面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)应用简介

发布时间： 2022-03-28 品牌： EPC

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●音频放大器所播放的音质受到功率晶体管的特性所影响，我们用总谐波失真(THD)、阻尼系数(DF)及交互调变失真(IMD) 来测量。
●氮化镓场效应晶体管(eGaN FET) 具备接近完美的开关性能，因为它具有更低的传播延迟特性、更快速 slew rate (因为它具有更低的栅极电容) 及零反向恢复电荷(Q-RR) ，使得死区时间更短促，从而实现更低开环失真、降低总谐波失真及总功耗，这样可减少feedback、降低瞬态交互调变失真(T-IMD)及阻尼系数，结果是使得D类音频放大器的音质得以大大提升，而且可以实现更低的总功率损耗。

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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。

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2023/11/29 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术，旨在提供更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本。与硅MOSFET相比，eGaN FET具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。文章还强调了eGaN FET在汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明、无线充电和太阳能应用等领域的应用优势。此外，文章还提到了eGaN FET的可靠性、成本效益和全面设计支持。

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2023/10/6 - 应用及方案

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/26 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/11 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能全新功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN® FET技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。

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2023/7/12 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN® FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复方面的性能优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN® FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。

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2023/2/11 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，包括更低的阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复。此外，氮化镓器件具有低成本、可靠性高、易于使用和全面设计支持等特点。文章还列举了eGaN® FET在不同应用中的优势，如汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2023/1/25 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细介绍了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。

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2022/12/20 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，eGaN® FET器件在成本效益、可靠性、简单易用性和全面设计支持方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN® FET器件的应用实例和设计资源。

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2022/12/9 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细说明了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的性能提升，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。

EPC - 多模无线电源演示套件,开发板,电源模块,放大器电路板,无线接收器件,升压转换器,超薄多电平转换器,增强型氮化镓功率晶体管,演示板,驱动器演示板,无线电源演示套件,氮化镓场效应晶体管,电机驱动器演示板,1/16砖式转换器评估模块套件,功率模块,EGAN FET,三相无刷直流电机驱动,降压转换器,EGAN集成电路,1/8砖式转换器,评估模块,EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC90153,EPC9121,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC9014,EPC2066,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC9093,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC9067,EPC2152,EPC2031,EPC9068,EPC2034,EPC2033,EPC9126HC,EPC9063,EPC9064,EPC8010,EPC9066,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2308,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9514,EPC9111,EPC9078,EPC9112,EPC2045,EPC2044,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9166,EPC9167,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9162,EPC9041,EPC9163,EPC9165,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC2306,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9167HC,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9173,EPC9176,EPC9055,EPC9170,EPC9171,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC2010C,EPC9001C,EPC7007,EPC2034C,EPC9148,EPC2071,EPC23101,EPC23102,EPC9144,EPC2111,EPC7004,EPC9146,EPC2110,EPC9143,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC7019,EPC9048C,EPC7018,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC21603,EPC9156,EPC9035,EPC9157,EPC9036,EPC7014,EPC21601,EPC9037,EPC9151,EPC90122,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC9032,EPC90120,EPC9154,EPC9033,EPC90121,EPC90124,EPC9150,EPC90128,激光雷达,无线电源,汽车,马达驱动器,包络跟踪,医疗应用,DC/DC转换器,负载点转换器,模拟开关,LED照明,电机驱动器,无线充电,D类音频放大器,射频放大器

2022年11月 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗和更小的电容。此外，eGaN® FET器件在成本效益、可靠性、简单易用性方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN® FET器件的应用实例和设计资源。

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2022/10/20 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有成本效益，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/9/7 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。

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2022/4/4 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还提到了eGaN FET的应用领域，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/3/2 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。基于氮化镓技术的器件可在不同的功率及电压条件下高效地工作。

EPC - 氮化镓功率晶体管,集成电路,EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9121,EPC2069,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC2219,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9126HC,EPC8010,UP1966E,EPC2203,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9166,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC8004,EPC2022,EPC9170,EPC2010C,EPC2034C,EPC9148,EPC23101,EPC9149,EPC9144,EPC9145,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC9143,EPC2007C,EPC21603,EPC9156,EPC9157,EPC7014,EPC21601,EPC9151,EPC9153,EPC9154,EPC9150,激光雷达,汽车,马达驱动器,无线充电,医疗应用,DC/DC转换器,负载点转换器,模拟开关,D类音频放大器,射频放大器,LED照明

