EPC2102

EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南

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EPC9038 B5001修订版2.0

这份资料主要涉及了元器件行业中的几种关键组件和电路设计。内容包括了EPC210系列高效功率转换器的相位腿设计，AP1017系列100V栅极驱动器的设计，以及AP1010系列通用死区时间控制器的设计。此外，还包含了MCP1703T-5002E/MC线性稳压器和CD D12 V到5V LDO电源供应的设计。资料中详细描述了各个组件的功能、电路连接和设计参数。

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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。

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增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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EPC Altium库PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

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EPC（宜普）增强型氮化镓(GaN) FET/IC 快速参考指南

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统的硅基功率转换技术相比，eGaN®技术具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低导通电阻、快速器件、低电容和低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和设计支持，以及其在无线电源、射频放大器、电机驱动、医疗、模拟开关和LED照明等领域的应用。

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EPC2102 Spectre型号

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