面向包络跟踪应用的 eGaN® FET 及集成电路
■氮化镓技术可以支持包络跟踪转换器及宽带射频功率放大器设计。具备超快速开关性能的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）支持在包络跟踪功率系统所采用的高频、多相降压转换器。
■面向包络跟踪电源设计的氮化镓场效应晶体管及集成电路的优势
▲更高的开关频率 – 更低的开关损耗，以及更低的驱动功率可以透过更高的开关频率实现更宽泛的电源带宽
▲更高的效率更高的效率 – 更低的传导及开关损耗、没有反向恢复损耗
▲更小占板面积更小占板面积 – 更高的功率密度
| 世强先进（深圳）科技股份有限公司 | |
| 开云手机入口平台www.deyec.com | |
| 开云手机入口平台电子商城www.deyec.com/supply/ | |
| 开云手机入口平台www.deyec.com | |
| 开云手机入口平台www.deyec.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由EPC品牌授权开云手机入口平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，开云手机入口平台不承担任何版权责任。
相关推荐
面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路应用简介
本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能，实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等，并提供了相关器件型号和配置的详细信息。
EPC - 氮化镓集成电路,氮化镓®场效应晶体管,EGAN®FET,EGAN FET,半桥开发板,氮化镓场效应晶体管,EPC2212,EPC2010C,EPC2059,EPC2034C,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2032,EPC2053,EPC9047,EPC2033,EPC9062,EPC9048C,EPC2204,EPC2207,EPC9010C,EPC2007C,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90123,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC90124,EPC9091,EPC9006C,适配器,USB-C PD快速充电器,智能手机,笔记本电脑
面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介
本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及其集成电路的应用范围，包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势，如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时，提供了eGaN®SR系列产品的参数对比，并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外，还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN®FET,半桥开发板,DC/DC转换器,氮化镓场效应晶体管,集成电路,EPC2212,EPC2057,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC90155,EPC2029,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC9098,EPC9099,ЕPC2218,EPC9092,EPC9093,EPC9050,ЕPC2215,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9061,ΕPC2059,EPC9062,EPC2203,EPC9048C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124,OLED电视,LED电视,48 V数据中心,开关模式电源,计算,家庭影院系统,LED照明,电信系统,适配器,服务器,游戏,图像PC,网络通信
用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介
本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术通过提供快速开关、高效率和紧凑尺寸，支持长距离和短距离激光雷达系统，实现更高分辨率、更远距离和更安全的应用。文档详细介绍了eGaN技术在激光雷达设计中的优势，包括高电流脉冲、窄脉冲宽度演示板和eToF™激光驱动器ICs。此外，还提供了推荐器件和配置信息，以支持不同类型的激光雷达系统。
EPC - HIGH CURRENT, NARROW PULSE WIDTH DEMO BOARDS,开发板,大电流、窄脉冲宽度演示板,氮化镓®场效应晶体管,氮化镓集成电路,EGAN® FETS,EGAN®集成电路,大电流脉冲激光二极管驱动演示板,HIGH CURRENT PULSED LASER DIODE DRIVER DEMO BOARD,ETOF™ LASER DRIVER ICS,氮化镓场效应晶体管,ETOF™激光驱动器IC,DEMO板,GAN TRANSISTORS,DEMO BOARD,EGAN® ICS,EGAN FET,DEVELOPMENT BOARD,EGAN ICS,氮化镓晶体管,GAN INTEGRATED CIRCUITS,EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC9049,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2055,EPC90156,EPC2218A,EPC9087,EPC90153,EPC2302,EPC2306,EPC8002,EPC2065,EPC21702,EPC9179,EPC21701,EPC2221,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9092,EPC9050,EPC90146,EPC9172,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2034C,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2071,EPC9144,EPC90132,EPC9022,EPC9180,EPC90137,EPC9181,EPC2204A,EPC9005C,EPC2204,EPC2040,EPC9156,EPC21603,EPC2361,EPC21601,EPC2088,EPC90123,EPC9154,EPC9150,机器人学,AUTONOMOUS VEHICLES,飞行时间（TOF）/激光雷达系统,DRONES,自动驾驶汽车,ROBOTICS,无人机,TIME OF FLIGHT(TOF)/LIDAR SYSTEMS,飞行时间/激光雷达,TIME-OF-FLIGHT/LIDAR
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
|
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
低压氮化镓晶体管-应用和可靠性
本文主要介绍了eGaN®FET技术的最新进展，包括技术更新、可靠性更新、应用更新和总结。文章重点讨论了eGaN FET在降低导通电阻、减少电容、电感、热阻和尺寸方面的优势，以及其在无线充电、LiDAR、包络跟踪、网络和服务器电源供应、卫星系统、高分辨率音频、节能照明、高分辨率MRI成像、交流适配器和机器人等领域的应用。此外，文章还对比了MOSFET和eGaN FET的成本，并展望了eGaN技术的未来发展方向。
EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2010C,EPC2001C,EPC2012C,EPC2015,EPC2105,EPC2014C,EPC2016C,EPC8003,EPC2021,EPC2010,EPC8007,EPC2100,EPC2001,EPC2012,EPC8004,机器人学,激光雷达,服务器电源,卫星系统,无线电源,网络,HIGH RESOLUTION CLASS-D AUDIO,LIDAR,节能照明,HIGH RESOLUTION MRI IMAGING,交流适配器,包络跟踪,ENERGY EFFICIENT LIGHTING,ROBOTICS,高分辨率MRI成像,高分辨率D类音频,ENVELOPE TRACKING,NETWORK,AC ADAPTERS,WIRELESS POWER,SERVER POWER SUPPLIES,SATELLITE SYSTEMS
