面向48 V降压转换器的 eGaN®FET及集成电路 应用简介
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应用及方案,应用简介 |
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详见资料 |
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LGA;BGA |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2020/04/03 |
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AB009 |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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EPC半桥Demo选型表
EPC提供半桥Demo选型:VDS(最大值)(V):20V~350V,Id(RMS最大值)(A):1A~65A
产品型号
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品类
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Description
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VDS max(V)
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ID(max RMS)(A)
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Featured Product
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EPC9086
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开发板
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Half Bridge Plus Driver
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30
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15
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EPC2111
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选型表 - EPC 立即选型
EPC9037开发板 物料清单
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EPC(宜普)面向48V降压转换器的eGaN FET及集成电路应用笔记 (AB009)
本文介绍了基于eGaN®技术的48V降压转换器及其优势。eGaN®FET及集成电路在48V降压转换器中的应用提高了输出电流,缩减了尺寸,实现了超低QGD及没有QRR,在大电流及高压下实现高效开关。此外,晶圆级封装降低了电感、噪声和成本,高频开关使得无源组件尺寸更小、成本更低,并提高了瞬态响应。文章还探讨了数据中心电源架构的优化,利用eGaN®FET及集成电路实现单级转换,提高数据中心效率。
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