EPC2218
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Development Board
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Launch Date
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EPC2218
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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100
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6
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3.2
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10.5
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3.2
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1.5
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46
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0
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1189
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562
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4.3
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60
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231
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150
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LGA 3.5 x 1.95
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EPC90123
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Sept, 2020
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选型表 - EPC 立即选型
最近在做一个项目，1/4W砖的DCDC电源项目输入电压为36~48V，输出电压为7.2~9.6V，输出电流80A，匝比为5:1，频率500KHZ，目前使用SI MOS，整机效率为96.2%，能否推荐一款有提高效率的方案至少到97%以上的开关管?
推荐EPCeGaN FET 额定电压为100V的EPC2218 eGaN FET和额定电压为40V的EPC2024 。eGaN FET具有高开关频率,低损耗，可以采用4个额定电压为100 V的 EPC2218 用于一次侧同步整流、以及采用8个40 V的 EPC2024用于二次侧同步整流组成全桥LLC拓扑，在36V至60V的输入电压下工作，并输出高达83.3A的负载电流。输入电压在48V至12V时的峰值效率为98％，在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97％，可满足效率97%以上，如有需求可申请EPC9149的评估板，详细参考：/news/78060943.html
广告 发布时间 : 2025-03-03
工业功率器件的特性概述
本文详细介绍了Renesas Electronics的工业功率器件，包括COT（恒定导通时间）架构和基于COT的器件，以及低IQ降压稳压器、5V COT稳压器等。文章还比较了COT与固定频率器件的性能，并分析了RAA211230/233、RAA808015/13等产品的特点。此外，文章还涉及了GaN FET的应用、控制器设计、以及能量备份系统的解决方案。
RENESAS - EPC2218,准时发电机,工业动力装置,电感器,调节器,降压升压控制器,降压调节器,零电流开关稳压器,零电流稳压器,MLCC盖,MOSFETS器件,双路输出/两相升压型GAN FET控制器,降压稳压器的电容和VOUT纹波,BUCK REGULATOR,BUCK-BOOST CONTROLLER,CAP AND VOUT RIPPLE FOR BUCK REGULATOR,DUAL OUTPUT/TWO PHASE BOOST GAN FET CONTROLLER,FSW,INDUCTOR,INDUSTRIAL POWER DEVICES,MLCC CAP,MOSFETS,ON-TIME GENERATOR,REGULATOR,ZCS REGULATOR,ZERO CURRENT SWITCHING REGULATOR,BSC097N10NS5,RT6213B,RAA211250,RAA211230,RT6213A,RAA211450,ISL81802,ISL81806EVAL1Z,RAA211835,RAA211650,RAA211651,RAA211233,RAA211630,RAA808015
我司正在设计一款激光器光源电源项目，初步选GAN，母线电压50V，最大脉冲电流180A,希望推荐合适的GAN MOSFET。
推荐EPC EPC2218，最大脉冲电流大231A，留有裕量，详细参数： Vds 100v,ID 60A,Pulsed ID 231A,RDSON 3.2mΩ＠5VGS 数据手册：/doc/3740963.html 优点： 超高效率 无反向恢复 超低QG 小封装
Qorvo EPC2218 增强型功率晶体管
Qorvo EPC2218是一款增强型功率晶体管，适用于高频应用。该产品采用GaN（氮化镓）工艺制造，具有高功率输出和低噪声系数的特点。EPC2218晶体管适用于各种无线通信系统，包括5G、Wi-Fi和卫星通信。其主要性能参数包括：频率范围为0.03至2.5 GHz，输出功率可达100 W，增益为16至22 dB，并且具有低输入阻抗和低输出阻抗的特点。
ACTIVE-SEMI - EPC2218,RF功率晶体管,QM13341,卫星通信,5G,WI-FI
EVAL-LTC7890-AZ 高频双输出降压型电源
EVAL-LTC7890-AZ是一款双输出同步降压转换器评估板，专为驱动所有N通道氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）设计。该评估板采用EPC的EPC2218 100V FET，搭载LTC7890控制器，这是一款低静态电流高频双路降压DC/DC同步控制器，具有用于GaN FET的专用驱动器功能，采用小型6mm × 6mm QFN封装。EVAL-LTC7890-AZ在14V至72V的输入电压范围内工作，可产生两个输出：5V和12V，分别具有高达20A的输出。该评估板配有用于电流检测的检测电阻，并支持轻载期间的连续运行或脉冲跳跃/突发模式运行。EXTVCC引脚允许LTC7890由开关稳压器的输出或其他可用电源供电，以降低功耗并提高效率。
ADI - 电源,EVAL-LTC7890-AZ,汽车解决方案,适用于航空航天和防务系统,数据中心解决方案等领域。
基板供应商备选方案——第二部分（PCN250201）
EPC宣布Wafer Works成为Si基板第二家批准供应商，拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能，且已通过质量可靠性测试。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works基板生产相关产品，过渡期间客户可能从任何批准的供应商处接收货物。受影响的销售部分编号见附录I。
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面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路应用简介
本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能，实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等，并提供了相关器件型号和配置的详细信息。
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【元件】EPC新推80V氮化镓晶体管EPC2204A/EPC2218A，具有较低的栅极电荷，可用于自动驾驶激光雷达
EPC推出了两颗新的80V AEC-Q101认证的氮化镓晶体管（GaN FETs），为设计者提供了比硅MOSFET更小、更高效的解决方案，可用于汽车48V-12V DC-DC转换、信息娱乐和自动驾驶的激光雷达。
BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer
Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.
EPC氮化镓®FET汽车认证报告EPC2252
本报告总结了EPC公司EPC2252、EPC2204A和EPC2218A产品的认证结果。这些产品通过了所有必要的认证要求，并已获准生产。报告详细介绍了产品在温度循环、湿度敏感度、参数验证、静电放电敏感度、高温反向偏置、高温栅极偏置、偏置高度加速测试、温度循环、湿度和电学参数测试等方面的表现。所有测试均符合AEC-Q101 Rev D1标准，确保产品在汽车等应用中的可靠性和性能。
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EPC Altium库PCBLIB&SCHLIB&INTLIB
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