【应用】开关速度为纳秒级的氮化镓功率MOSFET助力包络跟踪电源
EPC的氮化镓功率MOSFET其开关速度在纳秒级范围，具备超快速开关性能，可应用于包络跟踪的高频多相降压转换器中。
【专题】硅MOS的终结者——氮化镓eGaN FET
相比先进的硅基器件，当今商用化的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路的性能高出5至50倍。
成长中的氮化镓FET功率转换生态系统
本文介绍了基于eGaN®技术的功率转换系统，该系统相较于基于硅的替代品，具有更高的效率、更高的功率密度和更低的总体系统成本。文章详细阐述了eGaN FET生态系统，包括门驱动器、控制器和被动组件，并提供了相关产品的示例。此外，文章还讨论了eGaN FET转换器对被动组件的要求，以及如何选择合适的陶瓷电容器。最后，文章强调了随着eGaN FET在应用设计中的普及，其支持组件的生态系统也在不断增长。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN FET,EGAN® FET,氮化镓场效应晶体管,EPC9081,EPC9084,EPC9144,EPC9078,EPC9167
EPC2057氮化镓场效应晶体管材料成分声明
本资料为EPC2057元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2024年7月8日发布。声明中详细列出了该元器件的各组成部分及其所含物质，包括硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、铝、氮化铝、钛、氮化钛、铜、钨、聚酰亚胺等，并提供了每种物质的CAS编号、重量百分比和总重量。声明强调，所提供的数据为估算值，可能因技术要求和开发而变化，EPC可能随时更新此文件，且声明可能不包括最终产品中电气设备内掺杂剂和金属材料的微量信息。
EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2057
极端氮化镓–当氮化镓®FET暴露于远高于数据手册限制的电压和电流水平时会发生什么
本文探讨了宽禁带氮化镓（GaN）器件在超出数据表极限电压和电流条件下的表现。文章介绍了高效功率转换公司（EPC）对第五代100V额定EPC2045 eGaN FET进行的测试，分析了其在硬开关条件下承受高达150V漏源偏置的情况。此外，还讨论了超过数据表最大脉冲电流限制的短路电流测试结果。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,EGAN®集成电路,集成激光驱动器,INTEGRATED LASER DRIVER,氮化镓晶体管,ETOF™激光驱动器IC,GAN TRANSISTORS,ETOF™ LASER DRIVER IC,EPC2212,EPC2203,EPC2207,EPC2052,EPC2051,EPC21603,EPC2045,机器人学,ROBOTICS,电信,手机,伺服器,汽车,AUTOMOTIVE,TELECOM,SPACE,空间,SERVER,SOLAR,太阳的,MOBILE
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。
|
产品型号
|
品类
|
最大耐压（V）
|
持续电流(A)
|
导通阻抗(mΩ)
|
导通电荷(nC)
|
峰值电流(A)
|
封装（mm)
|
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
15V
|
3.4A
|
30mΩ
|
0.745nC
|
28A
|
BGA 0.85 mm*1.2mm
|
EPC2934C氮化镓场效应晶体管材料成分声明
本资料为EPC2934C元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2024年5月6日发布。声明中详细列出了该元器件的各组成部分及其所含物质，包括硅、氮化镓、铝、钛、铜、钨、聚酰亚胺等，并提供了每种物质的CAS编号、重量百分比和总重量。声明强调，所提供的数据为估算值，可能因技术要求和开发而变化，EPC可能随时更新此文件，且声明可能不包括最终产品中电气设备内掺杂剂和金属材料的微量信息。
EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2934C
面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET)应用简介
氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）在D类音频放大器中的应用优势包括降低总谐波失真（THD）、提高效率、减小占板面积和消除散热器。eGaN FET具有快速开关、短死区时间和零反向恢复电荷（QRR）的特性，从而提升音质并降低功耗。资料中提供了eGaN FET的推荐器件型号、配置和性能参数，以及相关参考设计和开发板信息。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,半桥开发板,EGAN® FET,演示板,氮化镓场效应晶体管,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2215,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2054,EPC2055,EPC90153,EPC9040,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2304,EPC2306,EPC2107,EPC2305,EPC2065,EPC9179,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2071,EPC9106,EPC90140,EPC2031,EPC9063,EPC90132,EPC90137,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC9039,EPC2044,EPC2088,EPC90122,EPC90123,EPC90124,EPC90128,产消者,PROSUMER,CONSUMER,消费者,D类音频放大器
EPC2901C_55氮化镓场效应晶体管材料成分声明
本资料为EPC2901C_55型号元器件的材料成分声明。声明中详细列出了该元器件中各成分的化学名称、CAS编号、重量百分比和总重量，包括芯片、硅氧化物、氮化硅、氮化镓、铝、氮化铝、钛、氮化钛、铜、钨、聚酰亚胺、金属等。声明强调所提供的数据为近似值，基于工程计算，可能因技术要求和开发而随时更改，EPC可能不另行通知更新此文件。声明可能不包括最终产品中电气设备内掺杂剂和金属材料的微量信息。
EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2901C_55
如何手工组装氮化镓场效应晶体管或集成电路
本资料详细介绍了如何手工组装氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）或集成电路。内容包括准备PCB板、使用焊膏、放置及对齐eGaN FET及集成电路、焊接方法、清洁及固化助焊剂，以及组装后的检测步骤。资料旨在指导读者实现高良率和高可靠性的产品组装。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FET,氮化镓场效应晶体管,集成电路,EPC2046,EPC2016,TS391LT,TS391SNL
电子商城
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥6.2849
现货： 2,356
现货市场
服务市场
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址：深圳 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址：深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论