2022/2/8 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出低阻抗、低导通损耗、快速开关、低开关损耗和没有反向恢复等特点。此外，eGaN FET器件具有低成本、成熟工艺、低系统成本、简单易用、可靠性和耐辐射等优点。文章还提供了eGaN FET器件的选型和设计资源，以及其在不同应用中的演示板信息。

EPC - 宽带隙器件,开发板,EPOWER™ STAGE,EPOWER™工作台,EGAN FET及集成电路,演示板,氮化镓场效应晶体管,ETOF™ 激光驱动器,增强型氮化镓晶体管,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC9014,EPC9097,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2152,EPC2031,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC950X,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2207,EPC2015C,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2010C,EPC2034C,EPC9148,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC9145,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC7014,EPC9037,EPC21601,EPC90122,EPC9030,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC9153,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150,激光雷达,无线电源,汽车,马达驱动器,包络跟踪,医疗应用,开关应用,DC/DC转换器,模拟开关,LED照明,电机驱动器,功率模块,无线充电,脉冲激光二极管,D类音频放大器,评估模块,射频放大器

2021/11/17 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

氮化镓晶体管是一种宽带隙器件，与传统硅晶体管相比，由于具有卓越的传导性能，因此在相同的导通电阻(RDS(on)) 条件下，可实现更小尺寸及更低电容。在开关应用中，增强型(常闭型)的工作模式让功率设计师可发挥氮化镓器件的优势。电容及电感影响开关速度。小型并使用横向结构的氮化镓场效应电晶体(eGaN FET)具备超低电容，同时它的LGA封装具低电感，使得我们在速度、电压过冲及振铃方面可实现前所未有的开关性能。没有反向恢复（QRR）在高频时也可减少损耗。氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。基于氮化镓技术的器件可在不同的功率及电压条件下高效地工作。

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2021年11月 - 商品及供应商介绍

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗和更小的电容。此外，eGaN FET器件在成本效益、可靠性、耐辐射性等方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN FET器件的应用实例和选型指南。

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2021 - 商品及供应商介绍

面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路应用简介

本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能，实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等，并提供了相关器件型号和配置的详细信息。

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2024/8/27 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介

本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及其集成电路的应用范围，包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势，如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时，提供了eGaN®SR系列产品的参数对比，并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外，还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。

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2024/6/11 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南

eGaN FETs and ICs eGaN® Integrated Circuits Half-Bridge Development Boards DrGaN DC-DC Conversion Lidar/Motor Drive AC/DC Conversion

