Assembling eGaN® FETs and Integrated Circuits
当客户表达对功率半导体(晶体管、二极管或集成电路)更好封装的愿望时,他们的要求分为六类:
1包裹能小一点吗®2可降低电感封装®三。这种产品能以更低的传导损耗制造吗®4这个包裹能更热吗®5这个产品能便宜一点吗®6包裹能更可靠吗®来自EPC的egallium氮化物®fet和集成电路采用了一种截然不同的封装方式来封装功率半导体,我们完全放弃了封装,从而同时改进了上述六项要求。EPC创新的晶圆级、接地栅极阵列(LGA)和球栅阵列(BGA)封装使功率密度达到了新的水平[2]。图1所示为EPC2001C的安装侧照片,其地距为0.4 mm,EPC2045的球距为0.5 mm
组装egallium氮化物®FET和集成电路 |
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APPLICATION NOTE,应用笔记,应用笔记或设计指南 |
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详见资料 |
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BGA;LGA |
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中文 英文 中英文 日文 |
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October, 2017 |
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AN009 |
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1.8 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
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CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
|
0.42
|
0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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