eGaN® FETs and ICs for Lidar
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用于激光雷达的egallium氮化物FET和IC |
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EPC9144、EPC9126、EPC9126HC、EPC2040、EPC2216、EPC8004、EPC2014C、EPC2015C、EPC2035、EPC8002、EPC8009、EPC2214、EPC2038、EPC2037、EPC8010、EPC2036、EPC2007C、EPC2051、EPC2016C、EPC2212、EPC2052、EPC2045、EPC2001C、EPC2053、EPC9024、EPC9005C、EPC9001C、EPC9049、EPC9022、EPC9029、EPC9507、EPC9087、EPC9030、EPC9050、EPC9006C、EPC9091、EPC9010C、EPC9092、EPC9078、EPC9002C、EPC9093 |
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APPLICATION BRIEF,应用笔记或设计指南,申请简介 |
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详见资料 |
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BGA;LGA |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2020/05/18 |
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AB005 |
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544 KB |
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
GaN Transistor for Several Power Applications
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