EPC - MOTOR DRIVE,EGAN®集成电路,半桥开发板,同步、降压或升压、数字控制器、QFN封装氮化镓场效应晶体管,同步降压或升压数字控制器,ETOF™激光驱动器,EGAN® INTEGRATED CIRCUITS,PCB-BASED HALF-BRIDGE CIRCUIT MODULE,HALF-BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,EGAN ICS,LASER DRIVER IC,SYNCHRONOUS, BUCK OR BOOST, DIGITAL CONTROLLER, QFN-PACKAGED GAN FETS,开发板,EGAN FETS,DIGITAL CONTROLLER,PCB-BASED GAN IC POWER MODULE,GAN POWER IC,演示板,SMALL (1/16TH BRICK), SYNCHRONOUS BUCK, DIGITAL CONTROLLER, WITH MOTHERBOARD,基于PCB的半桥电路模块,DEVELOPMENT BOARDS,3-PHASE BLDC MOTOR DRIVE REFERENCE DESIGN BOARD,LIDAR,抗辐射氮化镓场效应晶体管,RAD HARD GAN FETS,ETOF™ LASER DRIVER IC,DEMONSTRATION BOARDS,大电流脉冲激光二极管驱动演示板,HIGH CURRENT PULSED LASER DIODE DRIVER DEMO BOARD,同步，降压，数字控制器，氮化镓功率IC,SYNCHRONOUS, BUCK OR BOOST, DIGITAL CONTROLLER,氮化镓场效应晶体管,基于PCB的氮化镓IC功率模块,三相BLDC电机驱动参考设计板,ANALOG CONTROLLER,INTEGRATED CIRCUITS,评估套件,SMALL (1/16TH BRICK), SYNCHRONOUS BUCK OR BOOST, FEATURING POWERSTAGE GAN IC,DIGITAL CONTROLLER, WITH MOTHERBOARD,半桥加驱动器,小型（1/16砖式），同步降压或升压，采用功率级氮化镓IC，数字控制器，带主板,EVALUATION KITS,SYNCHRONOUS, BUCK, DIGITAL CONTROLLER, GAN POWER IC,HALF BRIDGE PLUS DRIVER,氮化镓集成电路,双输出模拟控制器,ETOF™ LASER DRIVER,ETOF™激光驱动器IC,DEVELOPMENT BOARD,小型（1/16砖式），同步降压，数字控制器，带主板,HALF-BRIDGE DEVELOPMENT BOARDS,DUAL OUTPUT, ANALOG CONTROLLER,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC9087,EPC90154,EPC2069,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC9018,EPC2065,EPC90151,EPC21702,EPC90152,EPC2067,EPC2100,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC90145,EPC9097,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC90148,EPC9092,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC9067,EPC2031,EPC9068,EPC2152,EPC2033,EPC9063,EPC9186,EPC8010,EPC9066,EPC9180,EPC2204A,EPC9181,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2040,EPC2045,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9203,EPC9204,EPC9205,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9047,EPC9201,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC90133/,EPC2024,EPC2302,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC2021,EPC9177,EPC2020,EPC9057,EPC9167HC,EPC2023,EPC9058,EPC9179,EPC2022,EPC8004,EPC9059,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC2010C,EPC2034C,EPC7007,EPC7002,EPC9148,EPC2071,EPC7001,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC90140,EPC9144,EPC23104,EPC2111,EPC7004,EPC2110,EPC7003,EPC90133,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC90139,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9159,EPC2007C,EPC9039,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC2088,EPC7014,EPC9037,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC90123,EPC9031,EPC90120,EPC9153,EPC90121,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128,激光雷达,SERVERS,MOTOR DRIVE,LIDAR,服务器,电动机驱动

2024/1/3 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

EPC eGaN®FET/晶体管选型表

EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V

Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS

Enhancement Mode Power Transistor

选型表 - EPC 代理服务技术支持采购服务立即选型

EPC 100V氮化镓场效应晶体管EPC2367，仅1.2mΩ的超低RDS(on)，带来更高效率和更低系统成本

EPC新产品EPC2367是一款100V的eGaN® FET，可用于数据中心、电动汽车的48V电源架构，在功率转换应用中提供卓越性能，带来更高效率和更低系统成本。紧凑的3.3mm × 3.3mm QFN封装——节省PCB空间，增强热性能；领先的性能优值—— EPC2367在硬开关和软开关的应用场景下表现均优于同类产品，实现更低的功率损耗。

2025-04-16 - 产品代理服务技术支持采购服务

【应用】基于GaN（氮化镓）的D类音频放大器，实现高质量、低成本的音质

现在，氮化镓FET和IC的出现正在迎来高质量、低成本D类音频放大器的时代。基于GaN的FET和IC更优异的开关和热性能产生的波形比硅MOSFET所能达到的波形更接近所需的理想波形。采用GaN技术的高级音频D类放大器提供高于A类放大器设计的音质。

2021-09-19 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

EPC23101-ePower™Stage IC氮化镓®FET规格书

该资料介绍了EPC23101 ePowerTM Stage集成电路，这是一种集成了高侧eGaN® FET、内部栅极驱动器和电平转换器的高效功率转换解决方案。该芯片适用于多种转换器拓扑，如降压、升压和升降压转换器，以及半桥、全桥LLC转换器和电机驱动逆变器。它具有低导通电阻、高开关频率和低静态电流等特点，适用于高效率、小型化和易于制造的电源设计。

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May, 2024 - 数据手册 - VERSION 1.2 代理服务技术支持采购服务

EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介中文版（AB003）

本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR)，从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。

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2017年07月11日 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

【产品】EPC新推氮化镓场效应晶体管EPC2306，为高功率密度应用提供超小型化解决方案

宜普电源转换公司（EPC）新推100V、3.8mΩ的氮化镓场效应晶体管EPC2306，为高功率密度应用提供性能更高和更小的解决方案，包括DC/DC转换、AC/DC充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频放大器等应用。

