Littelfuse全新短交期、低成本SiC MOSFET，专为高品质高频应用

时间： 2018-06-05 来源：世强

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LITTELFUSE推出全新高性能碳化硅sic MOSFET，符合RoHS标准、无铅、不含卤素，非常适用于车载OBC、车载DC/DC，光伏逆变器等效率、体积及发热要求较高的应用。

产品的功能与特色

· 专为高频、高效应用优化

· 极低栅极电荷和输出电容

· 低栅极电阻，适用于高频开关

· 在各种温度条件下保持常闭状态

· 超低导通电阻

更低价格+更短交期替代同等性能产品

Littelfuse高性能的SiC MOSFET产品具有比同品质产品更低的价格、更好的货期。在市场上SiC器件普遍缺货的环境下，可做到更短的交期。LSIC1MO120E0160、LSIC1MO120E0080可对应替代CREE的C2MO160120D、C2MO080120D及ROHM的SCT2160KE、SCT2080KE。具体替换表见以下：

世强是获得Littelfuse“最佳市场开发代理商”的分销商，可供应Littelfuse旗下过流保护器件、过压保护器件、传感器件、碳化硅肖特基分立二极管、碳化硅MOSFET等全线产品，产品供货稳定，价格具有竞争力。世强与Littelfuse原厂一起，为大/小家电、车载设备、汽车安全系统、太阳能逆变器、不间断电源、EV充电站、充电桩、高压直流/直流转换器等领域提供最专业、最高效的技术支持及解决方案，帮助客户解决项目相关的技术问题。

应用领域

· 车载DC/DC

· 车载OBC

· 光伏能逆变器

· 大功率储能系统

· 开关模式电源设备和功率转换器

· UPS系统

· 电机驱动器

· 大功率高压直流/直流转换器

· 电池充电器和感应加热

· 充电桩等

Littelfuse LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET数据手册详情>>>

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全部评论（14）

HillGao Lv4. 资深工程师 2018-11-09

已读
小乐 Lv7. 资深专家 2018-09-29

学习了
醉卧美人膝 Lv8. 研究员 2018-09-17

支持
春天里 Lv7. 资深专家 2018-09-10

好品牌，好产品！
看不见的鱼 Lv6. 高级专家 2018-06-12

厉害了

zyl Lv8. 研究员 2018-06-11

已阅
Chase Lv7. 资深专家 2018-06-10

学习
TAO Lv7. 资深专家 2018-06-09

学习了
cynthia Lv3. 高级工程师 2018-06-08

学习了
小蛮大人 Lv9. 科学家 2018-06-08

价格不知道如何
- 世小强回复：您好，请查阅：/ecSupply/toPage?pn=LSIC1MO120E0080 谢谢！

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Littelfuse IX4351NE SiC MOSFET ＆ IGBT Driver Wins Annual Power Product Award

Littelfuse component recognized for its superior green energy savings performance.CHICAGO, December 3, 2020 - Littelfuse, Inc. today announced its IX4351NE SiC MOSFET and IGBT Driver has been named a Green Energy Award Winner for 21ic.com’s 2020 Annual Power Product Awards. Held for the last 17 years, these awards recognize and honor the best products throughout the world that succeed in energy conservation and environmental protection.

2020-12-19 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

SMPD先进绝缘封装可充分发挥SiC MOSFET优势，提高功率密度，简化热管理

SMPD代表表面安装功率器件(Surface Mount Power Device)，是先进的顶部散热绝缘封装，由IXYS(现在是Littelfuse公司的一部分)在2012年开发。SMPD只有硬币大小。通过在应用中使用SMPD，设计人员可以实现更短的功率环路，同时减少必需器件的数目。较短的功率环路使得杂散电感最小化，这有助于减少栅极振荡和漏极电压过冲。

2023-06-07 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

前景与机遇，罗兰贝格发布碳化硅与电车白皮书

近日，全球知名咨询公司罗兰贝格公开了一份关于碳化硅器件与电车行业的白皮书。碳化硅材料的大规模应用，是电车系统向800V及更高电压过渡的重要里程碑。这一技术转变有望带来更高效的动力传动，提供更卓越的性能、更长的续航里程和更短的充电时间。这三个关键因素让碳化硅更快、更广泛的进入电车市场。

2024-07-22 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

解析图腾柱无桥PFC中碳化硅器件的应用

图腾柱无桥PFC，具有元件数量少、共模噪声低等特点。而SiC器件具备反向恢复性能好、耐高温、开关速度快等优势，因此在车载OBC、通信电源、UPS及高频DC-DC等领域有大量项目采用图腾柱无桥PFC替代传统的PFC或交错并联PFC。

2024-07-03 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。

2024-06-18 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

1200 V SiC MOSFET（80 A、43A 和 25 A）IXSJ80N120R1、IXSJ43N120R1 和 IXSJ25N120R1 在 ISO-247-3L 封装中。

该资料介绍了Littelfuse公司推出的1200V SiC MOSFET系列，包括IXSJ80N120R1、IXSJ43N120R1和IXSJ25N120R1三种型号，这些器件采用ISO-247-3L封装。该系列SiC MOSFET具有低导通电阻、高隔离电压、低输入电容等特点，适用于高频、高效率的电源管理应用。

