【应用】国产驱动光耦QX3120助力光储逆变器IGBT驱动设计，高达2.5A驱动能力

光储逆变器是将光伏直流电优先给蓄电池充电进行储能，多余的能量通过逆变器转换成交流电，上网卖电或者给离网负载供电，当夜间没有太阳光时，可以将晚上的低价格的电通过储能逆变反向从电网给蓄电池充电，进行电能储存，并在用电高峰期将电池储存的能量逆变输出给离网用电器供电，或者并网卖电，通过用电高峰和低谷的电价差来收益。

图1   光储逆变器电路框图

针对逆变器的设计，离不开IGBT/MOS这类全控型的功率半导体器件，首先在驱动设计时必须考虑到隔离，为了保证控制器安全可靠的工作，在设计IGBT驱动时需要通过一款隔离驱动芯片来对控制单元发出的驱动信号进行隔离保护。本文重点介绍关于国产群芯微的栅极驱动光耦QX3120助力光储逆变器驱动设计，共模抑制比高达50kV/μs，该驱动芯片可完全兼容市面上主流光耦、容耦的隔离器件，在性能和可靠性方面更加出色，如上图1为QX3120-CUL-S在光伏逆变器中应用。

图2  QX3120-CUL-S 典型应用电路图

QX3120-CUL-S具有更宽的工作温度范围-40℃~105℃、更低的信号传输延时tPLH, tPHL为400ns Min、更高的共模抑制能力CMH，CML = ±50 kV/μs MIN、更快速的响应时间上升时间60s typ、下降时间60s typ，2.5A的驱动能力，最大100ns的脉宽失真，带滞后欠压闭锁功能，RDS(ON)典型值仅1Ω，功耗更小，电源电压额定值宽至15至30V，产品性能上具有明显的竞争优势。

图3  QX3120-CUL-S封装尺寸图

综上所述，国产群芯微驱动光耦QX3120-CUL-S助力光储逆变器IGBT驱动设计，具有以下几点优势：

1、最大2.5A输出峰值电流  ，可以驱动逆变单元1200/40-80A规格的IGBT，驱动能力强；

2、高共模瞬态抑制CMTI可高达50kV/μs，可有效抵抗IGBT开关过程中带来极大的共模噪声，可提高了整体产品的可靠性；

3、更好的动态特性，传播延迟最大400ns、脉冲宽度失真最大100ns，具有更快的开关速度，满足高频的应用；

4、更高的安全性，具有驱动欠压保护功能，当驱动正压低锁定阈值时输出停止有效进行保护；

5、成熟批量产品，兼容封装，无需改板设计，简化设计电路，国产器件在交期和价格上有优势，提升客户产品在市场竞争力。