2022-09-15 - 新产品代理服务技术支持采购服务

EPC氮化镓晶体管选型表

EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。

产品型号	品类	最大耐压（V）	持续电流(A)	导通阻抗(mΩ)	导通电荷(nC)	峰值电流(A)	封装（mm)
EPC2040	Enhancement Mode Power Transistor	15V	3.4A	30mΩ	0.745nC	28A	BGA 0.85 mm*1.2mm

选型表 - EPC 代理服务技术支持采购服务立即选型

面向机器人技术的氮化镓场效应晶体管及集成电路市场简介

本文介绍了eGaN®技术及其在机器人技术中的应用。重点介绍了氮化镓场效应晶体管和集成电路在DC/DC功率转换、无人机、激光雷达/TOF、家用机器技术、BLDC电机、手术和医疗应用等方面的应用和优势。文章还提供了相关器件型号、配置、性能参数和开发板信息。

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2023/11/29 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务查看更多版本

面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)应用简介

氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在D类音频放大器中的应用优势包括降低总谐波失真（THD）、提高效率、减小占板面积和消除散热器。eGaN FET具有快速开关、短死区时间和零反向恢复电荷（QRR）的特性，从而提升音质并降低功耗。资料中提供了eGaN FET的推荐器件型号、配置和性能参数，以及相关参考设计和开发板信息。

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2023/10/13 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)应用简介

氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在D类音频放大器中的应用优势包括降低总谐波失真（THD）、提高效率、减小占板面积和消除散热器需求。资料中介绍了eGaN FET的开关性能，以及其在音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FET,演示板,功率晶体管,EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2215,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC9047,EPC2055,EPC90153,EPC9040,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2304,EPC2108,EPC2306,EPC2107,EPC2305,EPC9010C,EPC2065,EPC2020,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC9006C,EPC2619,EPC2036,EPC2071,EPC9106,EPC90140,EPC2031,EPC2033,EPC9063,EPC9064,EPC90132,EPC90137,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9039,EPC2044,EPC2088,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124,EPC90128,D类音频放大器,音频放大器

2023/1/10 - 应用及方案

面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)应用简介

氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在D类音频放大器中的应用优势包括降低总谐波失真（THD）、提高效率、减小占板面积和消除散热器需求。资料中介绍了eGaN FET的开关性能，以及其在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,半桥开发板,EGAN® FET,演示板,氮化镓场效应晶体管,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC9047,EPC2055,EPC90153,EPC9040,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2304,EPC2108,EPC2306,EPC2107,EPC2305,EPC9010C,EPC2065,EPC2020,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC9006C,EPC2619,EPC2036,EPC2071,EPC9106,EPC90140,EPC2031,EPC2033,EPC9063,EPC9064,EPC90132,EPC90137,EPC9061,EPC2308,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9039,EPC2044,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124,EPC90128,D类音频放大器应用

2022/12/16 - 应用及方案

面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)应用简介

氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在D类音频放大器中的应用优势包括降低总谐波失真（THD）、交互调变失真（IMD）和阻尼系数，提高效率，减小占板面积，并消除散热器需求。资料提供了eGaN FET在音频放大器设计中的推荐器件和应用产品，如EPC2055、EPC90132等，并展示了相关性能参数和参考设计。

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,半桥开发板,EGAN® FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC9047,EPC2055,EPC90153,EPC9040,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2304,EPC2108,EPC2306,EPC2107,EPC9010C,EPC2305,EPC2065,EPC2020,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC9006C,EPC2619,EPC2036,EPC2071,EPC9106,EPC90140,EPC2031,EPC2033,EPC9063,EPC9064,EPC90132,EPC90137,EPC9061,EPC2308,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9039,EPC2044,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124,EPC90128,D类音频放大器

2022/12/12 - 应用及方案

面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET)应用简介

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,半桥开发板,EGAN® FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC9047,EPC2055,EPC90153,EPC9040,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2108,EPC2306,EPC2107,EPC9010C,EPC2065,EPC2020,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC9006C,EPC2619,EPC2036,EPC2071,EPC2031,EPC2033,EPC9063,EPC9064,EPC90132,EPC90137,EPC9061,EPC2308,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9039,EPC2044,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124,EPC90128,D类音频放大器应用

