eGaN® FETs and ICs for 48 V Buck Converters APPLICATION BRIEF
●重新思考数据中心服务器电源架构:氮化镓FET和IC实现单级转换
■数据中心消耗大量电能。这些中心的运行功率从兆瓦到几十兆瓦不等。
■目前,数据中心的电源转换设计侧重于提高能效和降低运营成本。
■Buck转换是将48 V转换为数据中心所需的较低电压的一种非常经济的方法。
■虽然所有级别的功率转换都将受益于宽禁带半导体,但对整体效率影响最大的是最低电压。在48 V Buck设计中,氮化镓®FET作为控制和整流器功能的开关,与MOSFET相比具有巨大优势,并将显著提高数据中心效率。
●氮化镓FET和IC在48 V Buck转换器中的优势:
■增大输出电流,同时减小尺寸
■超低QGD和零QRR=高电流和高电压的有效切换
■晶圆级封装=低电感、低噪音、低成本
■高频开关=更小、更便宜的无源元件和更快的瞬态响应
■超低电容=轻负载时效率高
用于48 V降压转换器的镓氮®FET和IC应用简介 |
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EPC9115、EPC2020、EPC2021、EPC9059、EPC2100、EPC9041、EPC2105、EPC2108、EPC2102、EPC2031、EPC2101、EPC2103、EPC2065、EPC2619、EPC2206、EPC2107、EPC2106、EPC2007C、EPC2051、EPC2052、EPC2104、EPC2204、EPC2306、EPC2218、EPC2071、EPC2302、EPC9064、EPC9038、EPC9061、EPC9037、EPC9033、EPC9039、EPC90137、EPC90153、EPC9034、EPC90122、EPC9510、EPC9055、EPC9006C、EPC9091、EPC9010C、EPC9092、EPC9002C、EPC9040、EPC9097、EPC90145、EPC90123、EPC90146、EPC90142、EPC2001C、EPC2016C |
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[ 48 V降压转换器 ] |
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APPLICATION BRIEF,应用笔记或设计指南,申请简介 |
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详见资料 |
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QFN;LGA;BGA |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022/11/18 |
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AB009 |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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无人机用egallium氮化物®FET和IC
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用于高可靠性电源解决方案的氮化镓®FET和IC
本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在高压可靠性电源解决方案中的应用。这些器件在恶劣环境下的功率转换器中表现出卓越的可靠性,如太空、高空飞行或高可靠性军事应用。eGaN®技术相比传统硅器件,具有更小尺寸、更高效率和更低成本的优势,同时电性能提升40倍。资料还详细列出了eGaN® FETs和ICs的特点、优势和应用领域,包括降低系统尺寸和重量、提高功率系统效率等。
EPC - RAD HARD GAN FET,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,EGAN®集成电路,抗辐射氮化镓场效应晶体管,EPC7019,EPC7018,EPC7007,EPC2034C,IRHN57250SE,EPC7014,LOW-EARTH-ORBIT (LEO) MISSIONS,机器人学,激光雷达,航空,AERONAUTICS,LIDAR,低地球轨道飞行任务,UNMANNED AERIAL VEHICLES (UAVS),无人驾驶飞行器,ROBOTICS
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
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0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
EPC半桥Demo选型表
EPC提供半桥Demo选型:VDS(最大值)(V):20V~350V,Id(RMS最大值)(A):1A~65A
产品型号
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品类
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Description
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VDS max(V)
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ID(max RMS)(A)
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Featured Product
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EPC9086
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开发板
