CISSOID提供三相1200V SiC MOSFET智能功率模块，适用于高功率密度转换器

碳化硅功率晶体管（SiC功率晶体管）现在与硅功率晶体管相比具有出色的性能：它们在高阻断电压下的低导通电阻、高的开关速度和热性能使系统工程师能够在电机驱动器和电池充电器的尺寸、重量和效率方面取得显著提高，例如在电动汽车(EV)应用中。 价格的持续下降使 SiC 成为主流技术。 然而，在高功率应用中采用 SiC 和其他宽带隙晶体管的一个重要挑战是优化良好的功率模块的可用性，以及可靠驱动它们的学习曲线。

智能功率模块通过提供高度集成的即插即用解决方案，加快了上市时间，节约了工程资源，从而解决了这两大挑战。向SiC过渡是一个漫长的过程，如果采用CISSOID的SiC智能功率模块，可以大大缩短这一过程，得益于该公司在SiC电源模块和栅极驱动器开发方面超过10年的专业知识。

图1

三相1200V SiC MOSFET智能功率模块，集成了基于 CISSOID HADES2 芯片组的功率开关和栅极驱动器，这些模块适用于高功率密度转换器，提供专为在高结温（高达 175°C）下运行而设计的SiC功率模块。由于低开关损耗和高温工作，该方案可利用 SiC 技术的全部优势来实现高功率密度应用。

栅极驱动器与功率模块的集成，在开关速度和损耗、dI/dt和dV/dt的稳定性以及功率级(Desat、UVLO、AMC、SSD、抗重叠)的保护方面，可以获得完全验证和优化的解决方案。

该模块包括 3 个带有翅片的AlSiC 基板的模块，用于不同额定电流的液冷用途，可以在成本、传导和开关损耗之间找到最佳平衡点。它还包括一个扁平的 AlSiC 基板模块，适用于无法使用液冷的应用。

性能

三相 1200V SiC MOSFET 智能功率模块具有以下性能：

●功率器件结温：-40°C至+175°C

●栅极驱动器工作环境温度：-40°C 至 125°C

●漏源击穿电压：1200V

●低导通电阻：典型值2.53mOhms 至 4.19mOhms

●最大连续电流：340A至550A，Tf=25°C

●热阻：典型值0.15 °C/W 

●开关能量@600V/300A：Eon=7.5mJ 至9mJ/Eoff=7mJ 至 7.4mJ

●开关频率：最大25KHz

●隔离电压（基板-电源引脚）：3600VAC @50Hz（1分钟）

●共模瞬变抗扰度：>50kV/μs

●寄生电容（初级-次级）：每相典型值11pF

●栅极驱动器保护：

    欠压锁定（UVLO）

    退饱和保护

    软关断（SSD）

    负栅极驱动电压（-3V）

    有源米勒钳位（AMC）

    栅源短路保护

支持快速电源转换器设计

这些 IPM 的一大优势是功率模块与栅极驱动器的AlSiC 翅片以及基板的高度集成，便于和电源转换器的其他元件（例如直流母线电容和参考冷却器）快速集成，如图所示。 从开发开始，系统设计人员就可以通过访问 IPM 的 3D 模型（包括栅极驱动器）来节省大量时间。IPM 的 LTSpice 模型也支持电源转换器的设计。

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