LITTELFUSE - 碳化硅MOSFET,IXSJ80N120R1,IXSJ43N120R1,IXSJ25N120R1,开关电源,感应加热,电机驱动,电动汽车充电基础设施,太阳能逆变器,DC/DC转换器

数据手册代理服务技术支持采购服务

【经验】基于栅极驱动器BM6104FV-C与IXDD609的SiC MOSFET驱动电路设计

SiC MOSFET对驱动要求高，主要体现在驱动电压和驱动速度。SiC MOSFET标称驱动电压范围一般为-6~22V，其开启电压一般很低，并随温度上升而降低，但只有达到18-20V时，才能完全开通。硅器件的驱动电压最高一般为15V，所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求，在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。

2019-11-05 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【元件】瞻芯电子TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET，高频开关、低损耗，助力高效高密电源设计

为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。

2024-11-26 - 产品代理服务技术支持采购服务

TPSMB非对称系列（TPSMBxx05CA）-用于SiC MOSFET栅极驱动器保护的非对称TVS二极管

TPSMB Asymmetrical Series (TPSMBxx05CA) 是一款针对汽车级碳化硅（SiC）MOSFET门极驱动器保护的TVS二极管。该系列器件具有不对称的反向 standoff 电压，能够保护正负瞬态电压，适用于车载充电（OBC）驱动电路和电动汽车（EV）的牵引逆变器。

LITTELFUSE - 不对称TVS二极管,ASYMMETRICAL TVS DIODES,TPSMBXX05CA,ONBOARD CHARGER (OBC),TRACTION INVERTERS,SIC MOSFET GATE DRIVER PROTECTION,SIC MOSFET栅极驱动器保护,牵引逆变器,车载充电器（OBC）

数据手册代理服务技术支持采购服务

SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%

开云手机入口联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。

2023-04-14 - 活动代理服务技术支持采购服务

扬杰科技（YANGJIE）碳化硅产品选型指南

公司简介命名规则及包装形态 SiC MOSFET SiC肖特基二极管 SiC SBD模块 SiC MOSFET模块应用+产品推介公司实验室平台长期可II性试验测试参考表