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Half Bridge Plus Driver
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30
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15
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EPC2111
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选型表 - EPC 立即选型
用于48 V降压转换器的镓氮®FET和IC应用简介
本文介绍了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用优势。eGaN®技术能够提高输出电流,同时减小尺寸,实现高效开关,降低功耗。文章还探讨了数据中心服务器电源架构的重新思考,eGaN® FETs和ICs使单级转换成为可能,从而提高能效和降低运营成本。此外,文章还提供了相关产品信息和推荐设备。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,演示电路,EGAN® ICS,EGAN®集成电路,DEMO CIRCUIT,半桥式开发板,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,EPC2071,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2031,EPC9041,EPC90156,EPC90153,EPC90137,EPC9061,EPC9040,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2204,EPC2306,EPC2206,EPC2107,EPC9115,EPC9038,EPC9039,EPC2021,EPC2065,EPC2020,EPC2361,EPC2100,EPC9179,EPC9059,EPC2088,EPC9037,EPC9510,EPC90122,EPC9097,EPC90145,EPC90123,EPC90142,EPC9055,EPC9092,EPC90146,EPC9091,EPC2619,48 V降压转换器,48 V BUCK CONVERTERS
用于负载转换器网络点的氮化镓®FET和IC应用简介
本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Networking Point of Load (POL)转换器中的应用。eGaN FETs因其高效率、低导通和开关损耗、零反向恢复损耗以及低电感等特性,在POL转换器中具有显著优势。这些器件能够实现高效率和高电流输出,支持单级转换,降低能耗,并快速响应瞬态变化。文档还提供了eGaN FETs和ICs的详细规格和推荐配置,以帮助设计人员选择合适的器件。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,EGAN®集成电路,EPC2014C,EPC2071,EPC2252,EPC2031,EPC2055,EPC9041,EPC90156,EPC90153,EPC90132,EPC90137,EPC90138,EPC9061,EPC2307,EPC9005C,EPC2101,EPC2302,EPC2105,EPC2204,EPC2306,EPC2206,EPC2065,EPC2361,EPC2100,EPC2067,EPC9036,EPC9179,EPC2066,EPC2088,EPC9037,EPC90150,EPC90122,EPC9097,EPC90145,EPC90123,EPC90142,EPC90149,EPC90146,EPC2619,NETWORKING POINT,POL转换器,负载转换器,LOAD CONVERTERS,POL CONVERTER,联网点
无刷直流(BLDC)电机用egallium氮化物®FET和IC
eGaN® FETs和ICs在无刷直流电机(BLDC)中的应用,提供了比硅基MOSFET更高的性能开关,降低了电流噪声,提高了电流测量精度。GaN技术的小尺寸、热效率和低开关损耗,有助于实现高分辨率和精确控制,适用于电动自行车、机器人、汽车和医疗设备等领域。资料还提供了eGaN FETs和ePower™ Stage的推荐设备列表。
EPC - 开发板,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,DEVELOPMENT BOARD,EGAN®集成电路,EPC2012C,EPC2215,EPC9049,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2055,EPC9087,EPC9040,EPC2102,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC2065,EPC90151,EPC9057,EPC90152,EPC2067,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9055,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2071,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC23104,EPC90140,EPC2031,EPC2152,EPC90132,EPC90137,EPC90138,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,EPC9004C,EPC2204,EPC2206,EPC9038,EPC9039,EPC2040,EPC2044,EPC2088,EPC90122,EPC90123,EPC90120,EPC90128,机器人学,无刷直流电动机,汽车,工业无人机,无人机,情绪化,自主式机器人,ROBOTICS,LEAN PRODUCTION LINE COLLABORATIVE ROBOTS,AUTOMOTIVE,BLDC MOTORS,AUTONOMOUS ROBOTS,直流无刷马达,EMOBILITY,INDUSTRIAL DRONES,工业机械手臂,精益生产线协作机器人,BRUSHLESS DC MOTORS,医疗外科机器人,汽车发动机,INDUSTRIAL ROBOT,AUTOMOTIVE MOTORS,HEALTHCARE SURGICAL ROBOTICS,DRONES
