Assembling eGaN® FETs and Integrated Circuits

使用增强型硅上氮化镓功率FET（氮化镓®FET）应用笔记

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如何设计采用封装氮化镓®FET的2 kW 48 V/12 V双向电源模块应用笔记

本文介绍了使用eGaN® FETs设计2 kW 48 V/12 V双向电源模块的方法。该设计采用EPC9165双向DC-DC转换器，使用QFN封装的GaN FETs，实现96%的效率。文章详细讨论了电路设计、热管理和数字控制等方面，并提供了性能测试结果。

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组装egallium氮化物®FET和集成电路

本文详细介绍了eGaN® FETs和集成电路的组装过程，包括PCB设计、组装工艺和常见问题解决。文章强调了eGaN技术的优势，如低电感、小尺寸和优异的热性能，并提供了关于LGA和BGA封装、焊膏选择、回流曲线、清洗和检查等方面的具体指导。此外，文章还讨论了组装过程中可能遇到的问题，如电气枝晶、热枝晶、焊点开裂、焊点空洞、芯片倾斜和填充物等，并提供了相应的解决方案。

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极端氮化镓–当氮化镓®FET暴露于远高于数据手册限制的电压和电流水平时会发生什么

本文探讨了宽禁带氮化镓（GaN）器件在超出数据表极限电压和电流条件下的表现。文章介绍了高效功率转换公司（EPC）对第五代100V额定EPC2045 eGaN FET进行的测试，分析了其在硬开关条件下承受高达150V漏源偏置的情况。此外，还讨论了超过数据表最大脉冲电流限制的短路电流测试结果。

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EPC2053 EPC氮化镓场效应晶体管鉴定报告

本报告概述了EPC eGaN® FETs产品EPC2053的合格测试结果。报告涵盖了EPC2053、EPC2045、EPC2051和EPC2052的合格测试，这些产品具有相同的电压等级和器件加工。测试包括高温栅极偏置、温度循环、高温高湿反向偏置、湿度敏感度等级和静电放电特性等。所有测试均符合JEDEC标准，EPC2053通过了所有测试，已批准投入生产。

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用于48 V降压转换器的镓氮®FET和IC应用简介

本文介绍了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用优势。eGaN®技术能够提高输出电流，同时减小尺寸，实现高效开关，降低功耗。文章还探讨了数据中心服务器电源架构的重新思考，eGaN® FETs和ICs使单级转换成为可能，从而提高能效和降低运营成本。此外，文章还提供了相关产品信息和推荐设备。

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氮化镓®FET的热管理

本文介绍了eGaN® FET的热管理策略，针对其高功率密度、快速开关和低导通电阻的特点，分析了热管理的重要性。文章详细阐述了通过优化PCB设计和背面冷却来提高热传导的方法，包括使用热通路、热扩散器和散热器等。此外，还讨论了热界面材料（TIM）的选择和热仿真结果，以验证所提出的热管理策略的有效性。

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eGaN® FETs and ICs for Time-of-Flight/Lidar 应用简介

本文介绍了eGaN®技术及其在飞行时间/激光雷达系统中的应用。eGaN® FETs和ICs能够提供高电流脉冲，适用于长距离和短距离激光雷达系统，如自动驾驶汽车和碰撞避免系统。文章还展示了eGaN®技术在提高开关速度、脉冲精度、效率、尺寸和成本效益方面的优势，并提供了相关产品型号和配置信息。

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如何使用氮化镓®FET设计超薄、高效、多电平DC-DC转换器

本文介绍了使用eGaN® FETs设计一款超薄、高效的多级DC-DC转换器。文章详细阐述了基于eGaN FETs的三级降压转换器的设计，包括电路原理、关键元件选择、控制策略等。实验验证了该转换器的性能，峰值效率达到97.8%，整体厚度仅为5mm。

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如何使用氮化镓®FET设计具有低温升的薄型DC/DC电源模块

本文介绍了使用eGaN® FETs设计一款低温升的薄型DC/DC电源模块。该模块采用同步降压拓扑，输入电压为44V至60V，输出电压为12V至20V，输出电流为12.5A。文章详细阐述了电路设计、热管理以及实验验证过程，展示了该模块的高效率和低温升特性。

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如何设计采用封装氮化镓®FET的2 kW 48 V/12 V双向电源模块

本文介绍了使用eGaN® FETs设计2 kW 48 V/12 V双向电源模块的方法。该模块采用EPC9165芯片，实现96%的效率。设计重点包括小型化、低成本和高可靠性。文章详细讨论了电路设计、热管理和数字控制等方面，并提供了性能测试结果。

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