扬杰科技 - MOSFET,WAFER,外延晶片,SIC场效应晶体管,硅晶片,硅锭,半导体分立器件,碳化硅SBD模块,PROTECTION DIODE,SIC,EPI WAFER,SIC SBD,IGBT,功率模块,整流器件,SIC 肖特基二极管,SIC MOSFET,晶圆,SIC备用电池,单晶硅棒,SIC MOSFET模块,RECTIFIER,SIC MOSFET 分立器件,SIC肖特基二极管,SIC MOSFET MODULE,SIC MOSFET,硅片,SIC SBD MODULE,SIC SBD MODULE,SIC MOSFET模块,保护二极管,整流器,SILICON WAFER,分立器件芯片,SIC MOSFET MODULE,SILICON INGOT,外延片,SIC SBD模块,保护器件,YJD2065100NCTGHQ,YJD106520BQG2,YJD212060B7GH,YJD206560B7GH,YJD212060NCTGH,YJD106520FQG2Q,YJD2065200BGH,MB480U065F2,YJD212040T2GH,YJD112020NCTQG2,YJD2120160NCFG1Q,YJD106508PQG2,YJD2120120NCTGHQ,YJD112002DG1,YJD2120120BGH,YJD217045NCFGH,MB60DU12ST,MB80DU12ST,YJD212080NCFG1,YJD206560NCTGH,YJD2120120NCTGH,YJD2120240NCFGH,YJD2120120NCFGHQ,YJD21701K0B7GH,YJD106520DQG2Q,YJD212030NCFGHQ,YJD106506BQG2,YJD212060T2GH,YJD106520PQG2,YJD212040NCTG2,YJD112020BXGG2,YJD212040NCTG1,YJD106502DQG3,MB60DU12STN,YJD21701K0NCTGH,YJD106504PG1,YJD112015PGG2,YJD212040T2GHQ,YJD212030NCTGH,YJD106520NCTQG2,YJD212030T2GH,YJD106540NCTQG2,YJD106510BQG2,YJD106510PQG2Q,YJD112010BQG2,YJD206525NCTGHQ,YJD106502PQG3,YJD106508BQG2,YJD2120240NCTGHQ,YJD212040NCTGH,YJD106510PQG2,MC16UZ12STN,YJD112040NGG2,YJD206550NCFGHQ,YJD106504DG1,YJD212040NCTGHQ,YJD212080NCTGHQ,YJD206560NCFGHQ,YJD106520DQG2,YJD106550BQG3,YJD212080NCFG1Q,YJD112040NCTG1,YJD2120120B7GH,YJD2120160NCFG1,YJD112005PG1,YJD112030NGG2,YJD2065200NCFGH,YJD112030NGG3,YJD2065100NCTGH,YJD112015NG1,YJD212030T2GHQ,YJD106520NCTQG2Q,YJD2120240BGHQ,YJD212080NCFGH,YJD212040NCFGHQ,YJD206520NCTGH,YJD206550NCFGH,YJD2065100B7GHQ,YJD206525NCFGH,YJD206530NCTG1,YJD2120240B7GHQ,YJD212080NCFGHQ,YJD112002PG1,YJD112005DG1,YJD2120240NCTGH,YJD2065100NCFGHQ,YJD206550B7GH,YJD2120120B7GHQ,YJD206560NCTGHQ,YJD206530NCTG1Q,YJD2065200B7GH,YJD112020BGG2,MB120DU12FJ,YJD206525T2GHQ,YJD112015NGG2,YJD106506PQG2,YJD206520NCTGHQ,YJD112030NCTG1,YJD206560NCFG1,YJD112010DQG2,YJD106508DQG2,YJD206530NCFG1Q,YJD212040NCTG1Q,YJD206560NCFG1Q,YJD206560NCFGH,YJD217045NCTGH,YJD112010NQG2,YJD212080NCTG1Q,YJD2120240B7GH,YJD106520PQG2Q,YJD212040NCFG2Q,MB120DU12ST,YJD2120120BGHQ,YJD106520FQG2,YJD2065100B7GH,YJD212080B7G1Q,YJD212060NCFGH,YJD2120240NCFGHQ,YJD212080T2GHQ,YJD212060B7GHQ,YJD112030NCTGG2,YJD112040NCTGG2,YJD112040NCTGG1,YJD212040NCFG2,YJD21701K0NCFGH,YJD106520NQG2Q,YJD212040NCFG1Q,YJD2120120NCFGH,YJD206560B7GHQ,YJD212030NCFGH,YJD106510FQG2,YJD112010FQG2,MB60DU12FJ,YJD206520NCFGHQ,YJD206525T2GH,YJD206550NCTGHQ,MB80DU12FJ,YJD206560NCTG1Q,YJD106506FQG2,MB200DU12FJ,YJD212040NCFG1,YJD112040NQG2,YJD212060T2GHQ,YJD106520BQG2Q,YJD2120240BGH,YJD206550B7GHQ,YJD112010PQG2,YJD212060NCTGHQ,MB480U12F2,YJD2120160NCTG1Q,YJD106510DQG2Q,YJD212080B7GH,YJD212080B7GHQ,YJD212030NCTGHQ,YJD206525NCTGH,YJD112030NG1,YJD106510FQG2Q,YJD212040NCFGH,YJD212080B7G1,YJD2065100NCFGH,YJD112030NQG2,MB200DU12ST,YJD2065200NCTGH,YJD2120160NCTG1,MB180DU065FJ,YJD106508FQG2,YJD212080T2GH,YJD21701K0BGH,YJD106510BQG2Q,YJD212040NCTG2Q,YJD212060NCFGHQ,MB180DU12FJ,YJD212080NCTG1,YJD112005FG1,YJD206525NCFGHQ,YJD112010BXQG2,YJD106520NQG2,YJD212080NCTGH,YJD206550NCTGH,YJD206560NCTG1,YJD106550NQG3,YJD206520NCFGH,YJD206530NCFG1,YJD106506DQG2,YJD112020NGG2,YJD106510DQG2,车载充电系统,清洁能源,汽车,可再生能源应用,AUTOMOTIVE,充电桩,新能源汽车,AUTOMOTIVE SIC DEVICE,OBC,SIC MOSFET OBC,电源,SIC MOSFET OBC,电动汽车车载充电系统,车载DC/DC,清洁能源应用,汽车用SIC器件,电源转换系统,工业电机驱动,光伏储能逆变,光储充

2023年09月 - 选型指南 - 第一版代理服务技术支持采购服务

Littelfuse SiC MOSFET（LFPTN250123SXC）产品终止通知

Littelfuse发布产品终止通知，宣布因生产晶圆停产和新技术世代引入，将终止生产一系列SiC MOSFET产品。包括多个型号的半桥MOSFET和单开关MOSFET，并提供替代型号。最后一批购买截止至2025年2月28日，具体交货时间将与项目进度个案商定。

LITTELFUSE - SIC MOSFETS,单开关,SINGLE SWITCH,SIC MOSFET,HALF BRIDGE MOSFET,半桥MOSFET,MCB60P1200TLB-TUB,MCB30P1200LB-TUB,MCB20P1200LB-TUB,MCB6011200TZ-TUB,MCB40P1200LB-TUB,IXFN50N120SK,MCB60I1200TZ-TUB,IXFN70N120SK,IXFN75N120SK,IXFN50N120SIC,MCB40P1200LB-TRR,IXFN55N120SK,IXFN30N120SK,MCB60P1200TLB-TRR,MCB20P1200LB-TRR,MCB30P1200LB-TRR,IXFN27N120SK

January 24, 2025 - 产品变更通知及停产信息代理服务技术支持采购服务