EPC2361

EPC2361–增强型功率晶体管数据表

本资料为EPC2361增强型功率晶体管的详细数据手册。介绍了该产品的特性、最大额定值、静态和动态特性、热特性、布局考虑因素、封装尺寸和推荐资源。

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EPC – 功率转换技术领导者

本文主要介绍了EPC公司在GaN功率转换技术领域的领导地位。EPC致力于开发高性能、低成本GaN功率转换器件，相比硅基MOSFET和PMIC，GaN具有体积小、速度快、效率高、成本低、辐射硬化、可靠性高和易于集成等优点。EPC在GaN IC和离散器件市场占据领先地位，并专注于低于400V的市场。公司拥有超过100种IC和离散晶体管可供现货交付，并拥有成熟的供应链。EPC的市场规模预计将从2022年的6.46亿美元增长到2028年的35亿美元。

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用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术通过提供快速开关、高效率和紧凑尺寸，支持长距离和短距离激光雷达系统，实现更高分辨率、更远距离和更安全的应用。文档详细介绍了eGaN技术在激光雷达设计中的优势，包括高电流脉冲、窄脉冲宽度演示板和eToF™激光驱动器ICs。此外，还提供了推荐器件和配置信息，以支持不同类型的激光雷达系统。

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用于无刷直流（BLDC）电机的氮化镓场效应晶体管和集成电路应用简介

本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在无刷直流（BLDC）电机驱动应用中的关键特性和优势。主要内容包括：eGaN®技术相比硅MOSFET具有更小尺寸、零反向恢复、低开关损耗、鲁棒性等特性；适用于医疗机器人、机器人、协作机器人、电动滑板车、工业无人机、伺服驱动器、电动自行车等应用；提供400W电机驱动解决方案，包括接口板到微控制器、高压电源单元、逻辑+、UVLO+、POR、同步、启动、输出驱动等；推荐了多种适用于BLDC电机的ePower™ Stage和器件，包括EPC2152、EPC23101、EPC23102、EPC23103、EPC23104等。

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EPC2361 PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

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用于DC-DC转换的镓氮®FET和IC应用简介

本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在DC-DC转换中的应用，重点强调了其高效能、高功率密度和小型化的特点。资料中详细展示了不同型号的产品及其在48V至12V转换中的应用，包括高效能计算和电信应用，以及汽车电子领域。此外，还提供了相关产品的详细规格和开发板信息，以帮助工程师进行设计和评估。

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太阳能应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路应用简介

GaN FETs和ICs在太阳能应用中因其高效能、小尺寸、轻重量和长寿命等显著优势而被广泛采用。GaN器件适用于太阳能电池板优化器、微型逆变器、多电平逆变器等，能够提高功率密度，降低开关损耗，并实现更高的效率。与硅MOSFET相比，GaN器件具有更低的导通电阻和开关损耗，更小的尺寸，以及更高的可靠性，适用于宽范围的太阳能系统操作条件。EPC公司提供的GaN器件和解决方案，包括EPC2204、EPC2088、EPC2071等，能够满足不同功率等级和拓扑结构的需求。

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EPC90156开发板快速入门指南

本指南介绍了EPC90156半桥开发板的快速入门，该板集成了100V等级的EPC2361 eGaN场效应晶体管（FET）和门驱动器。它支持单输入或双输入PWM信号，并具有死区时间生成电路以防止直通条件。指南涵盖了如何设置和配置开发板作为降压或升压转换器，包括连接电源、电感器和电容器的说明。此外，还提供了测量波形、效率和热性能的建议，以及有关散热片安装和热界面材料的详细信息。

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EPC2361 Spectre型号

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EPC90156评估板主原理图

该资料主要涉及电子元器件的设计与电路图，包括半桥相位腿设计、高效能功率转换等内容。资料中包含元器件型号、电路图、设计编号、修订版本、日期、文件名等信息。

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