【产品】高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器AG2103，工作电压可达600V

时间： 2019-05-11 来源：AiT

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AIT的AG2103是基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。该浮动通道驱动器可用于驱动半桥结构中的两个N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可达600V。 AG2103的逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，兼容3.3V逻辑电平，其输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，可以使驱动器的交叉传导最小；同时，传播延迟已被匹配，简化了其在高频设计中的使用。AG2103采用SOP8和DFN8（2x3）封装。其典型应用电路如图1所示。

图1 AG2103典型应用电路

AG2103产品特性

·可以充分运行至+600 V

·兼容3.3V逻辑电平

·高瞬变(dV/dt)抑制±50V / nsec

·专为自举操作而设计的浮动通道

·栅极驱动电源范围为10V至20V

·两个通道都具有UVLO

·输出源/灌电流能力300mA / 600mA

·Vs具有-5V的负电压能力

·两个通道的传播延迟已被匹配

·采用SOP8和DFN8（2x3）封装。

AG2103应用领域

·中小功率电机驱动器

·功率MOSFET或IGBT驱动器

·半桥式功率变换器

·全桥式功率变换器

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bluefantasy Lv8. 研究员 2019-05-12

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