How to Design a 2 kW 48 V/12 V Bi-DirectionalPower Module with packaged eGaN® FETs

使用增强型硅上氮化镓功率FET（氮化镓®FET）应用笔记

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如何设计采用封装氮化镓®FET的2 kW 48 V/12 V双向电源模块应用笔记

本文介绍了使用eGaN® FETs设计2 kW 48 V/12 V双向电源模块的方法。该设计采用EPC9165双向DC-DC转换器，使用QFN封装的GaN FETs，实现96%的效率。文章详细讨论了电路设计、热管理和数字控制等方面，并提供了性能测试结果。

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组装egallium氮化物®FET和集成电路

本文详细介绍了eGaN® FETs和集成电路的组装过程，包括PCB设计、组装工艺和常见问题解决。文章强调了eGaN技术的优势，如低电感、小尺寸和优异的热性能，并提供了关于LGA和BGA封装、焊膏选择、回流曲线、清洗和检查等方面的具体指导。此外，文章还讨论了组装过程中可能遇到的问题，如电气枝晶、热枝晶、焊点开裂、焊点空洞、芯片倾斜和填充物等，并提供了相应的解决方案。

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用于DC-DC转换的镓氮®FET和IC应用简介

本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在DC-DC转换中的应用，重点强调了其高效能、高功率密度和小型化的特点。资料中详细展示了不同型号的产品及其在48V至12V转换中的应用，包括高效能计算和电信应用，以及汽车电子领域。此外，还提供了相关产品的详细规格和开发板信息，以帮助工程师进行设计和评估。

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用于48 V降压转换器的镓氮®FET和IC应用简介

本文介绍了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用优势。eGaN®技术能够提高输出电流，同时减小尺寸，实现高效开关，降低功耗。文章还探讨了数据中心服务器电源架构的重新思考，eGaN® FETs和ICs使单级转换成为可能，从而提高能效和降低运营成本。此外，文章还提供了相关产品信息和推荐设备。

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如何使用汽车级氮化镓®FET设计紧凑型低压BLDC电机驱动逆变器

本文档介绍了如何设计一款紧凑型低压BLDC电机驱动器逆变器，使用了汽车级eGaN® FET。该设计基于EPC9145板，采用六款EPC2206 eGaN FET构建的三相逆变器，支持高达250kHz的PWM开关频率。文章详细阐述了系统概览、设计概述、实验验证等内容，包括电流感应方法、过流保护电路、温度传感等关键技术细节。此外，还讨论了不同工作条件下的电容选择和热管理策略。

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用于负载转换器网络点的氮化镓®FET和IC应用简介

本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL)转换器中的应用。eGaN FETs因其高效率、低导通和开关损耗、零反向恢复损耗以及低电感等特性，在POL转换器中具有显著优势。这些器件能够实现高效率和高电流输出，支持单级转换，降低能耗，并快速响应瞬态变化。文档还提供了eGaN FETs和ICs的详细规格和推荐配置，以帮助设计人员选择合适的器件。

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eGaN® FETs and ICs for Time-of-Flight/Lidar 应用简介

本文介绍了eGaN®技术及其在飞行时间/激光雷达系统中的应用。eGaN® FETs和ICs能够提供高电流脉冲，适用于长距离和短距离激光雷达系统，如自动驾驶车辆和碰撞避免。文章还列举了eGaN®技术的优势，包括快速开关、高效率、小尺寸和低成本。此外，还提供了相关演示板和器件型号的详细信息。

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氮化镓®FET的热管理

本文介绍了eGaN® FET的热管理策略，针对其高功率密度、快速开关和低导通电阻的特点，分析了热管理的重要性。文章详细阐述了通过优化PCB设计和背面冷却来提高热传导的方法，包括使用热通路、热扩散器和散热器等。此外，还讨论了热界面材料（TIM）的选择和热仿真结果，以验证所提出的热管理策略的有效性。

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如何使用氮化镓®FET设计超薄、高效、多电平DC-DC转换器

本文介绍了使用eGaN® FETs设计一款超薄、高效的多级DC-DC转换器。文章详细阐述了基于eGaN FETs的三级降压转换器的设计，包括电路原理、关键元件选择、控制策略等。实验验证了该转换器的性能，峰值效率达到97.8%，整体厚度仅为5mm。

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