EPC Altium Libary PcbLib & SchLib & IntLib
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EPC Altium库PCBLIB&SCHLIB&INTLIB |
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EPC2001C、EPC2007C、EPC2010C、EPC2012C、EPC2014C、EPC2015C、EPC2016C、EPC2019、EPC2020、EPC2021、EPC2022、EPC2023、EPC2024、EPC2029、EPC2030、EPC2031、EPC2032、EPC2033、EPC2034C、EPC2035、EPC2036、EPC2037、EPC2038、EPC2039、EPC2040、EPC2044、EPC2045、EPC2050、EPC2051、EPC2052、EPC2053、EPC2054、EPC2055、EPC2059、EPC2065、EPC2066、EPC2067、EPC2069、EPC2070、EPC2071、EPC2088、EPC2100、EPC2101、EPC2102、EPC2103、EPC2104、EPC2105、EPC2106、EPC2107、EPC2108、EPC2110、EPC2111、EPC2152、EPC21601、EPC21603、EPC21701、EPC2202、EPC2203、EPC2204、EPC2204A、EPC2206、EPC2207、EPC2212、EPC2214、EPC2215、EPC2216、EPC2218、EPC2218A、EPC2219、EPC2221、EPC2252、EPC2302、EPC2304、EPC2305、EPC2306、EPC2307、EPC2308、EPC23101、EPC23102、EPC23103、EPC23104、EPC2619、EPC8002、EPC8004、EPC8009、EPC8010 |
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CAD模型库,PCBLIB&SCHLIB&INTLIB,PcbLib & SchLib & IntLib |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2023 Q1a |
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3.5 MB |
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
|
0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
基板供应商替代产品/工艺变更通知（PCN）（PCN240501）
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EPC - EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2014C,EPC2016C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC8010,EPC2069,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2202,EPC2029,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2221,EPC2022,EPC7014,EPC8004,EPC2716C
【经验】EPC推出的用于氮化镓器件的LGA和BGA封装寄生电感低、尺寸小和热性能出色，应用时需考虑相关制造和设计事项
LGA和BGA封装提供了充分利用eGaN技术能力所必需的低寄生电感、小尺寸和出色的热性能。通过适当的制造技术，使用eGaN器件的组件将具有高产量和长而可靠的工作寿命。本文EPC将就LGA和BGA器件封装、正确的焊点大小和回流曲线等展开叙述，这些都是关键的设计考量因素。
【应用】eGaN FET EPC2007C成功助力16线、32线等多线激光雷达发射端纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，需要采用GaN搭配高功率Laser器件来实现。EPC2007C为EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在16线、32线等激光雷达设计上。
低压氮化镓晶体管-应用和可靠性
本文主要介绍了eGaN®FET技术的最新进展，包括技术更新、可靠性更新、应用更新和总结。文章重点讨论了eGaN FET在降低导通电阻、减少电容、电感、热阻和尺寸方面的优势，以及其在无线充电、LiDAR、包络跟踪、网络和服务器电源供应、卫星系统、高分辨率音频、节能照明、高分辨率MRI成像、交流适配器和机器人等领域的应用。此外，文章还对比了MOSFET和eGaN FET的成本，并展望了eGaN技术的未来发展方向。
EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2010C,EPC2001C,EPC2012C,EPC2015,EPC2105,EPC2014C,EPC2016C,EPC8003,EPC2021,EPC2010,EPC8007,EPC2100,EPC2001,EPC2012,EPC8004,机器人学,激光雷达,服务器电源,卫星系统,无线电源,网络,HIGH RESOLUTION CLASS-D AUDIO,LIDAR,节能照明,HIGH RESOLUTION MRI IMAGING,交流适配器,包络跟踪,ENERGY EFFICIENT LIGHTING,ROBOTICS,高分辨率MRI成像,高分辨率D类音频,ENVELOPE TRACKING,NETWORK,AC ADAPTERS,WIRELESS POWER,SERVER POWER SUPPLIES,SATELLITE SYSTEMS
EPC2001C产品/工艺变更通知（PCN）（PCN210601）
EPC宣布RAYTEK已通过PbF（无铅）晶圆凸块工艺的资格认证，成为EPC产品晶圆凸块组装的合格供应商。此次变更不影响产品形式、尺寸或功能，且成功通过了质量可靠性测试。RAYTEK将从2021年6月6日起开始生产EPC产品，涉及产品编号见附录I。
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