ML62Q16xx, ML62Q17xx
功能安全网关项目，主控参数需求：Code Flash 1.5M、Data Flash 128KB、RAM 128KB,支持4-6路CAN，CAN最好支持CAN FD功能；满足ASIL-B或以上的功能安全等级，有没有合适的推荐？
推荐Renesas 的RH850/F1KM-S4系列R7F7016483AFP-C，Code Flash 3M、Data Flash 128KB、Local RAM 192KB,支持6路CAN FD；符合ASIL-B标准。
请问如果RH850要BootLoader通过CAN实现软件升级，如果又要保存数据到DataFlash，FCL库和FDL库可以一起用吗 提问来源：/news/32243486.html
可以的，你可以参考FCL，将FDL相关代码放到对应代码段，操作时会拷贝到RAM运行。
关于高边开关IC和负载开关IC，请告知在搭载过电流检测电路的机型的Datasheet中的“指示灯输出波形”中，检测到过电流后在电流输出的状态下，输出电压变为0V的原因。
指示灯输出波形使用电子负载装置（恒流模式）测量。检测到过电流后，IC输出受到电流限制后，装置也会持续接通电流，因此输出电压为0V。
运算放大器产生输入偏置电流的原因。另外，请告知最大条件（温度及电源电压）。
输入偏置电流在双极型产品和CMOS产品中不同。双极型产品的输入偏置电流取决于输入段晶体管的基极电流和内部电流源，由于温度及电源电压，hFE受影响，输入偏置电流发生变化。在CMOS产品中，分别连接在输入端子和VDD之间、输入端子和VSS之间的静电保护元件漏电流流出和流入之差就是输入偏置电流，由于保护元件的漏失受温度及电源电压的影响而发生变化，因此该差分也会随之变化，从而导致输入偏置电流变化。详情请参考技术资料。温度及电源电压依赖性因各产品的电路结构而异，因此请确认Datasheet图及标准值。
When reading data on the data flash assigned in Segment 2 with the assembler, data cannot be read if written as follows: L ER14,[ER8]
When reading data on the data flash assigned in Segment 2 with the assembler, specify "2" in DSR, and load with the addressing with physical segment. MOV R0,#2 ST R0,DSR L ER14,DSR:[ER8] Related Products: ML610(Q)40x, ML610(Q)42x, ML610(Q)47x, ML610(Q)48x, ML610Q10x, ML610Q11x, ML610Q17x, ML610Q30x, ML610Q35x, ML610Q38x, ML610Q41x, ML610Q43x, ML610Q46x, ML620Q13x, ML620Q15x, ML620Q416/ML620Q418, ML620Q503H/ML620Q504H/ML620Q506H, ML62Q12xx, ML62Q13xx, ML62Q14xx, ML62Q15xx/ML62Q18xx, ML62Q16xx, ML62Q17xx
运算放大器里CMRR和PSRR的含义。
Datasheet中记载的CMRR及PSRR均按直流特性规定。同相信号消除比率CMRR就是以分贝表示同相输入电压变动量和输入偏置电压变动量之比。 对于CMRR=20log（同相输入电压变动量）/（输入偏置电压变动量）[dB] 同相输入电压没有变动的反相放大器，在非反相放大器中，由于同相输入电压变动，CMRR就会影响非直线性及畸变。 电源电压消除比率PSRR就是以分贝表示电源电压变动量和输入偏置电压变动量之比。 PSRR=20log（电源电压变动量）/（输入偏置电压变动量）[dB] 在交流特性方面，一般来说，越是高频，CMRR和PSRR就越小。
关于比较器，请告知产生输入偏置电流的原因。另外，请告知最大条件（温度及电源电压）。
输入偏置电流在双极型产品和CMOS产品中不同。双极型产品的输入偏置电流取决于输入段晶体管的基极电流和内部电流源，由于温度及电源电压，hFE受影响，输入偏置电流发生变化。在CMOS产品中，分别连接在输入端子和VDD之间、输入端子和VSS之间的静电保护元件漏电流流出和流入之差就是输入偏置电流，由于保护元件的漏失受温度及电源电压的影响而发生变化，因此该差分也会随之变化，从而导致输入偏置电流变化。详情请参考技术资料。 温度及电源电压依赖性因各产品的电路结构而异，因此请确认Datasheet图及标准值。
In a checksum calculation of program and memory space, the checksum value calculated by program and the checksum value calculated with HTU8 do not match when the test data area (rewriting not possible area) of the program memory space segment) is included. Why?
