EPC2007C – Enhancement Mode Power Transistor eGaN® FET DATASHEET

EPC2212-汽车用100 v（D-S）增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表

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EPC2001C–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表

本资料为EPC2001C增强型功率晶体管的电子数据表，介绍了该产品的技术规格、特性、应用领域和热设计。资料涵盖了最大额定值、静态特性、动态特性、电容特性、热阻特性、封装尺寸和标记等内容。

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EPC2044–增强型功率晶体管数据表

本资料介绍了EPC2044增强型功率晶体管，这是一种基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻RDS(on)、高开关频率和低驱动功率，适用于高效能转换应用。

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EPC2016C–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表

本资料为EPC2016C增强型功率晶体管的电子数据表。介绍了该器件的关键参数、特性及应用领域，包括其低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力、优异的热性能和适用于高速直流-直流转换、音频放大器和高频硬开关电路等应用。

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EPC2934C–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书

本资料详细介绍了EPC2934C增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的功率器件。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力、优异的热性能和快速开关特性，适用于高效能转换应用。

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EPC2088–增强型功率晶体管

本资料介绍了EPC2088增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（GaN）技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于高效率电源转换应用。

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EPC2204–增强型功率晶体管数据表

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EPC2034C–增强型功率晶体管数据表

本资料为EPC2034C增强型功率晶体管的数据表，介绍了该产品的技术规格、特性、应用领域和封装信息。资料涵盖了最大额定值、静态特性、动态特性、热特性和封装尺寸等内容。

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EPC2059–增强型功率晶体管

本资料为EPC2059增强型功率晶体管的规格书。该器件采用氮化镓（Gallium Nitride）技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关频率和优异的热性能。适用于高效能转换应用。

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EPC2037–增强型功率晶体管

本资料为EPC2037增强型功率晶体管的规格书。介绍了该产品的关键参数、特性及应用领域，包括低导通电阻（RDS(on)）、高开关频率、低QG和零QRR等特点，适用于高速直流-直流转换、无线电力传输、激光雷达/脉冲电源应用和类D音频等领域。

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EPC2022–增强型功率晶体管

本资料为EPC公司的eGaN® FET（氮化镓场效应晶体管）EPC2022的数据手册。该器件具有低导通电阻、高开关频率和快速响应等特点，适用于高速直流-直流转换、电机驱动、工业自动化、同步整流、浪涌保护和Class-D音频等领域。

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EPC2054–增强型功率晶体管

本资料为EPC2054增强型功率晶体管的电子数据表。它详细介绍了该产品的电气特性、热特性、动态特性以及封装信息，适用于高速直流转换、无线电力传输、高频硬开关和软切换电路等领域。

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EPC2012C–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表

本资料为EPC2012C增强型功率晶体管（eGaN® FET）的数据表。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻、高开关频率和优异的热性能等特点，适用于高频直流直流转换、无线电力传输和音频放大器等领域。

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EPC2215–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET规格书

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