EPC GaN Integrated Circuits

时间： 2024-10-30

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EPC公司推出的GaN集成电路（GaN ICs）利用氮化镓（GaN）的独特性能，实现了功率级和信号级器件在同一晶圆上的集成。这些GaN ICs最初于2014年以单片半桥器件的形式推出，随后技术进步带来了更复杂的集成，例如包含两个功率晶体管和驱动电路的产品，能够在低功耗逻辑门驱动下实现高达7 MHz的高效运行。EPC的GaN ICs包括多种型号，如EPC2152单片半桥，EPC21701和EPC21702单通道eToF™激光驱动器，以及EPC23101、EPC23103、EPC23104和EPC23102等半桥ePower™芯片组。这些产品旨在提高系统的速度和尺寸，并推动功率转换领域的新时代。

厂牌:	EPC
型号:	EPC2152、EPC21701、EPC21702、EPC21603、EPC21601、EPC23101、EPC23103、EPC23104、EPC23102 查看更多 Part#
品类:	氮化镓集成电路查看更多
应用:	[ 电机驱动器等 ][ 功率转换系统 ][ 激光驱动器 ] 查看更多
封装:	BGA, LGA, QFN 查看更多
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	开云手机入口平台www.deyec.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	开云手机入口平台电子商城www.deyec.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	开云手机入口平台www.deyec.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	开云手机入口平台www.deyec.com

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EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南

eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion

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2024/1/3 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

EPC eGaN®FET/晶体管选型表

EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V

Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS

Enhancement Mode Power Transistor

选型表 - EPC 立即选型

EPC氮化镓®FET鉴定报告EPC21603

本报告总结了EPC21603产品认证结果，该产品符合所有认证要求并已投入生产。报告涵盖了EPC21603的组件级认证测试，包括预处理、温度湿度偏置、温度循环、湿度敏感度等级1和静电放电灵敏度测试。测试结果显示，EPC21603在所有测试中均表现良好，满足产品规格要求。

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2023/4/21 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑（二）——氮化镓在激光雷达系统中的应用

本文作者为EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow，为“氮化镓驱动人形机器人”系列文章的第二篇，讲述氮化镓器件在激光雷达系统中的重要作用，以及如何为人形机器人带来更加优秀的视觉感知能力。

2024-10-24 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

氮化镓器件逐步替代旧有硅基MOSFET，性能极限高出6000倍

氮化镓（GaN）的问世和应用地逐渐淘汰了目前使用的硅基材料。随着硅材料的MOSFET接近其理论极限，已很难继续改进。同时氮化镓在朝向理论性能边界稳步发展，该性能边界是当前的MOSFET的6000倍。EPC研发的eGaN FET可逐渐代替硅基晶体管，性能上大幅提升。

2020-11-07 - 新技术代理服务技术支持采购服务

氮化镓集成电路简化仿人机器人电机关节逆变器设计

本文介绍了基于氮化镓（GaN）技术的逆变器设计，特别是在人形机器人电机关节逆变器中的应用。文章强调了GaN技术在提高开关频率、降低无源元件数量、减少开关损耗和提高功率密度方面的优势。EPC ePower™ Stage ICs技术简化了逆变器设计，并介绍了EPC23102/3/4系列GaN集成电路及其在逆变器性能中的应用。文章还讨论了EPC提供的参考设计板，这些设计板展示了GaN技术在电机驱动逆变器设计中的简化与空间减少。实验结果表明，GaN技术的应用提高了系统效率，并实现了更紧凑的逆变器设计。

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June 2024 - 技术文档代理服务技术支持采购服务

【IC】EPC推出新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC，实现更高功率密度激光雷达系统

宜普电源转换公司（EPC）推出新型氮化镓集成电路EPC21701，这是一款80V激光驱动器IC，可提供15A脉冲电流，适用于飞行时间激光雷达应用（ToF激光雷达应用），包括真空吸尘器、机器人、3D安全摄像头和3D传感器。

2023-01-18 - 新产品代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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2023/7/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务查看更多版本

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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April 2023 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统的硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术在汽车、医疗、无线充电、太阳能和射频功率放大器等领域的应用。

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2023/3/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

该资料介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比硅基器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。资料详细阐述了eGaN®器件的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，如汽车、无线电源、医疗设备等。

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2023/1/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换解决方案。与传统硅器件相比，eGaN®晶体管和集成电路具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了其在提高能效和系统密度方面的优势，并列举了其在多个应用领域的潜力。

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2022/7/2 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

氮化镓可靠性和寿命预测：第16阶段

本报告详细探讨了氮化镓（GaN）器件的可靠性，包括失效机制、测试方法以及在不同应用中的可靠性预测。报告重点介绍了测试至失效方法在确定GaN器件内在失效机制方面的作用，并提供了针对不同应用（如太阳能、DC-DC转换和激光雷达）的可靠性预测指南。此外，报告还讨论了热机械可靠性、过电压指南以及优化焊接工艺的方法。

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2024/2/21 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

EPC2152 ePower™ Stage – Redefining Power Conversion

The EPC2152 is a single-chip driver plus eGaN® FET half-bridge power stage using EPC’s proprietary GaN IC technology. Input logic interface, level shifting, bootstrap charging and gate drive buffer circuits along with eGaN output FETs configured as a half-bridge are integrated within a monolithic chip. This results in a chip-scale LGA form factor device that measures only 3.9 mm x 2.6 mm x 0.8 mm for an 80 V, 12.5 A gallium-nitride based power stage integrated circuit.

2020-07-09 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【视频】EPC GaN驱动脉宽短至2ns，尺寸有硅MOS的10%，完美匹配激光二极管ToF方案

本文主要介绍了激光雷达技术，包括其组成、种类、应用案例以及激光雷达专用eToF GaN IC的设计与控制。文章详细阐述了激光雷达的驱动设计与控制，包括杂散电感的影响、使用氮化镓的优势等。此外，还比较了DTOF与iToF的优缺点，并分析了脉冲形状的重要性。最后，文章介绍了EPC公司提供的GaN FET和IC解决方案，以及其在激光雷达系统中的应用。

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商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

How2GaN | 如何设计具有最佳布局的eGaN® FET功率级

eGaN FET的开关速度比硅基MOSFET更快，因此需要更仔细地考虑印刷电路板（PCB）布局设计以最小化寄生电感。寄生电感会导致过冲电压更高，同时减慢开关速度。本篇笔记将会探讨使用eGaN FET设计最佳功率级布局的关键步骤，来避免上述不良影响并最大化转换器性能。

2024-10-24 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

EPC耐压100V、瞬时电流高达75A的车规级GaN FET及实现<2ns的超短脉冲GaN IC

本文主要介绍了激光雷达技术，包括其组成、种类、应用案例、工作原理以及相关技术细节。重点讨论了激光雷达的驱动设计与控制，特别是使用氮化镓（GaN）FET的优势，以及GaN IC在激光雷达中的应用。文章还分析了激光雷达系统对脉冲功率的要求，以及如何通过优化PCB布局设计来降低寄生电感。

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2022/2/7 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

eToF™ Laser Driver ICs for Advanced Autonomy Lidar

A new family of integrated laser driver ICs meets all these requirements. The first release, the EPC21601 laser driver IC, integrates a 40 V, 10 A FET with integrated gate driver and 3.3 V logic level input in a single chip for time-of-flight (ToF) lidar systems used in robotics, surveillance systems, drones, autonomous cars, and vacuum cleaners. This chip offers frequency capability up to 200 MHz in a low inductance, economical, 1 mm x 1.5 mm BGA package.

2021-04-20 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务