How to Design an Ultra-thin, Highly Efficient, Multilevel DC-to-DC Converter Using eGaN® FETs

2021-08-09
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在过去的十年中,数据通信、电信和消费电子系统中的DC-to-DC电源模块需要更多的功率,空间和体积的限制越来越大,需要超薄和高效的解决方案。多电平变换器是缩小磁性元件尺寸并在紧凑型解决方案中实现高效率的一种特殊选择。利用氮化镓场效应晶体管的小尺寸和低损耗等优点,可以提高其性能。采用氮化镓的48v~20v、250w三电平变换器® FET和数字控制系统的峰值总系统效率为97.8%,总厚度仅为5mm(包括PCB)。

如何使用氮化镓®FET设计超薄、高效、多电平DC-DC转换器

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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

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