EPC2024
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最近在做一个项目，1/4W砖的DCDC电源项目输入电压为36~48V，输出电压为7.2~9.6V，输出电流80A，匝比为5:1，频率500KHZ，目前使用SI MOS，整机效率为96.2%，能否推荐一款有提高效率的方案至少到97%以上的开关管?
推荐EPCeGaN FET 额定电压为100V的EPC2218 eGaN FET和额定电压为40V的EPC2024 。eGaN FET具有高开关频率,低损耗，可以采用4个额定电压为100 V的 EPC2218 用于一次侧同步整流、以及采用8个40 V的 EPC2024用于二次侧同步整流组成全桥LLC拓扑，在36V至60V的输入电压下工作，并输出高达83.3A的负载电流。输入电压在48V至12V时的峰值效率为98％，在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97％，可满足效率97%以上，如有需求可申请EPC9149的评估板，详细参考：/news/78060943.html
广告 发布时间 : 2025-03-03
ISL70020参单粒子效应测试报告
本报告对ISL70020SEH GaN晶体管的构成芯片进行了破坏性单事件效应（SEE）测试，包括单事件瞬态（SET）、单事件功能中断（SEFI）、单事件栅极破裂（SEGR）和单事件烧毁（SEB）。测试在德克萨斯A&M大学（TAMU）辐射效应设施进行，使用不同能量的重离子进行辐照。结果显示，在VDSS ≤40V和LET ≤43MeV·cm2/mg的条件下，未发现IDSS明显变化，定义了无条件安全工作区（SOA）。在LET=86MeV·cm2/mg的条件下，32V和40V偏置下出现IDSS增加，但未记录到超过1.44µA的电流阶跃，表明在测试条件下未发生灾难性失效。
RENESAS - EPC2024,N沟道增强型氮化镓功率晶体管,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE GAN POWER TRANSISTOR,ISL70020SEH,EPC2924
EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion
EPC - EPC2024,半桥加驱动器,半桥开发板,双输出模拟控制器,同步降压或升压数字控制器,大电流脉冲激光二极管驱动演示板,开发板,抗辐射氮化镓场效应晶体管,氮化镓场效应晶体管,氮化镓集成电路,演示板,评估套件,EGAN®集成电路,ETOF™激光驱动器,ETOF™激光驱动器IC,三相BLDC电机驱动参考设计板,同步、降压或升压、数字控制器、QFN封装氮化镓场效应晶体管,同步，降压，数字控制器，氮化镓功率IC,基于PCB的半桥电路模块,基于PCB的氮化镓IC功率模块,小型（1/16砖式），同步降压或升压，采用功率级氮化镓IC，数字控制器，带主板,小型（1/16砖式），同步降压，数字控制器，带主板, ANALOG CONTROLLER, BUCK, BUCK OR BOOST, DIGITAL CONTROLLER, FEATURING POWERSTAGE GAN IC, GAN POWER IC, QFN-PACKAGED GAN FETS, SYNCHRONOUS BUCK, SYNCHRONOUS BUCK OR BOOST, WITH MOTHERBOARD,3-PHASE BLDC MOTOR DRIVE REFERENCE DESIGN BOARD,ANALOG CONTROLLER,DEMONSTRATION BOARDS,DEVELOPMENT BOARD,DEVELOPMENT BOARDS,DIGITAL CONTROLLER,DUAL OUTPUT,EGAN FETS,EGAN ICS,EGAN® INTEGRATED CIRCUITS,ETOF™ LASER DRIVER,ETOF™ LASER DRIVER IC,EVALUATION KITS,GAN POWER IC,HALF BRIDGE PLUS DRIVER,HALF-BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,HALF-BRIDGE DEVELOPMENT BOARDS,HIGH CURRENT PULSED LASER DIODE DRIVER DEMO BOARD,INTEGRATED CIRCUITS,LASER DRIVER IC,LIDAR,MOTOR DRIVE,PCB-BASED GAN IC POWER MODULE,PCB-BASED HALF-BRIDGE CIRCUIT MODULE,RAD HARD GAN FETS,SMALL (1/16TH BRICK),SYNCHRONOUS,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC9087,EPC,服务器,激光雷达,电动机驱动,SERVERS
基板供应商替代产品/工艺变更通知（PCN）（PCN240501）
EPC宣布Wafer Works成为Si基板第二家批准供应商，拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works的基板生产设备。受影响的销售部分编号见附录I。
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2024
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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40
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6
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1.5
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18
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5.1
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2.4
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45
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0
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1920
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1620
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29
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90
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560
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150
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LGA 6.05 x 2.3
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Jul, 2016
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选型表 - EPC 立即选型
【应用】EPC的氮化镓场效应晶体管EPC2024用于1/4砖电源模块，峰值效率高达97%以上
本文重点介绍EPC硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管EPC2024应用于1/4砖DC-DC电源模块中的优势，其具有更宽带隙和电子迁移率,可轻松实现100V内ns级切换,开关频率可上至GHz；EPC2024用于二次侧同步整流，峰值效率高达97以上%。
基板供应商替代产品/工艺变更通知（PCN）（PCN240531）
EPC宣布Wafer Works成为第二家合格的Si基板供应商，拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works的基板生产设备。受影响的销售产品编号见附录I。
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EPC Altium库PCBLIB&SCHLIB&INTLIB
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增强型氮化镓技术
本文介绍了增强型氮化镓（eGaN）技术及其在功率转换中的应用。文章强调了eGaN器件相比硅基器件的优势，包括更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的生产成本。此外，还提到了eGaN技术的可靠性和设计支持。
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