2022/11/16 - 应用及方案

面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)应用简介

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,半桥开发板,EGAN® FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC9047,EPC2055,EPC9040,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2108,EPC2306,EPC2107,EPC9010C,EPC2065,EPC2020,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2034C,EPC2071,EPC9106,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9063,EPC9064,EPC90132,EPC90137,EPC9061,EPC9062,EPC2308,EPC9048C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9039,EPC9078,EPC2045,EPC2044,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124,EPC90128,D类音频放大器

2022/10/20 - 应用及方案

面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET) 应用简介

氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在D类音频放大器中的应用优势包括降低总谐波失真（THD）、交互调变失真（IMD）和阻尼系数，提高效率，减小占板面积，并消除散热器需求。资料提供了eGaN FET在音频放大器设计中的推荐器件和应用产品，如EPC9106演示板和eGaNAMP平台。

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2022/10/8 - 应用及方案

面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)应用简介

氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在D类音频放大器中的应用优势显著，包括降低总谐波失真（THD）、提高效率、减小占板面积等。资料详细介绍了eGaN FET的技术特点、应用产品型号配置以及相关参考设计，旨在帮助设计师优化D类音频放大器的设计。

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2022/9/7 - 应用及方案

面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)应用简介

氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在D类音频放大器中的应用优势包括降低总谐波失真（THD）、提高效率、减小占板面积和消除散热器需求。资料介绍了eGaN FET的开关性能，以及其在D类音频放大器设计中的推荐器件和应用产品型号配置。

EPC - GAN® FET,EGAN FET,半桥开发板,演示板,氮化镓场效应晶体管,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC9047,EPC2055,EPC9040,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2108,EPC2107,EPC9010C,EPC2065,EPC2020,EPC9097,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC9099,EPC9092,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2034C,EPC2071,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9063,EPC9064,EPC90132,EPC90137,EPC9061,EPC9062,EPC9048C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9039,EPC9078,EPC2045,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124,D类音频放大器

2022/5/6 - 应用及方案

面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET) 应用简介

音频放大器所播放的音质受到功率晶体管的特性所影响，我们用总谐波失真(THD)、阻尼系数(DF)及交互调变失真(IMD)来测量。氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)具备接近完美的开关性能，因为它具有更低的传播延迟特性、更快速slew rate(因为它具有更低的栅极电容)及零反向恢复电荷(Q-RR)，使得死区时间更短促，从而实现更低开环失真、降低总谐波失真及总功耗，这样可减少feedback、降低瞬态交互调变失真(T-IMD)及阻尼系数，结果是使得D类音频放大器的音质得以大大提升，而且可以实现更低的总功率损耗。

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2021 - 应用及方案

面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET) 应用简介

氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在D类音频放大器中的应用能够显著提升音质，降低总谐波失真（THD）和总功耗。eGaN FET具有快速开关、短死区时间和零反向恢复电荷（QRR）的特性，从而减少反馈和瞬态交互调变失真（T-IMD），提高阻尼系数。资料中介绍了EPC9106演示板，展示了其在不同输出功率和频率响应下的优越性能。

EPC - EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC9040,EPC9002C,EPC2104,EPC2103,EPC2001C,EPC2106,EPC2029,EPC2108,EPC2107,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9014,EPC2022,EPC9055,EPC9092,EPC9093,EPC9050,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC9106,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9063,EPC9064,EPC9061,EPC9062,EPC9048C,EGANAMP2016,EPC2015C,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC9033,EGANAMP 2.1

2020/04/03 - 应用及方案

【产品】导通电阻增幅约40%的氮化镓场效应晶体管EPC2010，25℃~100℃

温度25℃~100℃时,EPC氮化镓场效应晶体管EPC2010 Rds(on)的增幅只有约40%。在25℃时，与硅技术相比，芯片晶圆在100℃结温时，氮化镓晶片的Rds(on)将会带来20%的优势。

2018-01-24 - 新产品代理服务技术支持采购服务

用于d类音频应用的氮化镓®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Class-D音频应用中的优势。eGaN®技术通过降低总谐波失真（THD）、提高效率、减小尺寸和消除散热器，显著提升了音频放大器的音质和性能。文档还提供了eGaN FETs和ICs的推荐型号和应用参考设计。