eGaN® FETs and ICs for Time-of-Flight/Lidar 应用简介
本文介绍了eGaN®技术及其在飞行时间/激光雷达系统中的应用。eGaN® FETs和ICs能够提供高电流脉冲,适用于长距离和短距离激光雷达系统,如自动驾驶汽车和碰撞避免系统。文章还展示了eGaN®技术在提高开关速度、脉冲精度、效率、尺寸和成本效益方面的优势,并提供了相关产品型号和配置信息。
EPC - EGAN 集成电路,氮化镓®场效应晶体管,氮化镓集成电路,EGAN® FETS,EGAN®集成电路,演示板,ETOF™激光驱动器IC,氮化镓器件,氮化镓场效应晶体管,GAN TRANSISTORS,演示电路板,EGAN® ICS,氮化镓晶体管,GAN INTEGRATED CIRCUITS,EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC9126,EPC9049,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2055,EPC9087,EPC90153,EPC2302,EPC2001C,EPC2306,EPC8002,EPC2065,EPC21702,EPC21701,EPC9179,EPC2221,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9092,EPC9050,EPC90146,EPC9172,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2034C,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2071,EPC9144,EPC9126HC,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC9005C,EPC2204,EPC2040,EPC9156,EPC21603,EPC21601,EPC2088,EPC90123,EPC9154,EPC9150,FLASH LIDAR SYSTEMS,机器人学,激光雷达,AUTONOMOUS VEHICLES,DRONES,闪光激光雷达系统,自动驾驶汽车,LIDAR,ROBOTICS,LONG RANGE APPLICATIONS,无人机,长距离应用
用于飞行时间/激光雷达的氮化镓®FET和IC
本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术通过提供快速开关、高效率和紧凑尺寸,支持更高分辨率、更远距离和更安全的ToF/LiDAR系统。文档详细介绍了eGaN技术在激光雷达设计中的优势,包括提高脉冲重复率和集成激光二极管。此外,还提供了多种eGaN FET和IC的型号、配置和功能,以及推荐用于ToF/LiDAR系统的器件。
EPC - HIGH CURRENT, NARROW PULSE WIDTH DEMO BOARDS,大电流、窄脉冲宽度演示板,EGAN FETS,氮化镓®场效应晶体管,氮化镓集成电路,EGAN® FETS,EGAN®集成电路,大电流脉冲激光二极管驱动演示板,HIGH CURRENT PULSED LASER DIODE DRIVER DEMO BOARD,ETOF™ LASER DRIVER ICS,氮化镓场效应晶体管,ETOF™激光驱动器IC,DEMO板,GAN TRANSISTORS,DEMO BOARD,EGAN® ICS,EGAN ICS,氮化镓晶体管,GAN INTEGRATED CIRCUITS,EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC9126,EPC9049,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2055,EPC90153,EPC9087,EPC2302,EPC2001C,EPC2306,EPC8002,EPC2065,EPC21701,EPC2221,EPC9179,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9092,EPC9050,EPC90146,EPC9172,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2034C,EPC2014C,EPC9507,EPC2071,EPC9144,EPC9126HC,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC9005C,EPC2204,EPC2040,EPC9156,EPC21603,EPC21601,EPC2088,EPC90123,EPC9154,EPC9150,飞行时间/激光雷达,TIME-OF-FLIGHT/LIDAR
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。
产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
egallium氮化物®FET和IC用于48 V降压转换器
本文档主要介绍了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用优势。eGaN®技术能够提高输出电流,同时减小尺寸,实现高效开关,降低功耗。文章还探讨了数据中心服务器电源架构的重新思考,eGaN® FETs和ICs使单级转换成为可能,从而提高数据中心效率。此外,文档还提供了eGaN® FETs和ICs在48V Buck转换器中的应用示例和推荐设备。
