EPC2361 – Enhancement Mode Power Transistor DATASHEET

EPC2252氮化镓®FET规格书

本资料介绍了EPC2252增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（GaN）技术的器件。该产品具有低导通电阻、高开关频率和高效能的特点，适用于汽车激光雷达/TOF、服务器、脉冲电源、隔离电源、点负载转换器、音频放大器和LED照明等领域。

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EPC2361–增强型功率晶体管数据表

本资料为EPC2361增强型功率晶体管的详细数据手册。介绍了该产品的特性、最大额定值、静态和动态特性、热特性、布局考虑因素、封装尺寸和推荐资源。

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EPC2069–增强型功率晶体管规格书

本资料详细介绍了EPC2069增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的功率器件。该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），适用于高频开关应用，同时具备高功率密度、高效率和低开关损耗等特点。

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EPC2302–增强型功率晶体管数据表

该资料介绍了EPC2302增强型功率晶体管，这是一种低导通电阻（1.8 mΩ max）的100V eGaN® 功率晶体管，采用3 x 5 mm QFN封装，具有暴露顶部的散热设计。适用于高频DC-DC转换和48V BLDC电机驱动应用。

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EPC2901C_55–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书

本资料详细介绍了EPC2901C_55型号的eGaN® FET（增强型场效应晶体管）的特性和应用。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻、高开关频率和低开关损耗，适用于高频DC-DC转换、工业自动化、同步整流和低电感电机驱动等领域。

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EPC2057–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书

本资料详细介绍了EPC2057增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（GaN）技术的功率器件。该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），高开关频率和低开关损耗，适用于高效能转换应用。

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EPC2212-汽车用100 v（D-S）增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表

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EPC2016C–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表

本资料为EPC2016C增强型功率晶体管的电子数据表。介绍了该器件的关键参数、特性及应用领域，包括其低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力、优异的热性能和适用于高速直流-直流转换、音频放大器和高频硬开关电路等应用。

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EPC2306–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET数据表

本资料介绍了EPC2306增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻RDS(on)，适用于高频开关应用，同时提供低QG和零QRR，适合于高频率和高效率转换需求。

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面向无人机的eGaN® FET和IC应用简介

本文介绍了eGaN® FET和IC在无人机应用中的优势，包括激光雷达/飞行时间、DC/DC电源供电和BLDC电机驱动。eGaN器件具有尺寸小、开关损耗小、无反向恢复、高开关频率等特性，适用于无人机的高效、轻量化设计。文中详细列出了适用于无人机应用的eGaN器件型号、配置和特性，包括激光雷达驱动器、电机驱动器和电源转换器件等。

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面向直流无刷（BLDC）电机的 eGaN® FET 及集成电路

本文介绍了eGaN®技术在直流无刷电机（BLDC）应用中的优势，尤其是在工业自动化、汽车制造和医疗设备领域的应用。eGaN® FET相比传统硅基MOSFET具有更高的开关速度、更低的开关损耗和更小的尺寸，适用于线性电机、伺服电机、机器人驱动器等。文章还提供了EPC公司生产的eGaN® FET器件型号配置和典型值参数。

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EPC2001C–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表

本资料为EPC2001C增强型功率晶体管的电子数据表，介绍了该产品的技术规格、特性、应用领域和热设计。资料涵盖了最大额定值、静态特性、动态特性、电容特性、热阻特性、封装尺寸和标记等内容。

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EPC2019–增强型功率晶体管数据表

本资料介绍了EPC2019增强型功率晶体管（eGaN® FET）的技术规格和应用。该器件采用氮化镓技术，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于高速直流-直流转换、音频放大器和高频开关电路。

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EPC2007C–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表

本资料为EPC2007C增强型功率晶体管的规格说明书。介绍了该产品的电气参数、热特性、静态和动态特性，并提供了典型输出特性曲线图和电容特性曲线图。

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EPC2619–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书

本资料介绍了EPC2619增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻RDS(on)、高电子迁移率和低温度系数，适用于高频开关应用，同时提供优异的热性能和效率。

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