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,EGAN®集成电路,演示板,半桥式开发板,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,DEMONSTRATION BOARD,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2215,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2054,EPC2055,EPC90153,EPC9040,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2304,EPC2306,EPC2107,EPC2305,EPC2065,EPC9179,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2071,EPC9106,EPC90140,EPC2031,EPC9063,EPC90132,EPC90137,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC9039,EPC2044,EPC2088,EPC90122,EPC90123,EPC90124,EPC90128,产消者,PROSUMER,CONSUMER,D类音频应用,CLASS-D AUDIO APPLICATIONS,消费者,CLASS-D AUDIO AMPLIFIER,D类音频放大器

2023/10/13 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

用于d类音频应用的氮化镓®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Class-D音频应用中的优势。eGaN®技术通过其高效的开关特性，降低了总谐波失真（THD）、阻尼系数（DF）和互调失真（IMD），从而提高了音频质量。文章还提供了eGaN FETs和ICs在Class-D音频放大器设计中的应用实例和推荐器件。

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,EGAN®集成电路,半桥式开发板,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,6演示板,6 DEMONSTRATION BOARD,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC9047,EPC2055,EPC90153,EPC9040,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2304,EPC2108,EPC2306,EPC2107,EPC9010C,EPC2305,EPC2065,EPC2020,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC9006C,EPC2619,EPC2036,EPC2071,EPC9106,EPC90140,EPC2031,EPC2033,EPC9063,EPC9064,EPC90132,EPC90137,EPC9061,EPC2308,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9039,EPC2044,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124,EPC90128,D类音频,CLASS-D AUDIO

2022/12/16 - 应用笔记或设计指南

用于d类音频应用的氮化镓®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Class-D音频应用中的优势。eGaN®技术通过其近理想的开关性能，降低了THD（总谐波失真）、DF（阻尼系数）和IMD（互调失真），从而提高了音频放大器的音质。eGaN FETs和ICs具有更高的效率、更小的尺寸和无需散热器等优点，适用于各种Class-D音频放大器设计。文档还提供了相关参考设计和推荐器件。

EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,EGAN®集成电路,半桥式开发板,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC9047,EPC2055,EPC90153,EPC9040,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2108,EPC2306,EPC2107,EPC9010C,EPC2065,EPC2020,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC9006C,EPC2619,EPC2036,EPC2071,EPC2031,EPC2033,EPC9063,EPC9064,EPC90132,EPC90137,EPC9061,EPC2308,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9039,EPC2044,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124,EPC90128,D类音频应用,CLASS-D AUDIO APPLICATIONS

2022/11/16 - 应用笔记或设计指南

用于d类音频应用的氮化镓®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Class-D音频应用中的优势。eGaN®技术通过其高效的开关特性，如更快的切换速度、更短的死区时间和零反向恢复（QRR），显著降低了总谐波失真（THD）、阻尼系数（DF）和互调失真（IMD），从而提高了音频质量。文档还提供了eGaN FETs和ICs在Class-D音频放大器设计中的应用实例和推荐器件。

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2022/10/8 - 应用笔记或设计指南

用于d类音频应用的氮化镓®FET和IC应用简介

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2022/9/7 - 应用笔记或设计指南

用于d类音频应用的氮化镓®FET和IC应用简介

本文介绍了eGaN® FETs和ICs在Class-D音频应用中的优势。eGaN®技术通过降低开关损耗、提高效率、减小尺寸和消除散热器，显著提升了音频放大器的性能。文中详细比较了eGaN FETs与MOSFETs的开关波形，突出了eGaN FETs在降低总谐波失真（THD）、提高阻尼系数（DF）和互调失真（IMD）方面的优势。此外，还提供了eGaN FETs和ICs在Class-D音频放大器设计中的应用实例和推荐器件。

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2022/5/6 - 应用笔记或设计指南

用于d类音频应用的氮化镓®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Class-D音频应用中的优势。eGaN®技术通过其高效的开关特性，如更快的切换速度和更短的死区时间，降低了总谐波失真（THD）、阻尼系数（DF）和互调失真（IMD），从而提高了音质。文章还提供了eGaN FETs和ICs在Class-D音频放大器设计中的应用实例和推荐器件。

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2021 - 应用笔记或设计指南

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