EPC - 开发板,EGAN FETS,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,半桥并联评估,BRICK CONVERTER,EGAN®集成电路,DEMO CIRCUIT,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,氮化镓场效应晶体管,单片氮化镓半桥,演示电路,EGAN® ICS,EGAN FET,DEVELOPMENT BOARD,MONOLITHIC GAN HALF BRIDGE,HALF BRIDGE PARALLEL EVALUATION,半桥式开发板,BRICK转换器,EPC2071,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2031,EPC9041,EPC90153,EPC90137,EPC9061,EPC9040,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2204,EPC2306,EPC2206,EPC2107,EPC9115,EPC9038,EPC9039,EPC2065,EPC2021,EPC2020,EPC9179,EPC2100,EPC2088,EPC9037,EPC9510,EPC9059,EPC90122,EPC9097,EPC90145,EPC90123,EPC90142,EPC9055,EPC9092,EPC90146,EPC9091,EPC2619,BUCK CONVERTERS,巴克变换器
用于d类音频应用的氮化镓®FET和IC应用简介
本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在Class-D音频应用中的优势。eGaN®技术通过降低总谐波失真(THD)、提高效率、减小尺寸和消除散热器,显著提升了音频放大器的音质和性能。文档还提供了eGaN FETs和ICs的推荐型号和应用参考设计。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,EGAN®集成电路,演示板,半桥式开发板,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,DEMONSTRATION BOARD,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2215,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2054,EPC2055,EPC90153,EPC9040,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2304,EPC2306,EPC2107,EPC2305,EPC2065,EPC9179,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9055,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2071,EPC9106,EPC90140,EPC2031,EPC9063,EPC90132,EPC90137,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC9039,EPC2044,EPC2088,EPC90122,EPC90123,EPC90124,EPC90128,产消者,PROSUMER,CONSUMER,D类音频应用,CLASS-D AUDIO APPLICATIONS,消费者,CLASS-D AUDIO AMPLIFIER,D类音频放大器
组装氮化镓®FET和集成电路应用笔记
本文详细介绍了eGaN® FETs和集成电路的组装过程,包括PCB设计、组装工艺和常见问题解决。文章强调了eGaN技术的优势,如低电感、小尺寸和优异的热性能,并提供了关于LGA和BGA封装、焊膏选择、回流曲线、清洗和检查等方面的具体指导。此外,文章还讨论了组装过程中可能遇到的问题,如电气枝晶、热枝晶、焊点开裂、焊点空洞、芯片倾斜和填充物等,并提供了相应的解决方案。
EPC - EGAN DEVICE,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,INTEGRATED CIRCUITS,EGAN FET,ICS,氮化镓器件,氮化镓场效应晶体管,集成电路,EPC2001C,EPC2019,EPC2045
用于高功率解决方案的egallium氮化物®FET和IC
本资料介绍了eGaN® FETs和ICs在高压可靠性电源解决方案中的应用。这些器件在恶劣环境下的功率转换器中表现出卓越的可靠性,如太空、高空飞行或高可靠性军事应用。eGaN® FETs和ICs比传统的硅器件更小、更高效、成本更低,电性能比通常用于这些系统的辐射硬化器件提高40倍。这些器件适用于卫星电源和数据传输、机器人、无人机和航空航天电源系统。资料还提供了eGaN® FETs和ICs的具体型号、配置和性能参数。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS,EGAN® ICS,EGAN®集成电路,抗辐射氮化镓场效应晶体管,RAD HARD GAN FETS,EPC7019,EPC7018,EPC7007,EPC2034C,EPC7020,EPC7002,EPC7001,EPC7004,EPC7014,EPC7003,航空,DRONES,无人驾驶飞机,HIGH ALTITUDE FLIGHT,UAVS,ROBOTICS,SPACE,SATELLITE POWER,LOW-EARTH-ORBIT (LEO) MISSIONS,无人飞行器,高空飞行,AERONAUTICAL POWER SYSTEMS,UNMANNED AERIAL VEHICLES,机器人学,激光雷达,AERONAUTICS,无人机,航空动力系统,低地球轨道飞行任务,数据传输,空间,HIGH RELIABILITY MILITARY,卫星电源,DATA TRANSMISSION,LIDAR,高可靠性军用
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价格:¥29.4342
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