When calculating the checksum of memory with program, if data in rewriting not possible area in the test data area are read, the actually written value is read. On the other hand, HTU8 handles the data in rewriting not possible area of the test data area as 0FFh. Therefore, the value is different from the checksum value of HTU8. When calculating the checksum with program, handle the rewriting not possible area data as 0FFh. Related Products: ML610(Q)40x, ML610(Q)42x, ML610(Q)47x, ML610(Q)48x, ML610Q10x, ML610Q11x, ML610Q17x, ML610Q30x, ML610Q35x, ML610Q36x, ML610Q38x, ML610Q41x, ML610Q43x, ML610Q46x, ML620Q13x, ML620Q15x, ML620Q416/ML620Q418, ML620Q503H/ML620Q504H/ML620Q506H, ML62Q12xx, ML62Q13xx, ML62Q14xx, ML62Q15xx/ML62Q18xx, ML62Q16xx, ML62Q17xx
Is there a way to read the data in the program memory space directly from the program memory space instead of reading it out using the ROM reference area in the data memory space?
Data cannot be read directly from the program memory space because there is no instruction to read directly from the program memory space. Please use the ROM reference area in the data memory space to read. Related Products: ML610(Q)40x, ML610(Q)42x, ML610(Q)47x, ML610(Q)48x, ML610Q10x, ML610Q11x, ML610Q17x, ML610Q30x, ML610Q35x, ML610Q36x, ML610Q38x, ML610Q41x, ML610Q43x, ML610Q46x, ML620Q13x, ML620Q15x, ML620Q416/ML620Q418, ML620Q503H/ML620Q504H/ML620Q506H, ML62Q12xx, ML62Q13xx, ML62Q14xx, ML62Q15xx/ML62Q18xx, ML62Q16xx, ML62Q17xx
关于线性稳压器， 如果Datasheet中没有输出电容器最大电容值描述，是否可以无限制使用？
加大输出电容器的电容，虽然稳定性会有所改善，但是需要注意其他特性。加大电容将会延长ON时的充电时间、OFF时的放电时间，将电源电压设为OFF时，输出和输出的电压就会反向，从而有可能会有大电流向IC逆流。使用大容量时，请考虑使用逆流旁路二极管及防逆流二极管。
After deleting the flash memory content, what would the flash memory content be like?
After deleting, the content of area where program is not written may remain undefined in some products, pad the unused program area with 0FFH for failsafe measure. Related Products: ML610(Q)40x, ML610(Q)42x, ML610(Q)47x, ML610(Q)48x, ML610Q10x, ML610Q11x, ML610Q17x, ML610Q30x, ML610Q35x, ML610Q38x, ML610Q41x, ML610Q43x, ML610Q46x, ML620Q13x, ML620Q15x, ML620Q416/ML620Q418, ML620Q503H/ML620Q504H/ML620Q506H, ML62Q12xx, ML62Q13xx, ML62Q14xx, ML62Q15xx/ML62Q18xx, ML62Q16xx, ML62Q17xx
关于线性稳压器的最小输入输出电压差， Datasheet中记载测量条件为“VCC=Vo×0.95”，请告知为什么VCC比Vo低。
VCC＝Vo×0.95中的Vo表示稳压器输的输出设定电压。例如，在输出电压为10V的产品中，对VCC施加10V×0.95=9.5V。在这种状态下，如果流过规定的负载电流，输出就会饱和（全开），输出电压值为低于9.5V的电压。将此时的VCC和输出电压值的差规定为最小输入输出电压差。因此，如果在VCC＝（10V+最小输入输出电压）以上，就可以保持Vo＝10V，保证规定的负载电流输出。
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